公开(公告)号：CN1749446A

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN200510096980.0

申请日：2005-08-30

Applicant: 厦门大学

Inventor： 谢兆雄 ,  周樨 ,  江智渊 ,  匡勤 ,  谢素原 ,  林志为 ,  黄荣彬 ,  郑兰荪

IPC: C30B7/00 ,  C30B29/16 ,  C01G9/02

CPC classification number: C30B7/00

Abstract: 一种纳米氧化锌晶面可控生长的方法，涉及一种通过离子液体实现纳米氧化锌晶面可控生长的方法。提供一种在离子液体中分解锌的含氧酸盐的方法，用于实现氧化锌纳米晶体的晶面可控性生长。其步骤为将乙二胺或三辛胺或30％甲胺水溶液和油酸混合，加入锌的含氧酸盐，在270～400℃下恒温20～240min后冷却，取下层淡黄色沉淀用正己烷和乙醇清洗即得。将离子液体引入到分解锌的含氧酸盐的反应中，利用离子液体中的正负离子与氧化锌的极性面之间的静电作用来改变极性面的表面能，从而控制氧化锌纳米晶体的晶面生长。具有产物表面结构可控，产物形态新颖；装置简单，可操作性强，制备过程条件温和，反应过程清洁无污染；反应效率高等优点。

公开(公告)号：CN1546723A

公开(公告)日：2004-11-17

申请号：CN200310121907.5

申请日：2003-12-06

Applicant: 厦门大学

Inventor： 林水潮 ,  谢素原 ,  江智渊 ,  张先华 ,  匡勤 ,  马志杰 ,  黄荣彬 ,  郑兰荪

IPC: C23C16/24

Abstract: 涉及一种集硅片加热沉积于一体的化学气相沉积方法。其步骤为：将硅片置于电极上，抽真空，启动硅片微区加热控制器电源，直接以硅片为加热装置，设定硅片温度，通入或加入反应物，反应物在硅片表面反应，生成产物；以硅片作为基底，使反应产物在硅片表面沉积。采用可程控硅片加热控制装置，克服了硅片作为加热器负载的缺点，采用硅片直接发热方式，不仅可操作温度范围宽(常温～1200℃)、温度控制灵活、温度变化迅速(大于200℃/S)，温度控制准确(温度波动小于5℃)，增强了可重复性。而且由于硅片体积小，不仅节约能源与实验空间，还可以在同一体系内放置多硅片并独立控制其各自温度，这就大大拓宽了CVD方法的灵活性。

公开(公告)号：CN113176329B

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202110443196.1

申请日：2021-04-23

Applicant: 厦门大学

Inventor： 林志为 ,  邱祖凤 ,  匡勤 ,  谢兆雄

IPC: G01N27/64

Abstract: 四氧化三钴作为基质在MALDI‑TOF MS检测小分子中的应用，涉及纳米材料合成及质谱检测领域。所述纳米四氧化三钴颗粒制备方法简单可控，形貌规整、尺寸均匀、成本低廉、水溶性好，作为MALDI‑TOFMS基质可避免使用传统有机基质检测小分子化合物的基质干扰问题，也使得碳基材料作为激光解吸离子化辅助基质时质谱检测的可操作性强、重复性好，实现MALDI‑TOFMS对小分子化合物的高通量、高灵敏分析。所述四氧化三钴作为基质在MALDI‑TOF MS检测小分子中的应用。可快速、高效地实现氨基酸、脂类化合物、多肽、寡糖、糖类、核苷、激素、药物等各种分子量小于1000Dalton化合物的高灵敏高通量分析。

