公开(公告)号：CN118145593A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202410566775.9

申请日：2024-05-09

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 高丽 ,  王玮奇 ,  王素梅 ,  赵慧娟 ,  李姝涵 ,  王羽凡 ,  马敬轩 ,  郭笑涵

IPC: B81C1/00 ,  G03F7/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 基于软纳米压印的TMDC材料图案化方法，根据TMDC二维材料的厚度调整SF6气体刻蚀时间，能够自由调控纳米图案深度，实现不同光学性能需求的适配；针对性的优化RIE电子束刻蚀工艺实现了大面积的样品制备，能够实现TMDC二维材料全面积图案化；极大优化了工艺过程，提升了科研生产效率，降低了工艺成本；在与光电器件集成时，本方法使用氧化硅片作为衬底时，需先使用RIE等离子刻蚀机通入O2 5s处理氧化硅片表面，增加其亲水性，使得SU8旋涂的更加均匀；本方法对不同厚度、种类的TMDC具有普适性。