公开(公告)号：CN118431333A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202410490284.0

申请日：2024-04-23

Applicant: 昆山厦大创新中心 ,  厦门大学

Inventor： 李煦 ,  吴雅苹 ,  吴志明 ,  李书平 ,  康俊勇

IPC: H01L31/113 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H03K19/14 ,  H03K19/20

Abstract: 本发明公开了一种互补型自旋能谷光电晶体管，包括半导体沟道层、源电极、漏电极和自旋极化材料层；源电极和漏电极设于半导体沟道层上，自旋极化材料层位于半导体沟道层上方或下方并构成异质结；自旋极化材料层包括磁性半导体或磁性绝缘体；源漏电极和自旋极化材料层可通过外加磁场调控磁化方向而使自旋能谷光电晶体管呈现出互补特性。本发明引入自旋极化材料提升了半导体通道的自旋输运选择性，进而提升器件的自旋极化率。在此基础上，构建出光电三态门和光电逻辑电路，可用于光电隔离控制等场景。

公开(公告)号：CN119892353A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202510016145.9

申请日：2025-01-06

Applicant: 厦门大学

Inventor： 吴雅苹 ,  任思豪 ,  周江鹏 ,  危永平 ,  李煦 ,  吴志明

IPC: H04L9/08 ,  G02B5/30

Abstract: 本发明公开了一种基于自旋LED芯片的量子密钥分发系统，包括：发送端，利用自旋LED芯片发送不同偏振态的偏振光；接收端，利用检测基光路对发送端发送的偏振光进行相位调制，利用检测电路对调制后的光信号进行检测，根据检测结果确认本次通信是否产生密钥；是则根据事先约定的规则将相位变化所对应的测量基转换为0或1；通过输出端输出生成的一串01序列作为密钥。本发明使用自旋LED集成芯片产生可控偏振光信号，通过自旋调控产生特定偏振态的光信号，并利用光电探测器将相位调制后的偏振光信号转换为电信号，可在高速、高带宽的光通信系统中实现更稳定、更安全的信号传输；也为未来的光计算和量子信息处理提供了可能性。

公开(公告)号：CN119063832A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202411559845.4

申请日：2024-11-04

Applicant: 厦门大学

Inventor： 郑晅丽 ,  曾黄培 ,  吴志明 ,  王易衡 ,  郭辉 ,  兰景琪 ,  李煦 ,  孔丽晶

IPC: G01H9/00

Abstract: 本发明涉及一种基于多芯光纤的二维微弱振动探测仪及实时分析方法，属于微弱振动测量技术领域，通过一束激光出射后，经过连接振动源的凹面反射镜反射，反射光分光后分别在单芯光纤与四芯光纤端面进行耦合。当振动源带动反射镜振动时，反射光斑将发生偏移，从而改变光与光纤的耦合效率。光纤出射端则连接探测器，探测到出射光功率大小及分布后，通过数据采集卡导入电脑端进行自动化的采集与数据处理。本实验以光斑‑单芯光纤最大耦合位置作为基准矫正测量零点，设计光路通过反射镜引起光斑移动，再通过出射光光功率与反射镜位移之间的映射关系进行静态定标，从而获得耦合效率与反射镜位置的定量关系，由此实现动态振动的位移、频率的实时测量。

公开(公告)号：CN118302029A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202410407077.4

申请日：2024-04-07

Applicant: 昆山厦大创新中心 ,  厦门大学

Inventor： 吴志明 ,  高扬钧 ,  许飞雅 ,  李煦 ,  吴雅苹 ,  李书平

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/85 ,  H10N50/01 ,  H10B61/00 ,  H10N50/80

Abstract: 本发明公开了一种SOT器件及其制备方法，SOT器件包括SOT耦合层以及设置在SOT耦合层上方的磁隧道结；磁隧道结包括铁磁自由层、势垒层与铁磁固定层由下至上依次层叠形成；SOT耦合层用于产生使磁隧道结内磁化翻转的自旋轨道矩，包括III族氮化物衬底与二维Janus过渡金属硫族化合物，利用III族氮化物原位多物理场调控Janus TMDC材料的Rashba效应；SOT耦合层中二维Janus过渡金属硫族化合物与磁隧道结的铁磁自由层相接触。本发明相比于传统器件提升了SOT效率，大幅降低器件阈值电流密度。

公开(公告)号：CN116314497A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310116610.7

申请日：2023-02-15

Applicant: 厦门大学

Inventor： 吴志明 ,  胡玮琳 ,  许飞雅 ,  吴雅苹 ,  李煦 ,  康俊勇

IPC: H01L33/04 ,  H01L33/12 ,  H01L33/14 ,  H01L33/00 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明公开了一种GaN基自旋发光器件及其制备方法，该器件包括由上至下层叠设置的金属基板、GaN基量子发光结构、绝缘隧穿层、铁磁金属层和金属保护层，GaN基量子发光结构包括沿金属基板表面依次层叠设置的电子阻挡层、空穴传输层、辐射复合层和电子传输层；绝缘隧穿层和铁磁金属层之间或GaN基量子发光结构和绝缘隧穿层之间设有1～3层的石墨烯构成的二维材料插入层。通过在绝缘隧穿层上方或下方插入少层的石墨烯，避免铁磁金属电极通过绝缘层孔洞直接与半导体接触而导致的阻抗失配，有利于自旋流的高效隧穿，还能对自旋流起到电流拓展作用，从而提升自旋流的注入效率；通过改变二维材料插入层的插入位置可调控注入电流的极化方向，调控自旋发光特性。

公开(公告)号：CN112635657A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN202011593539.4

申请日：2020-12-29

Applicant: 厦门大学

Inventor： 李煦 ,  吴雅苹 ,  吴志明 ,  康俊勇

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/02 ,  H01L43/12 ,  H02J50/20 ,  H02M7/00 ,  H02M7/06

Abstract: 一种无线能量采集系统、自旋二极管及其制备方法,包括依次相连的微波天线、阻抗匹配电路、微波整流器和储能单元；该微波整流器采用基于纳米磁性隧道结的自旋二极管。本发明的系统，采用自旋二极管，具有高工作带宽、宽动态范围的特性，且在低输入功率下具有较高的转换效率。

公开(公告)号：CN118076215A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202410220448.8

申请日：2024-02-28

Applicant: 昆山厦大创新中心 ,  厦门大学

Inventor： 吴雅苹 ,  程安琪 ,  吴志明 ,  李煦 ,  李书平 ,  康俊勇

IPC: H10N70/00

Abstract: 本发明公开了一种横向忆阻器的极性调控方法，该横向忆阻器由从下至上依次设置的衬底、阻变功能层、两端金属电极构成，所述阻变功能层材料为半导体二维材料。本发明的极性调控方法为控制等离子体对阻变功能层材料的处理程度，通过增强处理程度使器件的性能转变或稳定为单极性，并且降低开启电压和延长循环寿命。本发明可有效提升该类忆阻器的性能，拓宽该类忆阻器的应用场景，促进基于二维材料的忆阻器在大规模神经网络运算电路中的应用。