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公开(公告)号：CN102208434B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201110102863.6
申请日：2011-04-22
Applicant: 南开大学
IPC: H01L27/32
Abstract: 一种有源矩阵有机发光二极管显示基板，由像素单元集合而成，像素单元包括扫描线、数据线、公共电源供给线、阴极线、选址TFT、控制TFT、存储电容和像素OLED，公共电源供给线由网状公共电源供给线和环状公共电源供给线构成，两个相邻像素单元之间的公共电源供给线由公共电极交叉岛连接并形成网状结构，与环状公共电源供给线相接的像素单元的公共电源供给线通过接触孔与其连接。本发明的优点：在相同显示面积和亮度时，网状电极的电极总功率耗散为梳状电极的16.1％；在相同显示面积和亮度时，网状电极其电极最大直流电压降为梳状电极的27.3％，这对解决大面积AMOLED基板电极总功率耗散和电极直流电压降提供了有效的方法。
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公开(公告)号：CN100999388B
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200610130711.6
申请日：2006-12-30
Applicant: 南开大学
IPC: C03C17/22 , C04B41/51 , C23C16/24 , C23C16/56 , C23C14/14 , C23C14/58 , C30B29/06 , C30B28/00 , C08J7/06
Abstract: 一种通过表面修饰溶液法金属诱导晶化制备大晶粒多晶硅薄膜材料的方法。以非晶硅薄膜为初始材料，在非晶硅或其上的二氧化硅的表面旋涂、气熏或喷淋一层亲合剂进行表面修饰，再旋涂、气熏或喷淋一层含有能起诱导晶化作用的金属离子的溶液；然后在400℃-600℃下退火，即可获得晶粒尺寸在10微米量级上的大晶粒多晶硅薄膜。通过表面修饰，可增强非晶硅或自然氧化层和溶液的“亲和力”。通过调整溶液浓度、甩胶机转速、气熏时间或喷淋剂量、退火温度等，可以控制晶粒的大小。此方法可用于制备低温多晶硅薄膜晶体管、太阳电池、或半导体集成电路、或微机械系统(MEMS)中器件的有源层或多晶硅栅。
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公开(公告)号：CN100446180C
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200510015748.X
申请日：2005-10-28
Applicant: 南开大学
IPC: H01L21/20
Abstract: 本发明涉及一种溶液法金属诱导晶化大晶粒多晶硅薄膜材料及制备和应用。以非晶硅为初始材料，通过浸沾含有金属离子的溶液诱导产生大晶粒多晶硅。将盐或碱溶于酒精、水或其他溶液，从溶液中取出的非晶硅薄膜表面上会形成一层均匀的液膜。经甩干、自然风干、或在100℃烘箱中烘干，或置于盐可以快速结晶或分解为氧化物的温度加热后，再在400℃-600℃温度下退火；在加温退火过程中先形成晶化诱导点，以诱导点为中心辐射横向诱导晶化成晶粒尺寸在10-200微米量级的多晶硅。通过控制镍浓度、甩干速度、升温过程，可控制晶粒的大小。本发明可用于制备低温多晶硅薄膜晶体管、半导体集成电路或MEMs中的多晶硅栅等技术领域。
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公开(公告)号：CN100419959C
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200510015747.5
申请日：2005-10-28
Applicant: 南开大学
IPC: H01L21/20
Abstract: 本发明涉及浸沾法金属诱导碟形晶畴多晶硅薄膜材料及制备和应用。它是碟形晶畴多晶硅薄膜，由取向不同的扇形子晶畴组成，每个子晶畴中的晶体具有相同的结晶取向，晶畴中的晶体为连续晶界晶体，晶畴之间具有整齐的对撞晶界；晶畴的平均直径50～100微米；厚度30nm-500nm。采用有机碱进行PH值调节的低浓度镍盐溶液为浸沾溶液，非晶硅薄膜表面浸沾在该溶液中，控制无电电镀镍的量。水洗去掉多余的沉淀物。在氮气的保护下，550-590℃下退火。本发明具有良好的晶体结构和高迁移率，成本低廉，适合制备平板显示器基板和面阵传感器中的多晶硅TFT。适合于大面积衬底大批量生产高质量多晶硅薄膜，是具有重要产业应用价值的技术。
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公开(公告)号：CN100397661C
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200510014465.3
申请日：2005-07-12
Applicant: 南开大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及金属诱导单一方向横向晶化薄膜晶体管器件及其制备方法。采用催化金属镍在选择晶化区域的低温氧化硅覆盖层下覆盖的非晶硅薄膜上形成周边晶化的多晶硅岛，并选择多晶硅岛的适当位置形成金属诱导单一方向横向晶化薄膜晶体管的沟道。将各种金属诱导的多晶硅材料进行了优化使用，既可获得高性能的多晶硅TFT器件，明显的减少晶化的时间，有效的减低衬底收缩和衬底中金属离子扩散的影响，提高制备产率。该技术适合与制备低温多晶硅电路、低温多晶硅显示器有源选址基板，以及面阵图象传感器等多种微电子和光电子产品的制备，是具有重要产业应用价值技术。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1794424A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510015748.X