公开(公告)号：CN113176329A

公开(公告)日：2021-07-27

申请号：CN202110443196.1

申请日：2021-04-23

Applicant: 厦门大学

Inventor： 林志为 ,  邱祖凤 ,  匡勤 ,  谢兆雄

IPC: G01N27/64

Abstract: 四氧化三钴作为基质在MALDI‑TOF MS检测小分子中的应用，涉及纳米材料合成及质谱检测领域。所述纳米四氧化三钴颗粒制备方法简单可控，形貌规整、尺寸均匀、成本低廉、水溶性好，作为MALDI‑TOFMS基质可避免使用传统有机基质检测小分子化合物的基质干扰问题，也使得碳基材料作为激光解吸离子化辅助基质时质谱检测的可操作性强、重复性好，实现MALDI‑TOFMS对小分子化合物的高通量、高灵敏分析。所述四氧化三钴作为基质在MALDI‑TOF MS检测小分子中的应用。可快速、高效地实现氨基酸、脂类化合物、多肽、寡糖、糖类、核苷、激素、药物等各种分子量小于1000Dalton化合物的高灵敏高通量分析。

公开(公告)号：CN100344542C

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：CN200510129963.2

申请日：2005-12-16

Applicant: 厦门大学

Inventor： 徐韬 ,  江智渊 ,  周樨 ,  匡勤 ,  谢兆雄 ,  郑兰荪

IPC: C01G9/02

Abstract: 一种抑制氧化锌纳米线c轴生长的方法，涉及一种氧化锌纳米材料，尤其是涉及一种通过高温熔盐体系实现抑制氧化锌纳米线c轴生长的方法。提供一种抑制氧化锌纳米线的c轴生长的方法。步骤为将锌的含氧酸盐与氯化锂混合，按质量比锌的含氧酸盐∶氯化锂1∶8～200；对混合后的原料升温至100～300℃，恒温1～5h，除去原料中的结晶水后升温至含氧酸盐的分解温度以上，恒温1～5h进行分解，然后自然冷却；将冷却后的产物用水洗涤至洗净可溶物，沉淀物为目标产物。操作简便，条件易于控制，步骤少，装置简单，产率高，且相对于气相沉积1000℃以上的高温来说，能耗和大规模生产成本低；产物具有与其它氧化锌纳米材料不同的荧光发射谱。

公开(公告)号：CN1331758C

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200510129960.9

申请日：2005-12-16

Applicant: 厦门大学

Inventor： 匡勤 ,  周樨 ,  徐韬 ,  林水潮 ,  江智渊 ,  谢兆雄 ,  谢素原 ,  黄荣彬 ,  郑兰荪

IPC: C01G19/02

Abstract: 氧化锡空心纳米材料的制备方法，涉及一种纳米材料的制备，尤其是涉及一种以氧化锌为牺牲模板制备氧化锡空心纳米材料的方法。提供一种制备各种形态的SnO2空心纳米材料的通用方法。步骤为制备ZnO纳米材料，制备SnH4前驱体，产生的气体SnH4通过N2携带进入一个气囊中备用，生长SnO2外壳，即在硅片衬底上生长得到具有核-壳结构的ZnO/SnO2复合材料，最后除去ZnO内核，即得到保持ZnO初始外形的SnO2空心纳米材料。优点是ZnO纳米材料具有极其丰富的形态，SnO2空心材料外壁的结晶度良好，SnO2空心材料外壁的厚度可控。

公开(公告)号：CN1789138A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200510129963.2

申请日：2005-12-16

Applicant: 厦门大学

Inventor： 徐韬 ,  江智渊 ,  周樨 ,  匡勤 ,  谢兆雄 ,  郑兰荪

IPC: C01G9/02

Abstract: 一种抑制氧化锌纳米线c轴生长的方法，涉及一种氧化锌纳米材料，尤其是涉及一种通过高温熔盐体系实现抑制氧化锌纳米线c轴生长的方法。提供一种抑制氧化锌纳米线的c轴生长的方法。步骤为将锌的含氧酸盐与氯化锂混合，按质量比锌的含氧酸盐∶氯化锂1∶8～200；对混合后的原料升温至100～300℃，恒温1～5h，除去原料中的结晶水后升温至含氧酸盐的分解温度以上，恒温1～5h进行分解，然后自然冷却；将冷却后的产物用水洗涤至洗净可溶物，沉淀物为目标产物。操作简便，条件易于控制，步骤少，装置简单，产率高，且相对于气相沉积1000℃以上的高温来说，能耗和大规模生产成本低；产物具有与其它氧化锌纳米材料不同的荧光发射谱。