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公开(公告)号:CN101853876A
公开(公告)日:2010-10-06
申请号:CN201010112756.7
申请日:2010-02-04
Applicant: 友达光电股份有限公司
Inventor: 谢信弘
Abstract: 本发明提供了一种主动矩阵有机发光二极体(AMOLED)面板结构,包括:一玻璃衬底,具有一显示区域与一虚拟(dummy)区域,虚拟区域环绕显示区域;多个薄膜晶体管,位于玻璃衬底上;一第一钝化层,覆盖显示区域与虚拟区域的薄膜晶体管;以及一第二钝化层,位于所述第一钝化层之上并至少曝露出所述虚拟区域上的至少部分所述第一钝化层的上表面。使用本发明可利用电流或电压大小来感测AMOLED面板水分渗入的严重程度,敏感度高,也较为客观,可帮助早期发现AMOLED面板封装不良或是水分渗入。
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公开(公告)号:CN101615613B
公开(公告)日:2010-10-06
申请号:CN200910165631.8
申请日:2009-08-12
Applicant: 友达光电股份有限公司
Abstract: 本发明是关于一种像素结构、有机电激发光显示单元及其制造方法,所述的像素结构配置于基板上,且所述像素结构包括栅极、栅绝缘层、图案化金属氧化物层、刻蚀终止层、源极以及漏极。栅极配置于基板上,栅绝缘层配置于基板上以覆盖栅极,图案化金属氧化物层配置于栅绝缘层上,且图案化金属氧化物层包括位于栅极上方的主动层以及像素电极,刻蚀终止层配置于主动层的部分区域上,源极以及漏极与未被刻蚀终止层覆盖的部分主动层电连接,且漏极与像素电极电连接。其中未被刻蚀终止层覆盖的部分图案化金属氧化物层的导电度高于被刻蚀终止层覆盖的部分图案化金属氧化物层的导电度。
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公开(公告)号:CN101572274A
公开(公告)日:2009-11-04
申请号:CN200910142063.X
申请日:2009-05-26
Applicant: 友达光电股份有限公司
Inventor: 谢信弘
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L21/336 , H01L21/314
Abstract: 一种具有刻蚀阻挡层的氧化物薄膜晶体管,包括:衬底、栅极和绝缘层,还包括导电通道,所述导电通道设置于所述绝缘层远离所述栅极的表面,且与所述栅极的位置相互对应;刻蚀阻挡层,所述刻蚀阻挡层将所述导电通道以及绝缘层的表面全部覆盖,并在与导电通道表面对应的位置设置有通孔;源极和漏极,所述源极和漏极通过刻蚀阻挡层中的通孔与导电通道相连接。本发明还提供了一种制备上述晶体管的方法。本发明的优点在于,采用了刻蚀阻挡层对绝缘层和导电通道的表面进行了全覆盖,仅在需要形成连接的地方制作通孔,因此避免了等离子体刻蚀工艺对绝缘层和导电通道的影响,保证了薄膜晶体管的电学性质的稳定。
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公开(公告)号:CN103137708B
公开(公告)日:2015-09-02
申请号:CN201310001513.X
申请日:2013-01-04
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 一种主动元件及其制造方法。主动元件包括一缓冲层、一通道、一栅极、一栅绝缘层以及一源极与一漏极。缓冲层配置于一基板上,具有一定位区,其中缓冲层在定位区的部分的厚度大于在定位区以外的部分的厚度。通道配置于缓冲层上,且位于定位区。栅极位于通道上方,栅绝缘层则配置于通道与栅极之间。源极与漏极位于通道上方并电性连接通道。
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公开(公告)号:CN102496621B
公开(公告)日:2014-09-17
申请号:CN201110424194.4
申请日:2011-12-16
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/77
Abstract: 一种半导体组件,设置于一基板上。半导体组件包括一第一信道层、一图案化掺杂层、一栅极介电层、一导电栅极、一第二通道层、一第一电极与一第二电极,以及一第三电极与一第四电极。第一信道层位于第一区域的基板上。图案化掺杂层包括一掺杂栅极位于第二区域的基板上,以及两个接触电极分别连接第一通道层的两侧。栅极介电层覆盖第一信道层与图案化掺杂层。导电栅极位于第一区域的栅极介电层上。第二信道层位于第二区域的栅极介电层上。第一电极与第二电极分别与各接触电极电性连接。第三电极与第四电极分别电性连接第二通道层的两侧。
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公开(公告)号:CN102163640B
