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公开(公告)号：CN102921961B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201210502279.4
申请日：2012-11-30
Applicant: 南京大学
IPC: B22F9/24
Abstract: 本发明公开了一种飞秒激光制备金属纳米材料的方法，直接用激光对准金属盐溶液进行照射，得到不同形貌的金属纳米材料；其中，激光照射的时间为1~3600s，入射激光的平均功率为5~400mW，金属盐溶液的浓度为1mmol/L~1mol/L。本发明的工艺方法，简单方便、无需添加任何还原剂或表面活性剂，且反应条件简单易控、环境友好。所制备的金属纳米材料形貌及尺寸可控，可应用于催化、电化学、表面拉曼增强或生物医学等领域。
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公开(公告)号：CN102923700B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201210501548.5
申请日：2012-11-30
Applicant: 南京大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明公开了一种巯基修饰石墨烯的制备方法，包括：将质量比为1∶0.01~10.0的氧化石墨和一端为巯基的烷基胺加入到反应溶剂中，反应温度0~90℃，搅拌反应0.1~72h，得到巯基修饰的氧化石墨；再将巯基修饰氧化石墨和还原剂加入到反应溶剂中，反应温度0~90℃，搅拌反应0.1~72h。得到巯基修饰石墨烯的溶液；对巯基修饰石墨烯进行洗涤和干燥处理，就能得到巯基修饰石墨烯的固体粉末。该工艺方法简单快捷，反应条件温和环保，原料便宜易得，无需添加催化剂，所制备的巯基修饰石墨烯在有机溶剂中有较好的分散性，可广泛用于与新型纳米复合材料的制备、新型电化学电极的制备以及新型光学及导电材料等领域。
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公开(公告)号：CN102642830A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210123119.9
申请日：2012-04-25
Applicant: 南京大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明公开了一种硅烷偶联剂修饰石墨烯的制备方法，包括：将质量比为1：0.1~5的氧化石墨和硅烷偶联剂加入到反应溶剂中，控温0~90℃，搅拌反应0.1~72h，得到硅烷偶联剂接枝的氧化石墨；将硅烷偶联剂接枝的氧化石墨加入到还原溶剂中，加入还原剂，控温0~90℃，搅拌还原反应0.1~72h，得到硅烷偶联剂接枝的石墨烯溶液；将硅烷偶联剂接枝的石墨烯溶液进行处理后得到硅烷偶联剂修饰的石墨烯固体粉末。该工艺方法简单快捷，反应条件低，工艺易于控制，无需添加催化剂或进行多步、复杂反应即可获得硅烷偶联剂修饰的石墨烯。该石墨烯具有与聚合物相容性好、制备简单、原料易得，产物在部分有机溶剂中有较好的分散性，可广泛用于石墨烯改性聚合物、新型电化学电极的制备以及新型光学及导电材料等领域。
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公开(公告)号：CN101024691B
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200610041310.3
申请日：2006-08-14
Applicant: 南京大学
IPC: C08G77/04
Abstract: 本发明公开了一种自组装生长的聚倍半硅氧烷纳米管及纳米线的制法，该方法是以水为溶剂，加入水质量的0.01-30％的有机倍半硅氧烷，混合后置于密闭反应容器中，在pH值为2-13和表面活性剂存在下，在0-100℃及1-5MPa压力下，搅拌水解10分钟至72小时即得。本发明的优点是简单快捷、无需添加金属催化剂或进行多步、复杂反应，即可获得管状或线状聚倍半硅氧烷纳米材料，且制备条件温和，工艺易于控制，采用的原料均为无毒无害材料，节能环保。大量研究表明，纳米管及纳米线材料具有典型的量子效应及良好的物理性能，可广泛应用于光、电、磁等特种材料，以及纳米阵列等高科技方向，极具现实及潜在应用价值。
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公开(公告)号：CN101016384A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200710019750.3
申请日：2007-02-09
Applicant: 南京大学
IPC: C08G77/38
