公开(公告)号：CN104701266A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201510151202.0

申请日：2015-04-01

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 林奕呈 ,  陈钰琪 ,  曾柏傑

IPC: H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L27/02 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L21/84 ,  H01L27/02 ,  H01L27/12 ,  H01L27/32

Abstract: 本发明提供一种像素结构及其制造方法，所述制造方法包括在基板上形成第一电极层以及第一绝缘层、在第一绝缘层上形成半导体层、在半导体层上形成栅绝缘图案层以及依序形成第一导电层、第二绝缘层以及第二导电层，半导体层包括第一半导体图案以及第二半导体图案，第一导电层包括扫描线、第一栅极、第二栅极以及第一电容电极，第二绝缘层具有第一开口、第二开口第三开口以及第四开口。第二导电层包括第二电容电极、数据线、第一源极、第一漏极、第二源极以及第二漏极。第二电容电极、第一电容电极以及第一电极层重叠设置以构成一储存电容器。