公开(公告)号：CN111584326A

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN202010358213.7

申请日：2020-04-29

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 张益军 ,  荣敏敏 ,  张锴珉 ,  舒昭鑫 ,  王自衡 ,  钱芸生 ,  李姗 ,  李诗曼 ,  詹晶晶

IPC: H01J9/12

Abstract: 本发明公开了一种提高InGaAs光电阴极量子效率的激活方法，包括铯、氧激活和铯、NF3激活的两次激活，具体为：对InGaAs光电阴极进行第一次高温净化；开启铯源，当光电流下降到峰值电流的50％～85％时，开启氧源，并保持铯源开启，当光电流再次到达峰值时关闭氧源；对InGaAs光电阴极进行第二次高温净化；开启铯源，当光电流下降到峰值电流的50％～85％时，开启NF3进气阀门，使NF3气体进入激活腔体，并保持铯源开启，当光电流曲线上升速率小于0.2μA/min，关闭NF3进气阀门，关闭铯源。本发明可以得到量子效率更高的InGaAs光电阴极。

公开(公告)号：CN110813902A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201910838128.8

申请日：2019-09-05

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 张益军 ,  荣敏敏 ,  方城伟 ,  张锴珉 ,  舒昭鑫 ,  张景智 ,  戴庆鑫 ,  王自衡

IPC: B08B3/12 ,  B08B3/08 ,  B08B7/00 ,  F26B3/02 ,  F26B21/14 ,  A61L2/20 ,  A61L101/10

Abstract: 本发明公开了一种砷化镓光电阴极的清洗方法，包括采用有机溶剂超声波清洗，去除阴极表面油脂；采用去离子水超声波清洗；干燥阴极表面；采用紫外臭氧清洗；采用氢氟酸刻蚀，去除阴极表面氧化物；去离子水冲洗阴极表面残留的酸；干燥阴极表面。本发明避免了强酸强碱等高危害性溶剂的使用，可有效去除砷化镓表面污染物，得到清洁效果好、量子效率高的砷化镓光电阴极。