Abstract: 本发明提供了一种星型多臂硅油的制备方法，该方法包括以下步骤：将氧化四甲胺基笼型八聚倍半硅氧烷、环状硅氧烷低聚物和封端剂按以下重量比进行混合：氧化四甲胺基笼型八聚倍半硅氧烷0.01～50.90％、环状硅氧烷低聚物16.90～99.99％、封端剂0～65.50％；在20～130℃下，在空气或惰性气体保护中，搅拌，反应10分钟～48小时；反应结束后升温至135～200℃，分解去除氧化四甲胺基，得到星型多臂硅油。本发明同现有技术相比，具有方法简单、成本低、原料及制备过程环保、材料化学活性高，并且还具有分子量可控、表观粘度低、易于功能化等特点，值得推广和应用。
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公开(公告)号：CN1654517A
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN200510037695.1
申请日：2005-01-13
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种笼型多聚物制孔超低介电氧化硅薄膜及其制备方法。该薄膜由笼型多聚物与聚氧化硅组成，其中笼型多聚物含量(重量)1－80％，聚硅氧烷含量20－99％。该方法包括以下步骤：用笼型聚合物作为致孔模板与硅氧烷在有机溶液中制备溶胶；将上述溶胶涂布于硅片上制成薄膜；将上述薄膜在惰性气体保护下退火即得。本发明采用笼型多聚物为致孔模板，利用笼型聚合物介电常数低，退火不分解，且本身的结构即为纳米微孔的特点，同时笼型聚合物的多个顶点可具有多种活性基团，从而笼型聚合物可以通过多点与交联体系连接，对提高材料的力学性能有很大帮助。
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公开(公告)号：CN118825241A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202411165174.3
申请日：2024-08-23
Applicant: 江苏正力新能电池技术股份有限公司 , 南京大学
IPC: H01M4/36 , C01B32/05 , C01B32/15 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01M4/587 , H01M4/62 , H01M4/133 , H01M10/054
Abstract: 本申请涉及电池技术领域，具体涉及一种具有片层结构的硬碳材料。该硬碳材料包括硬碳基体以及包覆于硬碳基体表面的碳层；硬碳基体包括甲壳素基硬碳材料，甲壳素基硬碳材料具有层叠设置的片层结构，甲壳素基硬碳材料具有闭孔结构。本发明提供的硬碳材料具有高首效（首次库伦效率）的优势。
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公开(公告)号：CN118712531A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202411188162.2
申请日：2024-08-28
Applicant: 江苏正力新能电池技术股份有限公司 , 南京大学
IPC: H01M10/42 , H01M4/133 , H01M4/1393 , H01M10/054
Abstract: 本发明涉及电池领域，提供了一种硬碳负极片，所述硬碳负极片包括集流体，设置于所述集流体表面至少一侧的第一负极涂层，设置于所述第一负极涂层表面远离所述集流体一侧的第二负极涂层，所述第一负极涂层包括硬碳，所述第二负极涂层包括羧酸酯‑金属氢氧化物。本发明提供的硬碳负极片，第二负极涂层上的羧酸酯‑金属氢氧化物有助于抑制金属枝晶，减少副反应的发生，提高电池的循环寿命和安全性能。
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公开(公告)号：CN115584022A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202211222874.2
申请日：2022-10-08
Applicant: 南京大学 , 四川茵地乐材料科技集团有限公司
Abstract: 本发明公开了一种含笼型倍半硅氧烷(Double‑decker双官能团POSS)的低介电常数聚酰亚胺薄膜材料的制备方法，由双氨基封端的笼型倍半硅氧烷、二胺单体和二酐单体组成，其中双氨基封端聚倍半硅氧烷的质量含量为2％～10％，二胺单体和二酐单体的摩尔比为1：1～1.05。本发明提供的聚倍半硅氧烷(POSS)聚酰亚胺薄膜材料具有较低的介电常数，兼具聚酰亚胺材料原有的优异力学性能。所述POSS的化学结构式由以下结构式所示：本发明通过POSS二胺单体制备出低介电常数，高拉伸强度的聚酰亚胺薄膜材料，适用于5G电子封装材料。
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