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公开(公告)号：CN115322226B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202210989763.8
申请日：2022-08-17
Applicant: 厦门大学
IPC: C07F9/80 , A61K31/555 , A61P35/00
Abstract: 本发明公开了一种共价靶向砷抑制剂及其制备方法和应用，其结构式为本发明设计的共价靶向砷抑制剂具有靶向基团和三价砷(AsIII)反应基团，靶向基团为(R)‑3‑(4‑苯氧基苯基)‑1‑(哌啶‑3‑基)‑1H‑吡唑并[3，4‑d]嘧啶‑4‑胺基团(Targeting group)，能够高度特异性地靶向布鲁顿酪氨酸激酶(BTK)，三价砷(AsIII)反应基团可以高亲和力的共价结合BTK半胱氨酸残基(Cys481)，有效抑制BTK介导的B细胞受体(BCR)信号通路，导致Ramos细胞死亡，并具有较好的在体抗肿瘤增殖活性。
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公开(公告)号：CN109742184B
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN201811511371.0
申请日：2018-12-11
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供一种半导体包裹金属纳米线的制备方法，涉及一维核壳结构纳米材料。以水热法合成质量高的纯金属纳米线，将半导体(如AlN、InN、GaN、ZnO等)材料直接包裹于金属纳米线表面，形成核壳结构，从而在一维的单根纳米线上实现了金属‑半导体接触。这种新型的核壳纳米材料结合了半导体与导体的特性，可以用于制作功能性异质结构的半导体器件，实现纳米线网络上的纳米器件，在光电信息领域可以得到广泛的应用。
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公开(公告)号：CN112063380B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202010889666.2
申请日：2020-08-28
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明涉及核壳结构纳米材料领域，特别涉及一种有机发光材料包裹金属纳米线的复合材料及其制备方法，所述复合材料为核壳结构纳米线，以金属纳米线为内核，在金属纳米线表面包裹有机发光材料形成核壳机构。先以水热法合成纯金属纳米线，再将有机发光材料包裹到金属纳米线表面，形成核壳结构，从而在一维的单根金属纳米线上实现金属‑有机发光材料复合的核壳结构。这种新型的核壳结构的纳米材料将有机发光材料和金属整合在一起，可用于制作纳米级别的发光器件，进而实现纳米级别的类似OLED结构的发光器件，将给光电信息领域带来前所未有的新应用；不仅克服了成本高的问题，还满足发光器件具有柔性的特性要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112063380A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010889666.2
申请日：2020-08-28
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明涉及核壳结构纳米材料领域，特别涉及一种有机发光材料包裹金属纳米线的复合材料及其制备方法，所述复合材料为核壳结构纳米线，以金属纳米线为内核，在金属纳米线表面包裹有机发光材料形成核壳机构。先以水热法合成纯金属纳米线，再将有机发光材料包裹到金属纳米线表面，形成核壳结构，从而在一维的单根金属纳米线上实现金属‑有机发光材料复合的核壳结构。这种新型的核壳结构的纳米材料将有机发光材料和金属整合在一起，可用于制作纳米级别的发光器件，进而实现纳米级别的类似OLED结构的发光器件，将给光电信息领域带来前所未有的新应用；不仅克服了成本高的问题，还满足发光器件具有柔性的特性要求。
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公开(公告)号：CN104821432A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201510249503.7
申请日：2015-05-15
Applicant: 厦门大学
Abstract: 互补开口环与环型缝隙立体腔阵列调控北斗双频微带天线，涉及一种微带天线。设有上下介质基板，上下介质基板的上表面均敷有良导体层，下介质基板下表面叠放有良导体接地层；上介质基板上表面设有开槽和切角的正方形贴片，下介质基板上表面设有开槽、切角和过孔的正方形贴片，所述切角是在相对于上层正方形贴片切角的另外一组对角，且采用内切三角形控频结构；过孔在正方形贴片的中间；下介质基板下表面叠加有一层正方形良导体层作为接地板，且采用两个同轴结构实现高隔离度的双频馈电。具有高度集成化、结构简单、双频工作、带宽大、辐射特征好、受环境因素影响小、成本低、易集成等优点，可达到北斗卫星与GPS导航等卫星通信系统对天线的要求。
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公开(公告)号：CN103904388B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201410152972.2
申请日：2014-04-16
Applicant: 厦门大学
IPC: H01P1/20
Abstract: 单元间强耦合超宽可调范围有源频率选择表面，涉及频率选择表面。提供通过直接给变容二极管加载偏置电压，改变变容二极管电容值，同时利用单元间的强耦合实现整个结构谐振频率超宽范围内移动的单元间强耦合超宽可调范围有源频率选择表面。设有介质板、金属层、变容二极管和电感；金属层、变容二极管和电感设在介质板正面，金属层为竖直条状金属层，在竖直条状金属层水平方向上加载两根长短不等的水平条状金属层，竖直条状金属层与两根长短不等的水平条状金属层二者间距为两根长短不等的水平条状金属层中长条状金属层的一半；两根长短不等的水平条状金属层用变容二极管连接，竖直条状金属层由电感连接，竖直条状金属层与水平条状金属层无缝隙连接。
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公开(公告)号：CN103427160B
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201310373375.8
申请日：2013-08-23
Applicant: 厦门大学
Abstract: 耳状调谐环叠层耦合北斗双频微带天线，涉及一种微带天线。设有上层介质基板和下层介质基板，上层介质基板和下层介质基板叠加，上层介质基板上表面和下层介质基板上下表面均敷有良导体；在上层介质基板上表面雕刻有一组对角内切圆弧的上正方形贴片，在下层介质基板上表面雕刻有小孔和开槽的下正方形贴片，所述下正方形贴片上设有耳状调谐环，所述耳状调谐环由两个分别位于一组对角的圆环组成，圆环的中心与下正方形贴片的顶点重合，在下正方形贴片上设有圆孔；在下正方形贴片的一组对边上设有矩形凹陷；所述下层介质基板背面涂敷雕刻有采用光子带隙结构的良导体并作为接地板，其中采用光子带隙结构设有9个矩形小孔。
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公开(公告)号：CN101284134A
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200810071151.0
申请日：2008-05-29
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种用于基因递送的载体及其制备方法和应用，涉及一种基因递送载体，通过两步溶胶－凝胶反应制备明胶－硅氧烷纳米杂化材料。将明胶和3－(2，3－环氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷在酸性条件进行化合、水解反应；将该溶胶的pH值调节至弱碱性，使硅烷发生聚合反应，即可得明胶－硅氧烷纳米颗粒。所制备的明胶－硅氧烷纳米杂化材料生物相容性好，无毒副作用，稳定性高；将其与外源基因结合可实现对DNA的运输和表达，转导效率高，无免疫原性、无细胞毒性，且可转移的外源基因的大小范围可以从几十bp到几千kb，克服了病毒载体插入外源基因的大小限制。可有效地携带外源基因进入宿主细胞，并能使外源基因进行高效的转染和表达。
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