公开(公告)号：CN112259683A

公开(公告)日：2021-01-22

申请号：CN202010964464.X

申请日：2020-09-15

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 仪明东 ,  郭云 ,  李佳钰 ,  陈叶 ,  钱扬周

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/40

Abstract: 本发明公开了一种自组装双极性有机场效应晶体管存储器及其制备方法，存储器由上至下依次包括源漏电极、有机半导体层、栅绝缘层和衬底，有机半导体层和栅绝缘层之间设有电荷俘获层，电荷俘获层为十八烷基三氯硅烷与具有高介电常数的聚合物通过自组装而形成的纳米柱状薄膜；制备方法通过两种聚合物溶液组合自组装，构造出纳米柱的结构，从而实现电荷空穴载流子的传输以达到的双极性信息存储。同时，混合两种聚合物的自组装降低了制备超平滑OTS层的难度，对比于超平滑OTS薄膜晶体管存储器，混合自组装的晶体管存储器表现出明显的电荷稳定，在保证的各项晶体管性能参数的前提下，实现了较好的存储性能以及器件的维持性能。

公开(公告)号：CN110289350A

公开(公告)日：2019-09-27

申请号：CN201910490540.5

申请日：2019-06-06

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 解令海 ,  鞠若麟 ,  仪明东 ,  马可 ,  陈叶 ,  黄维

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种基于金属卟啉异质结忆阻器及其制备方法和应用，该忆阻器包括自下而上依次设置的底电极、异质结层、金属氧化物层和顶电极；所述异质结层包括两层金属卟啉层，用于调控忆阻器的电学性能，所述金属氧化物层用于提供忆阻器运行需要的离子和空位。本发明提供的金属卟啉异质结忆阻器制备工艺简单，性能稳定，适合柔性器件，可以大面积加工，性能指标多变可调并具有电压依赖的过滤特性；同时器件的产率、重复性和性能稳定都很高。

公开(公告)号：CN109146068A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201811011443.5

申请日：2018-08-31

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 仪明东 ,  刘露涛 ,  王来源 ,  马可 ,  陈叶 ,  张琪

IPC: G06N3/06

CPC classification number: G06N3/06

Abstract: 本发明公开了一种液体忆阻器及其制备方法和应用，该液体忆阻器由金属电极置入溶液中构成的器件，所述溶液是将卤化铅溶解在有机溶剂中形成的离子溶液，所述卤化铅在器件结构中提供离子源，铅离子随着有机溶剂的缓冲作用从而自由平稳地移动。本发明基于卤化铅的液体忆阻器可以灵活地调节离子溶液浓度，离子种类和电极位置，可以利用不同形式的电信号来模拟特定的突触功能，还可以调整液体装置的内部结构因素用于更高级的神经模拟功能。以柔性调节为特征的所述液体忆阻器为实现多功能突触可塑性开辟了一条新途径，将进一步拓展神经网络和人工智能领域的应用。