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公开(公告)号：CN116544302A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310351436.4
申请日：2023-04-04
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0312 , H01L31/101
Abstract: 本发明属于纳米功能材料领域，具体涉及一种基于准一维范德华材料ZrS3纳米带的可调偏振光电探测器的制备方法。本方法采用机械剥离法将ZrS3晶体剥离成纳米带并转移到SiO2/Si衬底上，再经过电子束曝光和真空蒸镀制备ZrS3光电探测器，通过改变光源波长和调节栅极电压实现可调偏振光电探测器。基于该方法制备的ZrS3光电探测器具有偏振可调，灵敏度高，响应快，性能稳定等特点。该方法操作简单，耗时短，可重复性高，利于高性能可调偏振光电探测器的生产和应用。
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公开(公告)号：CN116487264A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310405533.7
申请日：2023-04-17
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/24
Abstract: 本发明属于二维材料晶体管器件领域，公开了一种ZrS3/ZrO异质结顶栅场效应晶体管及其制备方法。本发明通过直接氧化法，结合电子束刻蚀和真空镀膜技术制得ZrS3/ZrO异质结顶栅场效应晶体管。该制备方法操作简单，成本低、耗时短，只通过一次样品转移即制备出了ZrS3/ZrO异质结且可实现大量异质结同时制备；与常规的异质结制备方法不同，本发明首次提出通过热氧化处理沟道材料表层以获得介电层，且无需考虑介电材料与沟道材料的晶格匹配和结合性问题，制得的ZrS3/ZrO异质结顶栅场效应晶体管。
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公开(公告)号：CN116479401A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310405528.6
申请日：2023-04-17
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明提出一种大面积二硒化钼薄膜的制备方法，该方法包括：先将衬底进行超声清洗，而后将衬底表面吹干；在称量纸上分别称取一定量相对应的(NH4)2MoO4、硒粉与KCl，并将称取的(NH4)2MoO4与KCl充分混合后放入干净的第一刚玉舟中，将称量的硒粉放置在第二刚玉舟中；将洗净的衬底倒扣在第一刚玉舟所放置的混合药品的正上方距离为10‑20mm处，将第一刚玉舟放置于多温区管式炉的下游温区中，另一装载硒粉的第二刚玉舟置于上游温区，随后通入氩氢混合气体，对多温区管式炉进行三次洗气，再开启多温区管式炉，在8×104Pa‑9×104Pa下持续通入氩氢混合气体进行硒化反应，得到二维二硒化钼薄膜。本发明得到的MoSe2薄膜能达到厘米级别，且均匀性好，可控性强，结晶性好等特点。
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公开(公告)号：CN214767406U
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202120012210.8
申请日：2021-01-05
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本实用新型公开了一种超声清洗装置用夹具，包括安装顶板与安装底板，所述安装顶板与安装底板之间通过衔接机构连接，且所述衔接机构均匀设置于安装底板顶面四角，所述安装顶板与安装底板的一侧四角分别均匀挖设有第一通口与第二通口，所述衔接机构两端分别设置于相对的两个所述第一通口与第二通口内，所述安装顶板与安装底板顶面分别均匀设置有第一长条口与第二长条口，所述衔接套筒分别设置于第一通口与第二通口的内壁，并为卡合连接，所述衔接套筒一侧顶面挖设有衔接口，所述衔接口内腔通过第一螺纹连接有支撑杆，所述支撑杆与第一螺纹连接处设置有第二螺纹，根据手机屏幕的高度调节，提高了适用范围。
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公开(公告)号：CN214767405U
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202120012208.0
申请日：2021-01-05
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本实用新型涉及一种超声清洗装置用可调节放置架，包括超声清洗机，所述超声清洗机内腔开设有清洗槽，所述清洗槽两侧对称转动设有丝杆，所述超声清洗机内腔顶部固定安装有步进电机，所述步进电机输出轴与丝杆传动连接，所述清洗槽内腔设有升降框，所述升降框两侧对称固定设有滑动螺母，所述滑动螺母与丝杆连接，所述升降框内腔滑动设有放置框，所述放置框内腔均匀固定设有隔板，方便工件摆放在放置框内，再将放置框放入升降框内，并让升降框向下移动进入清洗槽内，从而使得不同规格的工件都可以浸没在清洗槽中进行清洗，提高清洗效果和对不同工件清洗的适应性。
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