公开(公告)号：CN111640734A

公开(公告)日：2020-09-08

申请号：CN202010501160.X

申请日：2020-06-04

Applicant: 厦门通富微电子有限公司

Inventor： 张文斌

IPC: H01L23/60 ,  H01L23/498

Abstract: 本申请公开了一种芯片封装体，该芯片封装体包括：基板、芯片和再布线层。其中，芯片位于基板一侧，且芯片的非功能面朝向基板，芯片的非功能面上设有第一凹槽，第一凹槽自芯片的非功能面延伸至芯片的功能面上的接地焊盘；再布线层位于基板和芯片之间，再布线层一面与从第一凹槽中露出的接地焊盘电连接，另一面与基板上的接地区域电连接。通过上述方式，本申请能够增大芯片上接地焊盘与基板上接地区域的接触面积，提高芯片的抗干扰和防静电场冲击性能，降低芯片被静电场击穿的风险。

公开(公告)号：CN111554586B

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN202010537933.X

申请日：2020-06-12

Applicant: 厦门通富微电子有限公司

Inventor： 张文斌

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/367 ,  H01L23/467

Abstract: 本申请公开了一种芯片封装体的制备方法，该芯片封装体的制备方法包括提供芯片/晶圆，芯片/晶圆具有主动面和与主动面相对的背面，芯片/晶圆的主动面上设置有连接件，连接件用于与键合基板键合；将芯片/晶圆与临时基板键合；在芯片/晶圆的背面上形成散热槽。通过上述方式，本申请能够提高芯片的散热效率。

公开(公告)号：CN112670185A

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN202011528287.7

申请日：2020-12-22

Applicant: 厦门通富微电子有限公司

Inventor： 张文斌

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/498

Abstract: 本发明提供一种芯片的封装结构及其制备方法，方法包括：提供承载片；在所述承载片沿其厚度方向的第一表面形成金属盲孔；在所述承载片的所述第一表面形成第一钝化层，图形化所述第一钝化层以形成过孔；在所述图形化后的第一钝化层上形成金属凸块，所述金属凸块通过所述过孔与所述金属盲孔电连接，以制备得到封装结构。本发明通过在承载片上设计出金属盲孔、第一钝化层和金属凸块，金属凸块通过设置在第一钝化层上的过孔与金属盲孔电连接，可以使金属盲孔的厚度超过20μm，金属盲孔的厚度范围可以达到30μm～100μm，降低了对钝化层厚度的要求，使较薄的钝化层即可完全覆盖金属盲孔，从而防止因金属盲孔与上层金属发生短接而导致器件失效。

公开(公告)号：CN112652542A

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN202011528251.9

申请日：2020-12-22

Applicant: 厦门通富微电子有限公司

Inventor： 张文斌

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/498

Abstract: 本发明提供一种三维堆叠的扇出型芯片封装方法及封装结构，方法包括：提供承载片，所述承载片包括沿其厚度方向相对设置的第一表面和第二表面；在所述承载片的第一表面形成金属通孔，并在所述金属通孔上形成第一焊球；将第一芯片倒装在所述第一焊球上；在所述承载片的第二表面形成第一金属布线，所述第一金属布线与所述金属通孔电连接；在所述第一金属布线上形成第二焊球，将第二芯片倒装在所述第二焊球上，以完成三维堆叠的扇出型芯片封装。本发明通过这样的方式实现了芯片的三维堆叠，取消了引线结构，减小了芯片尺寸，提高了整体封装结构的利用率。

公开(公告)号：CN111554586A

公开(公告)日：2020-08-18

申请号：CN202010537933.X

申请日：2020-06-12

Applicant: 厦门通富微电子有限公司

Inventor： 张文斌

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/367 ,  H01L23/467

Abstract: 本申请公开了一种芯片封装体的制备方法，该芯片封装体的制备方法包括提供芯片/晶圆，芯片/晶圆具有主动面和与主动面相对的背面，芯片/晶圆的主动面上设置有连接件，连接件用于与键合基板键合；将芯片/晶圆与临时基板键合；在芯片/晶圆的背面上形成散热槽。通过上述方式，本申请能够提高芯片的散热效率。