公开(公告)日:2012-11-07
申请号:CN201110009706.0
申请日:2011-01-11
Applicant: 友达光电股份有限公司
Inventor: 谢信弘
Abstract: 本发明公开了一种紫外光感测显示装置,包括二个开关晶体管、二个光敏晶体管、二个电容以及二个发光二极管。各光敏晶体管的栅极分别电性连接至各开关晶体管的漏极与各电容的一端。各发光二极管的阳极电性连接至各光敏晶体管的漏极,且各发光二极管的阴极电性连接至一第一电压源。各光敏晶体管的源极电性连接至一第二电压源与各电容的另一端。各发光二极管分别产生不同颜色的光线。当紫外光持续照射光敏晶体管时,其中一光敏晶体管较另一光敏晶体管快开启。
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公开(公告)号:CN102437172A
公开(公告)日:2012-05-02
申请号:CN201110342957.0
申请日:2011-10-25
Applicant: 友达光电股份有限公司
CPC classification number: H01L51/524
Abstract: 一种镜面电激发光显示面板,包括一阵列基板、多个驱动元件、多个电激发光元件,以及一上盖基板。驱动元件位于阵列基板上。电激发光元件位于阵列基板上,且各电激发光元件包括一第一电极与对应的驱动元件电性连接、一发光层位于第一电极上,以及一第二电极位于发光层上。上盖基板与阵列基板对向设置。上盖基板具有多个透光区,以及一反射区位于相邻的透光区之间,其中各透光区大体上分别对应各发光层。本发明的镜面电激发光显示面板的上盖基板的透光区可提供高亮度与无色偏的显示画面,而上盖基板的透光区以外的反射区则可有效反射环境光线发挥镜面效果。
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公开(公告)号:CN101958401A
公开(公告)日:2011-01-26
申请号:CN201010266860.1
申请日:2010-08-24
Applicant: 友达光电股份有限公司
Inventor: 谢信弘
Abstract: 本发明公开了一种有机电激发光元件及其制造方法,该元件包括一第一图案化导电层、一栅绝缘层、一图案化半导体层、一第二图案化导电层、一有机功能层、一阴极层。第一图案化导电层配置于基板上。栅绝缘层配置于基板上以覆盖第一图案化导电层。图案化半导体层配置于栅绝缘层上。一第二图案化导电层配置于栅绝缘层上且第二图案化导电层包括一粘着层、一中间层及一阳极层。粘着层与栅绝缘层接触。中间层位于粘着层与阳极层之间。粘着层、中间层与阳极层实质上具有相同的图案。有机功能层配置于第二图案化导电层。阴极层配置于有机功能层。本发明可降低材料的成本以及制作成本。
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公开(公告)号:CN103280539B
公开(公告)日:2015-08-12
申请号:CN201310067781.1
申请日:2013-03-04
Applicant: 友达光电股份有限公司
Inventor: 谢信弘
CPC classification number: H01L27/3258 , H01L27/3246 , H01L27/3248 , H01L51/525 , H01L2227/323
Abstract: 本发明提供一种有机发光二极管结构、制作有机发光二极管结构的方法及显示面板,有机发光二极管结构包含薄膜晶体管以及有机发光二极管。有机发光二极管制作于平坦化层上且具有上表面,上表面实质上与基板平行且有机发光二极管中各层亦彼此实质上平行。有机发光二极管的各层的大部分皆具有均匀的厚度,以使有机发光二极管可表现均匀的亮度。平坦化层覆盖薄膜晶体管,而位于薄膜晶体管之上的平坦化层亦为一绝缘层所覆盖。制作一开口,开口穿透位于薄膜晶体管之上的平坦化层和绝缘层以露出薄膜晶体管的部分漏极,使有机发光二极管的上电极与薄膜晶体管的漏极电性连接。此外在薄膜晶体管之上的绝缘层,亦设置有多个具有均一高度的间隙子以保护像素结构。
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公开(公告)号:CN103137708A
公开(公告)日:2013-06-05
申请号:CN201310001513.X
申请日:2013-01-04
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 一种主动元件及其制造方法。主动元件包括一缓冲层、一通道、一栅极、一栅绝缘层以及一源极与一漏极。缓冲层配置于一基板上,具有一定位区,其中缓冲层在定位区的部分的厚度大于在定位区以外的部分的厚度。通道配置于缓冲层上,且位于定位区。栅极位于通道上方,栅绝缘层则配置于通道与栅极之间。源极与漏极位于通道上方并电性连接通道。
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