公开(公告)号：CN109524519B

公开(公告)日：2020-12-25

申请号：CN201811546510.3

申请日：2018-12-18

Applicant: 南通大学

Inventor： 李毅 ,  朱友华 ,  刘轩 ,  王美玉

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明氮化物量子阱结构发光二极管，由下至上依次包括：N型氮化物半导体、量子阱和P型氮化物半导体，量子阱为多量子阱结构，由垒层与阱层交叠构成，阱层由下至上包含有AlxGa1‑xN层和InyAl1‑yN层，其中，0.9≥x≥0.4，0.35≥y≥0.04。本发明通过设计一种type‑II型能带排列的量子阱结构，提高TE偏振的发光强度，从而提高沿c轴生长的深紫外LED的光抽取效率。

公开(公告)号：CN104346839B

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201410589114.4

申请日：2014-12-02

Applicant: 南通大学

Inventor： 许鹏 ,  蔡燕 ,  方红健 ,  沈晓燕 ,  王美玉 ,  许林祥 ,  张彪 ,  杨赛程 ,  苏涛 ,  杨永杰

IPC: G07C1/10 ,  G06Q10/06

Abstract: 本发明涉及一种基于局域网的员工电子考勤系统，尤其可用于对三班制员工的考勤。系统包括与局域网相连的多个考勤终端和一个服务器。考勤终端不仅包括微处理器、考勤采集模块、局域网通信模块和显示模块，还包括系统时钟模块。服务器不仅运行有数据库系统，还运行有数据接口模块，该模块一端以TCP方式通过局域网与所述考勤终端进行数据交互，另一端使用数据库组件访问数据库系统。本发明将传统的从考勤终端向服务器单向数据传送模式转变成考勤终端与服务器双向数据交互模式；对系统部件的功能进行了调整，将考勤处理流程从服务器端移植到考勤终端，并采用了结合考勤历史数据的考勤自动处理方法，达到了提高考勤系统实时性和智能性的目的。

公开(公告)号：CN119170726A

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202411042087.9

申请日：2024-07-31

Applicant: 南通大学

Inventor： 朱友华 ,  张爱奎 ,  王美玉 ,  李毅

IPC: H01L33/50 ,  F21K9/00 ,  H01L25/075 ,  F21Y115/10

Abstract: 本发明涉及LED健康照明领域，公开了一种LED混合产生类太阳白光的方法及LED灯组。包括：围绕黑体辐射线确定各个LED灯珠的色点，每个LED灯珠独立封装，包括特定峰值波长的LED芯片和各种荧光粉；在黑体辐射线上确定l个目标类太阳白光色点，计算得到l组光通量参数；根据预设目标从所述l组光通量参数选择一组光通量参数，用于控制所述m个LED灯珠形成混光，即类太阳白光。根据多种光源不同强度的组合，本发明解决了现有全光谱白光LED由单一波段激发荧光粉发射白光且色温单一改为多波段LED芯片混合调光，填补了光谱480nm左右波段的凹陷，显色指数更高且混合光谱更加连续，且可以实现沿黑体辐射线的类太阳光调光。

公开(公告)号：CN112951957B

公开(公告)日：2021-12-21

申请号：CN202110299287.2

申请日：2021-03-21

Applicant: 南通大学

Inventor： 李毅 ,  朱友华 ,  王美玉 ,  胡涛 ,  葛梅

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明公开了一种耦合量子阱结构深紫外AlGaN基发光二极管，至少包含：n型半导体层、由势垒层和耦合AlGaN阱层周期交叠构成的多量子阱结构、p型半导体层，其特征在于：所述耦合AlGaN阱层至少包括三层结构，从下到上依次为AlxGa1‑xN阱层、AlyGa1‑yN隔离层、和AlxGa1‑xN阱层。通过利用耦合阱层结构设计，增强c面LED的TE/TM模自发辐射复合率，提高LED器件的内量子效率，抑制氮化物LED器件的效率下降效应，从而改善深紫外氮化物发光二极管的光学性能。

公开(公告)号：CN109801844A

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201910108225.1

申请日：2019-02-03

Applicant: 南通大学

Inventor： 朱友华 ,  秦佳明 ,  刘轩 ,  李毅 ,  王美玉

IPC: H01L21/3213

Abstract: 本发明涉及一种金属刻槽方法，包括以下步骤：S1、使用光刻胶作为掩膜，利用刻蚀气体在金属表面刻蚀，形成槽；S2、利用氧化气体对槽壁和槽底的金属进行氧化，形成金属氧化物；S3、利用刻蚀气体对槽底的金属氧化物进行刻蚀，去除所述槽底的金属氧化物，保留槽壁的金属氧化物；S4、重复步骤S2和S3，直到刻槽深度达到要求为止。本发明通过循环次数来控制刻蚀深度，利用电感耦合等离子刻蚀机（ICP）刻蚀材料时是各向异性的特点，侧壁的刻蚀作用低于Bias方向。因此在刻蚀时，底部的金属氧化物被受到较强的轰击作用，很容易被刻蚀掉，而对侧壁的金属氧化物刻蚀作用非常小。故，侧壁的金属氧化物得以保留，防止内部的金属被刻蚀，从而能够控制线宽。

公开(公告)号：CN109786241A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201910108427.6

申请日：2019-02-03

Applicant: 南通大学

Inventor： 朱友华 ,  秦佳明 ,  刘轩 ,  李毅 ,  王美玉

IPC: H01L21/3213

Abstract: 本发明涉及一种微损伤减缓铝蚀刻侧腐的方法，包括以下步骤：S1、使用光刻胶作为掩膜，利用刻蚀气体在金属表面刻蚀，形成槽；S2、利用氧化气体对槽壁和槽底的金属进行氧化，形成金属氧化物；S3、利用刻蚀气体对槽底的金属氧化物进行刻蚀，去除所述槽底的金属氧化物，保留槽壁的金属氧化物；S4、重复步骤S2和S3，直到刻槽深度达到要求为止。本发明通过循环次数来控制刻蚀深度，利用反应离子刻蚀机（RIE）刻蚀材料时是各向异性的特点，侧壁的刻蚀作用低于Bias方向。因此在刻蚀时，底部的金属氧化物被受到较强的轰击作用，很容易被刻蚀掉，而对侧壁的金属氧化物刻蚀作用非常小。故，侧壁的金属氧化物得以保留，防止内部的金属被刻蚀，从而能够控制线宽。