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公开(公告)号：CN110473904A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910481813.X
申请日：2019-06-04
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/24 , H01L29/739 , H01L29/861
Abstract: 本发明公开了一种垂直GeSe/MoS2p-n异质结构，由GeSe层、MoS2层、四个金属电极、SiO2/Si衬底组成；所述的MoS2层位于衬底上，GeSe层与MoS2层垂直异质，GeSe层与MoS2层两端分别与金属电极接触；所述的异质结构利用GeSe中的自然p型掺杂和MoS2中的n型掺杂，创建了所述的新GeSe/MoS2pn异质结，GeSe和MoS2之间的II型能带对准以及这两种材料中的互补自然掺杂可以使垂直隧穿场效应管p-n结突变和缩短屏蔽隧道长度，适用于低功耗应用；在室温下，GeSe/MoS2p-n异质结的IV曲线类似于典型的p-n二极管特性，正向偏压(>100nA)的电流呈指数增加，反向偏压(～1nA)的电流小，具有整流特性。
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公开(公告)号：CN110459608A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910481833.7
申请日：2019-06-04
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/267
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯-二硫化钼异质结构的垂直隧穿晶体管，由上至下依次包括第一石墨烯层、第二石墨烯层、位于第一石墨烯层与第二石墨烯层之间的二硫化钼层、位于第二层石墨烯层下方的六方氮化硼及衬底；本发明使用二硫化钼代替六方氮化硼作为隧道势垒，对垂直隧穿石墨烯场效应晶体管和垂直隧穿石墨烯纳米带场效应晶体管进行了模拟，可以获得较高的开关电流比，传输特性更强，且成本较低，可用于数字应用。
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公开(公告)号：CN110459591A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910482541.5
申请日：2019-06-04
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于层状黑亚磷同质结的亚10nm垂直隧穿晶体管，由顶栅、底栅、上层二氧化硅、黑亚磷、源极、漏极、下层二氧化硅组成；所述的顶栅位于上层二氧化硅上端，底栅位于下层二氧化硅下端，黑亚磷同质结位于上层二氧化硅与下层二氧化硅之间，源极及漏极分别位于上层二氧化硅与下层二氧化硅区间的左侧和右侧；垂直黑亚磷隧穿场效应管不但能满足国际半导体技术发展路线图低于10nm规模的高功耗的要求，也能满足低功耗应用的要求，并加速基于分层黑亚磷同质结二维隧穿场效应管的实际应用。
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公开(公告)号：CN110186979A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910454188.X
申请日：2019-05-28
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明公开了一种应用于高灵敏度气体传感器的场效应晶体管，包括导电沟道、源区、漏区、栅极氧化层、源极、漏极、栅极；所述导电沟道由三层纵向异质结构组成，从下至上依次为WSe2、BN、BP；导电沟道的上下表面分别设有栅极氧化层；栅极氧化层外表面沉淀有金属电极，作为栅极。该场效应管用于气体传感器灵敏度高，稳定性好。
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公开(公告)号：CN110070920A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201910308935.9
申请日：2019-04-17
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G16C10/00
Abstract: 本发明公开了一种含单层二硫化钼结构的半导体器件仿真方法，包括以下步骤：(1)从原子层面对单层二硫化钼进行二维材料结构建模；(2)计算单层二硫化钼材料的材料特性；(3)计算单层二硫化钼材料的哈密顿量导入紧束缚模型，得到带有紧束缚哈密顿参数的矩阵；(4)建立半导体器件模型，将含有紧束缚哈密顿参数的矩阵导入半导体器件模型来计算含单层二硫化钼结构的半导体器件的电学特性和输运特性。该仿真系统从二硫化钼的原子层面开始计算，将二维二硫化钼材料使用紧束缚哈密顿矩阵来表示，从而带入进行器件层面的计算，得到含有单层二硫化钼结构的半导体器件的电学特性和输运特性。
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