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公开(公告)号:CN113161094A
公开(公告)日:2021-07-23
申请号:CN202110286616.X
申请日:2021-03-17
Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司 , 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种R‑T‑B磁体及其制备方法。该R‑T‑B磁体包括以下组分:R:≥30.0wt.%,所述R为稀土元素;Cu:0.16~0.6wt.%;Ti:0.4~0.8wt.%;Ga:≤0.2wt.%;B:0.955~1.2wt.%;Fe:58~69%;wt.%为各组分的质量占各组分总质量的质量百分比。本发明中的R‑T‑B磁体具备较高的剩磁、矫顽力、方形度和高温稳定性。
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公开(公告)号:CN110428947A
公开(公告)日:2019-11-08
申请号:CN201910701203.6
申请日:2019-07-31
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种稀土永磁材料及其原料组合物、制备方法和应用。该稀土永磁材料中,以重量百分比计,包括下述组分:R:29.0-32.0wt%,且R中包括RH,所述RH的含量>1wt%;Cu:0.30-0.50wt%,不包括0.50wt%;Co:0.10-1.0wt%;Ti:0.05-0.20wt%;B:0.92-0.98wt%;余量为Fe及不可避免的杂质;其中:所述R为稀土元素,所述R中至少包括Nd;所述RH为重稀土元素,所述RH中至少包括Tb。本发明中的R-T-B系永磁材料性能优异,Br≥14.30kGs,Hcj≥24.1kOe,实现了Br和Hcj的同步提升。
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公开(公告)号:CN113674943A
公开(公告)日:2021-11-19
申请号:CN202110866196.2
申请日:2021-07-29
Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司 , 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼磁体材料及其制备方法和应用。该钕铁硼磁体材料包括以下组分:R:28~33wt.%,所述R为稀土元素;所述R包括Nd和Pr,所述Nd:27~31.5wt.%;Al:0.30~1.3wt.%;Cu:0.35~0.6wt.%;Co≥0.85wt.%;B:0.98~1.2wt.%;Nb≥0.25wt.%;Fe:62~69wt.%,wt.%为各组分的质量与所述钕铁硼磁体材料总质量的百分比;所述钕铁硼磁体材料中所述Nd和所述Pr的含量满足如下公式:Nd/Pr≥58。本发明通过优化配方制得的钕铁硼磁体材料在提高矫顽力的同时,剩磁和方形度均维持在较高水平。
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公开(公告)号:CN110556223B
公开(公告)日:2021-07-02
申请号:CN201910943538.9
申请日:2019-09-30
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼磁体材料及其制备方法和应用。该钕铁硼磁体材料,以重量百分比计,包括如下组分:R 29.5~31.5wt%且RH>1.5wt%;Cu 0.05~0.25wt%;Co 0.42~2.6wt%;Ga 0.20~0.3wt%;N 0.25~0.3wt%;Al 0.46~0.6wt%或Al≤0.04wt%但不为0;B 0.98~1wt%;Fe 64~68wt%;其中:R为稀土元素,R包括Nd和RH;RH为重稀土元素,RH包括Tb;Tb与Co的重量比≤15但不为0。本发明中钕铁硼磁体材料的矫顽力和剩磁均较高,并具有较低的剩磁温度系数和矫顽力温度系数。
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公开(公告)号:CN112992462A
公开(公告)日:2021-06-18
申请号:CN202110287760.5
申请日:2021-03-17
Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司 , 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种R‑T‑B磁体及其制备方法。该R‑T‑B磁体包括以下组分:R:≥30.0wt.%,R为稀土元素,Nb:0.1~0.3wt.%;B:0.955~1.2wt.%;Fe:58~69wt.%;wt.%为各组分的质量占各组分总质量的百分比;所述的R‑T‑B磁体中还含有Co和Ti;所述R‑T‑B磁体中,所述Co的质量含量与“所述Nb和所述Ti”的总质量含量的比值为4~10。本发明进一步优化了R‑T‑B磁体中各组分之间的配合关系,可制备为剩磁、矫顽力和方形度等磁性能均在较高水平的磁体材料。
