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公开(公告)号:CN206628501U
公开(公告)日:2017-11-10
申请号:CN201621465921.6
申请日:2016-12-29
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本实用新型公开了一种钛菁铜忆阻器,属于有机电子和信息技术领域。该忆阻器包含第一电极、第二电极和介于两电极之间的阻变层,其中阻变层以钛菁铜作为活性层,还可以包括MoO3的缓冲层。本实用新型的忆阻器属于电荷捕获/释放型机制,对比电化学还原金属丝型机制忆阻器,具有明显的器件产率高、输出可重复性好、性能稳定以及抗饱和能力强等优势,还表现出有机忆阻器适合柔性、大面积以及工艺成本低等优势。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利