公开(公告)号：CN115799988A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202211661483.0

申请日：2022-12-22

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张保平 ,  徐欢 ,  李青璇 ,  许荣彬 ,  梅洋 ,  应磊莹 ,  郑志威

IPC: H01S5/183

Abstract: 本发明公开了一种基于氮化物半导体的垂直腔面发射激光器的制备方法，包括：选用一外延层，该外延层从下到上依次包括衬底、N型氮化物、有源区和P型氮化物；在P型氮化物上表面中部的电流注入孔位置生长金属掩膜层；通过高能粒子均匀地辐照P型氮化物的上表面，使辐照区形成电流限制层；去除金属掩膜层，并在电流注入孔上表面依次生长透明导电层和第一分布布拉格反射镜；在透明导电层和第一分布布拉格反射镜的外表面及电流限制层的上表面生长第一电极，并翻转后转移到支撑基板上；去除衬底，将N型氮化物进行减薄抛光，并在N型氮化物的上表面中部生长第二分布布拉格反射镜，其上表面两侧生长第二电极。本发明工艺简单，散热性好。

公开(公告)号：CN108521075B

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201810315250.2

申请日：2018-04-10

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张保平 ,  许荣彬 ,  梅洋 ,  徐欢 ,  应磊莹 ,  郑志威

IPC: H01S5/343

Abstract: 一种基于蓝光InGaN量子阱的绿光发射激光器，涉及绿光发射激光器。从下至上包括铜衬底、下分布布拉格反射镜、p型Cr/Au电极、ITO透明导电层、SiO2电流限制层、GaN基外延层、n型Cr/Au电极和上分布布拉格反射镜；所述GaN基外延层包括P型GaN、N型GaN和蓝光InGaN/GaN量子阱；所述上分布布拉格反射镜和下分布布拉格反射镜高反带需覆盖整个增益谱范围，反射率达到99％及以上，材料组合采用TiO2/SiO2、Ta2O5/SiO2或Ti3O5/SiO2。所述蓝光InGaN/GaN量子阱中，势阱InXGa1‑XN层InN含量x在0.16～0.22之间，势垒为GaN层。

公开(公告)号：CN108923255A

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：CN201810909141.3

申请日：2018-08-10

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张保平 ,  任伯聪 ,  陈衍晖 ,  应磊莹 ,  郑志威

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/187 ,  C23C16/40 ,  C23C14/08

CPC classification number: H01S5/18308 ,  C23C14/081 ,  C23C16/403 ,  H01S5/187

Abstract: 一种氮化物半导体垂直腔面发射激光器，涉及半导体激光器。采用垂直内腔接触结构，从下到上依次设有支撑基板、下分布布拉格反射镜、下电极、透明电流扩展层、电流限制层、外延层、上电极和上分布布拉格反射镜；所述电流限制层使用氧化铝材料，氧化铝材料的分子式为Al2O3。外延层为氮化镓、氮化铟、氮化铝等组成的混合物外延层。上电极和下电极采用Ni/Au、Cr/Au或Ti/Au。氧化铝Al2O3的制备方法为物理镀膜或化学镀膜。制作方法多样简单，改善了原有电流限制层在垂直结构上对热传导的阻碍效果，降低了热效应对激光器的不良影响，增强散热性，提高器件的稳定性并延长其寿命。

公开(公告)号：CN107863688A

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201711072492.5

申请日：2017-11-03

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张保平 ,  梅洋 ,  许荣彬 ,  翁国恩 ,  应磊莹 ,  郑志威

IPC: H01S5/187 ,  H01S5/34 ,  H01S5/065

CPC classification number: H01S5/187 ,  H01S5/065 ,  H01S5/3412

Abstract: 一种发光波长可调谐的GaN基垂直腔面发射光源，涉及发射光源。设有外延层，所述外延层从下至上依次为：衬底、下介质膜分布布拉格反射镜、ITO电流扩展层、p型Cr/Au电极、SiO2电流限制层、p型GaN、量子点有源层、n型GaN、n型Cr/Au电极和上介质膜分布布拉格反射镜。使用具有不同尺寸量子点作为有源区，得到了可调谐的增益特性，结合谐振腔效应，得到了发光波长在强耦合模式之间可调谐的输出特性。发光波长调谐范围从黄绿光到紫光，实现了大范围调谐。相比于以往制作可调谐发光器件的方法，不需要复杂的材料生长以及期间制作工艺，大大简化了工艺过程以及器件制作难度，并且提高了发光波长的调谐范围。

公开(公告)号：CN111370437A

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN202010321109.0

申请日：2020-04-22

Applicant: 厦门大学

Inventor： 郑志威 ,  尚宗伟 ,  马俊 ,  刘伟东

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明公开了一种基于金属氧化物薄膜晶体管的集成探测基板，包括：衬底、光电探测阵列和设置于同一衬底上的显示驱动阵列和TFT信号读写及处理电路阵列；所述显示驱动阵列和TFT信号读写及处理电路阵列的结构单元由N沟道和/或P沟道的第一TFT结构单元组成；所述光电探测阵列，包括成阵列分布的光电探测单元，所述光电探测单元由P沟道的第二TFT结构单元组成，形成于TFT信号读写及处理电路阵列上，并通过互连金属和信号读取单元连接，第二结构单元没有第一结构单元中的钝化层。本发明将蓝光探测、显示驱动、TFT读写电路和TFT信号处理电路等多种应用高度集成，基于同种材料、同种器件结构，将极大简化工艺步骤，降低制造成本。

公开(公告)号：CN219018128U

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202223453199.2

申请日：2022-12-22

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张保平 ,  徐欢 ,  李青璇 ,  许荣彬 ,  应磊莹 ,  郑志威

IPC: H01S5/30 ,  H01S5/183

Abstract: 本实用新型公开了一种基于氮化物半导体的垂直腔面发射激光器，包括：支撑基板、第一电极、第一分布布拉格反射镜、透明导电层、外延层、第二分布布拉格反射镜和第二电极，外延层包括P型氮化物、有源区和N型氮化物；第二分布布拉格反射镜设置于N型氮化物的上表面中部，第二电极设置于N型氮化物的上表面两侧；P型氮化物的下方两侧设置有辐照区，由高能粒子辐照形成电流限制层，中部设置有非辐照区，透明导电层设置于非辐照区下表面，第一分布布拉格反射镜设于透明导电层下表面，第一电极包覆于第一分布布拉格反射镜和透明导电层的外表面及电流限制层的下表面，支撑基板设于第一电极下表面。本实用新型工艺简单，散热性好。