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公开(公告)号:CN112992460A
公开(公告)日:2021-06-18
申请号:CN202110286519.0
申请日:2021-03-17
Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司 , 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种R‑T‑B磁体及其制备方法。该R‑T‑B磁体包括以下组分:R:≥29wt.%,所述R为稀土元素,所述R含有Nd;所述Nd≥22wt.%;Ti+Nb:0.2~0.75wt.%;Cu:0.05~0.45wt.%;B:0.955~1.15wt.%;Fe:58~69wt.%;wt.%为各组分的质量与各组分总质量的比;所述Ti与所述Nb的质量比为(1~5):1。本发明进一步优化了R‑T‑B磁体中添加元素之间的配合关系,采用该配方能够制备得到较高的剩磁、矫顽力和方形度等磁性能均较佳的R‑T‑B磁体。
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公开(公告)号:CN111599563A
公开(公告)日:2020-08-28
申请号:CN202010478499.2
申请日:2020-05-29
Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司 , 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了钕铁硼永磁材料、其原料组合物、其制备方法。用于制备钕铁硼永磁材料的原料组合物,包括以下组分:R,30.2-31.7mas%,所述R为稀土元素;Nb,<0.25mas%且不为0;Cu,0.35-0.5mas%;Al,0-0.2mas%;B,0.92-0.96mas%;Fe,60-70mas%;各组分之和为100mas%,所述R包括重稀土金属RH,所述RH包括Dy和/或Tb。由该原料组合物制得的钕铁硼永磁材料方形度均为99%以上;20-150℃Hcj温度系数绝对值均在0.404%-0.414%;热处理温区为470-510℃;Br≥14kGs,矫顽力≥25kOe。
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公开(公告)号:CN110993234A
公开(公告)日:2020-04-10
申请号:CN201911348739.0
申请日:2019-12-24
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了高Cu高Al的钕铁硼磁体及其制备方法。高Cu高Al的钕铁硼磁体包含:29.5~33.5%的R、0.985%以上的B、0.50%以上的Al、0.35%以上的Cu、1%以上的RH和0.1~0.4%的高熔点元素N和Fe;其中,所述百分比为所述元素占元素总量的质量百分比;其中,所述元素含量的质量百分比需满足如下关系:(1)1<RH<0.11R<3.54B;(2)0.12RH<Al。本发明通过联合添加一定比例的Al、RH、以及高熔点金属元素,能够有效解决高Cu磁体强度不足的问题,同时保证了磁体材料的磁学性能。
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公开(公告)号:CN110556223A
公开(公告)日:2019-12-10
申请号:CN201910943538.9
申请日:2019-09-30
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼磁体材料及其制备方法和应用。该钕铁硼磁体材料,以重量百分比计,包括如下组分:R 29.5~31.5wt%且RH>1.5wt%;Cu 0.05~0.25wt%;Co 0.42~2.6wt%;Ga 0.20~0.3wt%;N 0.25~0.3wt%;Al 0.46~0.6wt%或Al≤0.04wt%但不为0;B 0.98~1wt%;Fe 64~68wt%;其中:R为稀土元素,R包括Nd和RH;RH为重稀土元素,RH包括Tb;Tb与Co的重量比≤15但不为0。本发明中钕铁硼磁体材料的矫顽力和剩磁均较高,并具有较低的剩磁温度系数和矫顽力温度系数。
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公开(公告)号:CN109248994A
公开(公告)日:2019-01-22
申请号:CN201810943565.1
申请日:2018-08-17
Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司
IPC: B22D11/06
Abstract: 本发明公开了一种薄带的铸造装置及薄带的铸造方法。该装置和方法至少包括熔炼炉、冷却辊、和用以将所述熔炼炉形成的熔液供给到所述冷却辊的供给装置,所述供给装置具有进液口和出液口,所述进液口至所述出液口之间设置出液通道,所述出液通道上设置一挡板,并形成一蓄液池。其通过在供给装置的出液通道的内壁上设置一挡板,起到蓄液、蓄温的作用,从而获得一致性好的薄带。
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