新型的兼容数字式和模拟式的超宽带衰减器

    公开(公告)号:CN102111122A

    公开(公告)日:2011-06-29

    申请号:CN201010555891.9

    申请日:2010-11-24

    Abstract: 本发明公开了一种新型的兼容数字式和模拟式的超宽带衰减器。当衰减变化时,相位补偿技术被应用于MMIC设计中,减少插入相移,保证阻抗匹配。电路设计用到连通场效应晶体管(MESFET)和分流场效应晶体管(MESFET)的控制信号等效装载方法(即在大部分电路中拥有相同连通和分流门宽度)来简化电路,无需直流电路。MMIC在超宽频带内显示了优秀的性能,并用薄片内芯片检测证实了设计思路的可行。数字/模拟低插入相移的大动态范围的超宽带衰减器集成电路主要广泛应用于数字微波通信、移动通信、相控阵雷达、电子对抗、制导和仪器等电子系统设备中的电子部件。

    带通/带阻式微型低温共烧陶瓷双工器

    公开(公告)号:CN102035493A

    公开(公告)日:2011-04-27

    申请号:CN201010555932.4

    申请日:2010-11-24

    Abstract: 本发明公开了一种带通/带阻式微型低温共烧陶瓷双工器,包括:带阻输入电感、带阻级间电感、带阻输出电感、带阻第一分支电感、带阻第二分支电感、带阻输入电容、带阻级间电容、带阻输出电容、带阻第一分支接地电容、带阻第二分支接地电容、带通输入电感、带通输出电感、带通第一分支电感、带通第二分支电感、带通输入电容、带通级间电容、带通输出电容、带通第一分支电容、带通第二分支电容、第一屏蔽接地层、第二屏蔽接地层以及通孔;所有元件基于低温共烧陶瓷工艺实现,在高性能陶瓷材料内部三维集成金属线条,空间配置灵活紧凑,本发明体积小、重量轻、可靠性高、电性能优异、相位频率特性线性变化、温度稳定性好,很好的满足了现代无线通信系统对于微型高性能微波双工器的需求。

    C波段低损耗高抑制微型带通滤波器

    公开(公告)号:CN102006027A

    公开(公告)日:2011-04-06

    申请号:CN201010555948.5

    申请日:2010-11-24

    Abstract: 本发明涉及一种C波段低损耗高抑制微型带通滤波器,包括适用于表面安装的输入/输出接口、采用两层折叠耦合带状线实现的五个并联谐振单元、四个零点设置电路、输入和输出电感,上述结构均采用多层低温共烧陶瓷工艺技术实现。本发明具有体积小、重量轻、电性能优异、可靠性高、相位频率特性线性度好、温度稳定性好、电性能批量一致性好、成本低、可大批量生产等优点,特别适用于雷达、通信、箭载、机载、弹载、宇宙飞船、单兵移动通信终端等无线通信手持和便携终端产品中,以及对体积、重量、电性能及可靠性等有苛刻要求的相应频段系统中。

    用于外场观测和校准的红外及可见光十字靶

    公开(公告)号:CN110986903B

    公开(公告)日:2021-09-17

    申请号:CN201911240334.5

    申请日:2019-12-06

    Abstract: 本发明公开了一种用于外场观测和校准的红外及可见光十字靶,包括靶盒、可见光光源、红外辐射光源、十字光源旋转装置、定位光源以及电源,其中十字光源旋转装置设置于靶盒一侧中心的十字窗口内,用于实现可见光与红外光的切换,切换为某一种光源时,设置于十字光源旋转装置上的该光源电极与设置于十字窗口内侧的电源电极相接触,该种光源接通的同时另一种光源断开,节省了能源消耗,有利于户外续航;定位光源设置于靶盒的另一侧,并通过该侧上设置的通光窗口照射在探测阵列靶上形成定位光斑,以确定十字靶中心与探测阵列靶中心的相对位置。本发明整体结构简单,使用方便,占用空间小,与探测阵列靶面配合性好,提高了测量的便捷性和准确性。

    微波毫米波宽频带五位单片集成数字移相器

    公开(公告)号:CN102055428B

    公开(公告)日:2014-01-01

    申请号:CN201010555902.3

    申请日:2010-11-24

    Abstract: 本发明公开了一种微波毫米波宽频带五位单片集成数字移相器,该移相器由11.25°、22.5°、45°、90°、180°相移电路级联构成,11.25°/22.5°相移位采用高/低通滤波器型拓扑,45°/90°/180°采用反射型拓扑的设计,该移相器以11.25°为相移步进值在0~360°的范围内总共可实现32种相移状态,最终的版图由相移量从大到小的顺序排版,该移相器的工作频段为6~18GHz。本发明的电路拓扑和设计过程简单,制造工艺简便,成品率高,芯片面积小,工作频带宽,插入损耗低,相移精度高,输入和输出电压驻波比低,各移相态插入损耗差值小。

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