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公开(公告)号：CN110335924A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201910546752.0
申请日：2019-06-24
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于非极性、半极性面的可见光通信光源及相应的图形蓝宝石衬底，选取一蓝宝石衬底加工出光栅状条形图案；在刻蚀工艺中讲台阶侧壁的角度进行优化，优化下一步的生长面角度；在此图形化蓝宝石衬底设计阻挡层，采用氧化硅薄膜作为外延阻挡层；利用化学气相外延法依次生长GaN层、N型GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、电子阻挡层、p型GaN层，并公开了其生长方法。本发明利用非/半极性面在Ⅲ族氮化物极化调控上的优势减弱量子限制斯托克效应的影响，增加电子-空穴波函数在实空间上的交叠，提高载流子的辐射复合占比和速率，该方法适用于利用非极性、半极性面技术有效提高可见光通信性能。
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公开(公告)号：CN110334212A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201910585450.4
申请日：2019-07-01
Applicant: 南京审计大学 , 中移信息技术有限公司 , 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于机器学习的领域性审计知识图谱构建方法，首先通过多种来源获取数据；然后对获取的数据进行预处理；采用实体识别与关系处理模块和专家知识工程模块实现对实体的识别；然后根据实体识别与关系处理模块和专家知识工程模块两个步骤获得的实体，进入自然语言理解模块，利用主题模型，提取特征词；根据自然语言理解模块提取出的特征词，进入特征机器学习模块，根据具体场景调整权重，将特征词进行分类；最后，生成知识图谱。本发明构建的知识图谱可以揭示审计相关主体之间的多维关联；从而提高审计法规及案例的检索及关联比对效率。
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公开(公告)号：CN110311023A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910546744.6
申请日：2019-06-24
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种利用表面等离激元增强LED光通信器件，在InGaN外延片上形成贯穿介质层、p型GaN层，深至电子阻挡层的阵列式纳米柱结构，所述纳米柱之间填充有金属纳米颗粒或纳米柱侧壁上镀有金属膜。并公开了其制备方法。本发明利用金属表面等离激元效应提高LED光源效率、增强光通信的调制宽带，经由PVD蒸镀、高温热处理、RIE、ICP技术制备纳米结构，使得二次蒸镀金属共振波长与多量子阱的发光波长相匹配，配合寿命谱测试结果修正金属周期、种类、尺寸、浓度等，最终将等离激元耦合状态下的载流子降低至皮秒量级。本方法可有效提高LED光源效率、增强光通信的调制宽带，是一种工艺相对简单、成本低且可靠性高的方法。
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公开(公告)号：CN110284198A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201910658713.X
申请日：2019-07-22
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种控制GaN纳米线结构与形貌的分子束外延生长方法。本发明公开了一种采用PA-MBE(分子束外延技术)制备高质量单晶GaN纳米线的方法，在Si衬底上先生长岛状AlN成核点，再在岛状AlN成核点上生长GaN纳米线。其特征在于：首先对Si衬底进行退火处理以获得洁净的重构Si表面，然后通过开发和优化AlN的成核层的生长方法和技术来制备岛状AlN成核点，并通优化退火温度和氮化时间来调控其分布及形貌，最后在优化的岛状AlN成核点上制备GaN纳米线。生长过程中，通过固定金属源束流和较高的N2plasma流量来设定Ⅴ/Ⅲ；采用反射高能电子衍射花样对成核过程进行实时原位监测。再通过优化衬底温度来制备质量较高，具有六方形貌的GaN纳米线。
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公开(公告)号：CN109841710A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201910293737.X
申请日：2019-04-12
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种用于透明显示的GaN Micro-LED阵列器件，将硅基GaN Micro-LED阵列器件的硅衬底层刻蚀掉，然后在硅衬底层的位置粘合上玻璃基板。并公开其制备方法。本发明的可用于透明显示的GaN Micro-LED阵列器件，首先在硅衬底上制备Micro-LED阵列器件，然后利用粘结键合和刻蚀技术将器件转移到玻璃基板上。本发明通过绝缘层使得Micro-LED阵列器件的漏电流更小，不易被氧化；使用硅衬底降低制备成本，更有利于走剥离衬底的路线；通过粘结键合、湿法腐蚀、等离子体刻蚀等方法，将GaN Micro-LED阵列器件从硅衬底转移到了玻璃基板上，实现了背面出光，可以用于透明显示。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108550518A