申请日：2005-10-28
Applicant: 南开大学
IPC: H01L21/20
Abstract: 本发明涉及一种溶液法金属诱导晶化大晶粒多晶硅薄膜材料及制备和应用。以非晶硅为初始材料，通过浸沾含有金属离子的溶液诱导产生大晶粒多晶硅。将盐或碱溶于酒精、水或其他溶液，从溶液中取出的非晶硅薄膜表面上会形成一层均匀的液膜。经甩干、自然风干、或在100℃烘箱中烘干，或置于盐可以快速结晶或分解为氧化物的温度加热后，再在400℃－600℃温度下退火；在加温退火过程中先形成晶化诱导点，以诱导点为中心辐射横向诱导晶化成晶粒尺寸在10－200微米量级的多晶硅。通过控制镍浓度、甩干速度、升温过程，可控制晶粒的大小。本发明可用于制备低温多晶硅薄膜晶体管、半导体集成电路或MEMs中的多晶硅栅等技术领域。
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公开(公告)号：CN101724901B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200910244845.4
申请日：2009-12-17
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种氢等离子体氛围中铝诱导晶化多晶硅薄膜的制备方法，将衬底上沉积包括非晶硅薄膜、二氧化硅薄膜和金属铝薄膜制得的多层薄膜，在450℃～550℃下氢等离子氛围中退火，较短时间即可获得完全晶化了的多晶硅薄膜。该发明不仅将传统的退火晶化工艺、氢等离子体晶化与钝化工艺合二为一，并且降低了铝诱导晶化的退火时间，减少了热预算，可以较显著地降低成本；本发明通过氢等离子体氛围铝诱导晶化制备的多晶硅薄膜材料，可用于制备多晶硅薄膜太阳电池、平板显示器件中的低温多晶硅薄膜晶体管等器件，具有工艺简化、热预算少、成本低等特点，是一种适用于大规模工业生产的多晶硅薄膜材料的晶化方法。
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公开(公告)号：CN101183509B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200710060376.1
申请日：2007-12-19
Applicant: 南开大学
IPC: G09G3/32
Abstract: 一种显示屏周边集成与控制电路共同完成的OLED列驱动模式，显示屏周边集成电路包括有：由3m个TFT开关自左向右构成n组，且每组含有3m/n个TFT，对外共引出n条控制线；有3m/n根对外数据线。控制电路有：依次相连的译码器、模拟多路选通器、电位选择器，为模拟二选一选择器，共三个，分别通过模拟多路选通器向三个子象素中输入电平信号。本发明通过上述部分的协调工作，使集成在数据线上的开关依次打开，模拟多路选通器依次将数据写入像素电容，从而完成逐点写入的过程。通过显示屏周边集成电路以及控制电路协调工作，将前级传输过来的数据写入OLED像素单元，从而取代了数据驱动芯片的功能，为分辨率不高的OLED显示屏提供了一种更为经济实用的驱动方式，节约了成本。
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公开(公告)号：CN101894744A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN201010197397.X
申请日：2010-06-11
Applicant: 南开大学
IPC: H01L21/20 , H01L21/268 , H01L21/312
Abstract: 一种采用背面保温层技术激光晶化多晶硅薄膜的方法，步骤如下：在玻璃衬底正面上沉积阻挡层；在阻挡层上沉积晶化前驱物；在上述玻璃衬底背面沉积非晶硅薄膜保温层；用激光器扫描玻璃衬底正面的晶化前驱物表面，晶化完成后形成多晶硅表面；在多晶硅表面旋涂一层光刻胶；通过湿法刻蚀的方法，用Freckle试剂去除衬底背面的非晶硅保温层；将样品浸入去胶剂去掉多晶硅表面的光刻胶即可。本发明的优点是：可有效提高激光晶化多晶硅的性能，且工艺简单、工艺窗口宽、易于实施，不会对形成的多晶硅造成任何影响；所制得的多晶硅薄膜可广泛应用于制备多晶硅薄膜晶体管、显示器光电子器件、面阵敏感器、平板显示基板等，具有重要的实用价值。
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公开(公告)号：CN101319355A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200810053244.0
申请日：2008-05-26
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开一种镍溶液雾滴法制备碟型大晶畴多晶硅的方法及产品和应用，方法包括如下步骤：在上面形成有一层阻挡层的衬底上，沉积形成一层非晶硅薄膜；在非晶硅薄膜上喷洒镍盐溶液微小雾滴；采用去离子水冲淋非晶硅薄膜的表面，使离散微量的镍粘敷在非晶硅薄膜的表面，其他的杂质被去离子水冲掉；在高纯氮气氛围中退火，使非晶硅薄膜以离散微量的镍为中心横向晶化为碟型大晶畴多晶硅。所述的碟型大晶畴多晶硅为从中心向四周晶化的晶体结构，晶畴的直径为20－100μm，具有的霍耳迁移率大于30cm2/Vs。本发明适用在大面积衬底上流水线操作制备多晶硅薄膜材料，成本低廉。其产品可用于制备多晶硅薄膜晶体管及电路，面阵敏感器，显示器象素电极和光电子器件及其全集成显示系统。
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