公开(公告)号：CN108530466A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201810299053.6

申请日：2018-04-04

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 赵保敏 ,  胡月明 ,  仪明东 ,  傅妮娜 ,  刘书利 ,  黄维

IPC: C07D495/14 ,  C07D495/22 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

Abstract: 本发明涉及一种多环芳烃有机半导体材料的制备方法，包括以下步骤：3,6-二溴烷基咔唑溶于无水乙醚或四氢呋喃，滴加锂试剂并搅拌，继续滴加芳香醛溶液得到化合物A；化合物A溶于甲苯或二甲苯，加入碘化锌、氰基硼氢化钠，搅拌得到化合物B；化合物B溶于无水乙醇或四氢呋喃，滴加锂试剂并搅拌，然后加入无水甲酰化试剂，搅拌得到化合物C；化合物C溶于甲苯或二甲苯，加入大孔酸性离子交换树脂，搅拌得到咔唑为核的角型多环芳烃有机半导体材料。本发明的有机半导体材料具有高稳定性和较好的溶解性，应用于场效应晶体管器件表现出对膜厚没有依赖的空穴迁移特性，易重复，有利于工业化生产。

公开(公告)号：CN109053735B

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN201810682766.0

申请日：2018-06-27

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 赵保敏 ,  张彩霞 ,  刘书利 ,  傅妮娜 ,  黄维

IPC: C07D487/04 ,  H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48

Abstract: 本发明揭示了一种基于并吡咯核芳香胺类有机半导体材料及其应用，属于半导体行业存储器技术技术领域。并吡咯核芳香胺类有机半导体材料具有四芳基取代并吡咯核和芳香胺取代基，具高稳定性、有合适能级、高的空穴迁移率、较好的溶解性和成膜性，能够作为空穴传输层材料应用于钙钛矿太阳电池器件中。本发明合成工艺简单、成本低、产物易于纯化，能获得较好的钙钛矿电池器件性能，利于推广和应用。

公开(公告)号：CN110204691A

公开(公告)日：2019-09-06

申请号：CN201910525833.2

申请日：2019-06-18

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 赵保敏 ,  刘丹 ,  刘书利 ,  傅妮娜 ,  章胜裕 ,  汪联辉

IPC: C08G61/10 ,  C08G61/12

Abstract: 本发明公开了一种基于稠环石墨烯纳米带及制备方法，所述制备方法为：等摩尔量化合物A与化合物B发生Suzuki反应，得聚合物C；聚合物C加入无水三氯化铁的硝基甲烷溶液，发生关环反应，制得石墨烯纳米带；化合物A为双溴代、双碘代或双三氟甲磺酸酯的并五苯衍生物，化合物B为双硼酸和双硼酸酯萘、芘或苝中的一种。本发明采用先合成具有特定关环位点的可溶性共轭聚合物，再氧化脱氢反应关环，制得可溶规整石墨烯纳米带，引入了适当增加溶解性的柔性烷基链，改善了材料的稳定性、溶解性和加工性能。其制备方法简单易行、产率高、结构可控且可设计、易于分离纯化，在有机半导体器件、生物传感等多领域具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN108912125A

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：CN201810682714.3

申请日：2018-06-27

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 赵保敏 ,  许有冬 ,  刘书利 ,  李畅 ,  傅妮娜 ,  汪联辉

IPC: C07D487/04 ,  C07D495/22 ,  H01L51/44

CPC classification number: C07D487/04 ,  C07D495/22 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0071 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/42

Abstract: 本发明揭示了一种基于四芳基并吡咯核非富勒烯受体材料及其应用，属于半导体行业有机太阳能电池技术领域。四芳基并吡咯核非富勒烯受体材料具高稳定性、有合适能级、高的载流子迁移率、较好的溶解性和成膜性，能够作为稠环非富勒烯受体应用于有机太阳能电池器件中。本发明涉及材料合成工艺简单、产物易于纯化，能获得较好的有机太阳电池器件性能，利于推广和应用。

公开(公告)号：CN106008558A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610382531.0

申请日：2016-06-02

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 傅妮娜 ,  黄维 ,  石鑫 ,  赵保敏 ,  刘书利 ,  汪联辉

IPC: C07D513/22 ,  C07D513/04 ,  C09K11/06 ,  H01L51/46

CPC classification number: Y02E10/549 ,  C07D513/22 ,  C07D513/04 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1011 ,  C09K2211/1037 ,  C09K2211/1088 ,  C09K2211/1092 ,  H01L51/0071

Abstract: 本发明公开了一类基于噻二唑的多环芳烃有机半导体材料及其制备方法，其结构可由通式(I)表示。其中Ar表示芳基、取代芳基、杂环芳基或取代杂环芳基。本发明的杂环衍生物可以通过Suzuki偶联反应、C‑H活化偶联反应、Sonogashira偶联反应、PtCl2催化环化反应和Scholl反应合成。本发明的多环芳烃衍生物不仅具有优良的溶解性和热稳定性，并且具有优异的π共轭骨架，π共轭体系的增加有利于提高相应器件性能，是性能很好的有机半导体材料。