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201810440768.9
申请日：2018-05-10
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种采用分子束外延技术生长用于缓解/消除铝镓氮薄膜表面裂纹的超晶格插入层的方法，使用分子束外延技术，通过控制生长参数，在衬底上同质外延一层GaN外延层，使用分子束外延技术，通过控制生长参数，在GaN外延层上外延超晶格插入层；使用分子束外延技术，通过控制生长参数，在超晶格插入层上外延一层AlxGa(1-x)N薄膜。本发明采用分子束外延技术在GaN外延层与AlxGa(1-x)N薄膜层之间生长超晶格插入层，能够缓解/消除AlxGa(1-x)N薄膜表面裂纹的问题。本发明还通过设计程序，能够方便、快速和精确地控制Ga源和Al源挡板的开闭状态和氮气的流量，可以解决手动控制带来的不便和误差等问题，进而实现高质量的超晶格插入层的外延生长。
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公开(公告)号：CN108330536A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810228701.9
申请日：2018-03-20
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种PA-MBE同质外延高质量GaN单晶薄膜的制备方法，在C面GaN衬底上生长GaN薄膜，通过控制金属Ga源束流,衬底温度，氮气等离子体(N2plasma)流量和射频功率，生长出高晶体质量，高电子迁移率的单晶GaN薄膜。生长过程中，通过固定金属源束流，设定较低的生长速率；通过调节反射高能电子衍射(RHEED)的恢复时间，判定生长过程中的富Ga状态；通过调节衬底温度使得材料的生长模式从二维台阶生长模式+三维岛状生长模式转变为二维台阶生长模式。
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公开(公告)号：CN102583678A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210074311.3
申请日：2012-03-21
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种利用酸性矿山废水去除废水中磷的方法，属于废水除磷领域。其步骤为：（1）获取来自硫铁矿矿山的酸性矿山废水；（2）将步骤（1）中得到的酸性矿山废水静置沉淀，去除悬浮固体；（3）调节含磷废水的pH值为7-9；（4）将步骤（2）中去除悬浮固体的酸性矿山废水投加到步骤（3）的含磷废水中，使两种废水的混合液体中Fe与P的摩尔比在0.5～3.0∶1之间；（5）搅拌10-30min，然后静置30-100min。本发明用矿山酸性废水治理含磷废水，不仅降低了含磷废水和AMD的处理成本，而且实现了AMD的资源化利用，具有取得良好的经济效益和环境效益。
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公开(公告)号：CN119170621B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411689923.2
申请日：2024-11-25
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种用于Micro‑LED显示的混合驱动集成器件及其制备方法，混合驱动集成器件包括单片集成结构和nT1C显示驱动电路，nT1C显示驱动电路通过键合金属与单片集成结构相连；单片集成结构依次包括GaN缓冲层、AlGaN势垒层，AlGaN势垒层远离GaN缓冲层的表面间隔设置p‑GaN帽层和n‑GaN欧姆接触电极，p‑GaN帽层远离AlGaN势垒层的表面设置隧道结，隧道结的表面设置n‑GaN电子注入层和n‑GaN欧姆接触电极，n‑GaN电子注入层表面依次设置量子阱层、p‑GaN空穴注入层、p‑GaN欧姆接触电极。本发明可降低能耗，提高电路安全性；提升显示分辨率；兼容现有工艺线。
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公开(公告)号：CN119287505A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411422569.7
申请日：2024-10-12
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于硅纳米阵列的金刚石超表面制备方法，先在硅片表面刻蚀出向内凹进的纳米阵列，然后将带有纳米阵列的硅片放入金刚石纳米颗粒悬浮液中进行超声植晶，再在种晶后的硅片表面进行金刚石的生长，最后去除带有纳米阵列的硅片，获得具有表面纳米结构的金刚石。本发明提供的方法，通过直接刻蚀单晶硅制备纳米柱结构，再在硅上进行生长金刚石，避免直接在金刚石表面刻蚀制备纳米柱结构获得超表面，在实际生产过程中，由于单晶硅成本较低，直接刻蚀单晶硅制备纳米柱结构和片上生长金刚石工艺成熟，可操作难度低，最终获取金刚石超表面的成本和难度大大降低，有利于实现金刚石超表面的大量制备和后续器件研究。
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