一种半导体激光器和控制方法

    公开(公告)号:CN108155557B

    公开(公告)日:2019-11-05

    申请号:CN201711421289.4

    申请日:2017-12-25

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明提出一种半导体激光器和控制方法,解决可调谐多波长激光器长度过长、质量不可靠的问题。半导体激光器包括光栅区域、相移结构;光栅区域以串联的方式制作在同一激光器芯片上;每个所述光栅区域内光栅周期不变,不同光栅区域的光栅周期沿激光器芯片呈递增或递减变化;任意两个相邻的所述光栅区域注入电流用于产生单模激光发射;相邻的光栅区域间存在相移结构,相移值在0°至360°范围内,一般为π。本发明还包含半导体激光器控制方法,包括以下步骤:向任意两个相邻的光栅区域注入高于阈值的工作电流,其余光栅区域的工作电流为透明电流,产生单模激光发射;改变光栅区域的温度、工作电流,对所述单模激光发射进行调谐。

    一种基于光子引线键合技术的可调谐光发射芯片及制备方法

    公开(公告)号:CN118315921A

    公开(公告)日:2024-07-09

    申请号:CN202410431742.3

    申请日:2024-04-11

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于光子引线键合技术的可调谐光发射芯片及制备方法,包括可调谐激光器、外调制器和光纤阵列,可调谐激光器为由若干个激光器组成的矩阵式多波长分布式反馈激光器阵列,通过若干波导将多个激光器连成阵列,其中波长相近的激光器分布在不同的波导上,各波导的光波输出端级联耦合;可调谐激光器与外调制器之间、外调制器与光纤阵列之间均为通过光子引线键合技术进行耦合连接。本发明通过光子引线键合技术使可调谐激光器、调制器与光纤阵列之间高效耦合,并根据激光器的波长形成阵列排布,降低光栅之间的串扰,实现稳定的单模工作。

    一种采用倒装焊的多波长阵列激光器装置及其制备方法

    公开(公告)号:CN117394130A

    公开(公告)日:2024-01-12

    申请号:CN202311347254.6

    申请日:2023-10-18

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种采用倒装焊的多波长阵列激光器装置及其制备方法,包括由下至上依次叠设的衬底、缓冲层、下限制层、多量子阱层、上限制层、光栅层、InP缓冲层、腐蚀阻挡层、波导层和接触层;其中光栅层由激光器光栅构成,采用基于重构等效啁啾技术的非对称等效相移的光栅结构,激光器腔面两端分别采用HR镀膜、AR镀膜,将光栅等效相移位置于HR镀膜端面1/5腔长处,且激光器光栅具有光栅周期线性渐变;本发明的激光器倒装焊在特殊制作的过渡热沉上。本发明能改善多波长半导体激光器阵列的散热性能,降低激光器芯片的温升。本发明具有多通道阵列同时出光、结温低、输出光功率高、结构简单、集成度高等特性。

    一种窄线宽半导体激光器
    14.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109830891A

    公开(公告)日:2019-05-31

    申请号:CN201910186249.9

    申请日:2019-03-12

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本申请公开了一种窄线宽半导体激光器,解决了现有技术为了在波导中实现窄线宽采用较长的长腔结构导致光在波导中的传播损耗增加的问题。一种窄线宽半导体激光器,包含:半导体光源、无源滤波器;所述无源滤波器,包含波导光栅耦合器,布拉格光栅反射器。所述半导体光源,用于连接所述无源滤波器。所述波导光栅耦合器,用于将接收到的半导体光源发出的光辐射到布拉格光栅反射器,并将布拉格光栅反射器反射光送回半导体光源;窄线宽半导体激光器通过滤波反馈和三维空间结构的设计方式,不仅能摒弃长腔设计实现低损耗,而且硅基和优良的空间结构能够使得所述窄线宽激光器便于集成,从而能够实现大规模光子集成。

    一种半导体激光器和控制方法

    公开(公告)号:CN108471046A

    公开(公告)日:2018-08-31

    申请号:CN201810456170.9

    申请日:2018-05-14

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明提出一种半导体激光器和控制方法,所述半导体激光器包括光栅区域、增益区域;光栅区域的数量至少为2个,以串联的方式制作在同一激光器芯片上;每个光栅区域内光栅周期不变,不同光栅区域的光栅周期沿激光器芯片呈递增或递减变化;相邻的光栅区域间包含一增益区域。本发明还包含半导体激光器控制方法:向任意一个有源区域注入高于阈值的工作电流,其余有源区域注入透明电流,产生单模激光发射;调整所述注入工作电流的有源区域相邻的光栅区域的调谐电流,改变所述单模激光的波长。本发明解决可调谐半导体激光器技术调谐范围低、成本高、可生产性和可靠性低的问题。

    基于FP标准具的非线性连续扫频光源精确标定系统及方法

    公开(公告)号:CN117968864A

    公开(公告)日:2024-05-03

    申请号:CN202410090972.8

    申请日:2024-01-22

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 基于FP标准具的非线性连续扫频光源精确标定系统及方法,通过扫频光源产生频率和波长随时间非线性变化的宽带连续扫频光,发出的光信号经过分路耦合器后再分别经过FP标准具一和FP标准具二,产生透射峰位置随时间非均匀变化的透射光,透射光分别进入PD一和PD二,PD一和PD二将两路透射光信号转化为两路电压信号,分别为电信号一和电信号二,记录在示波器上。在光源扫频的起始、终止位置及通道切换处会产生触发信号,也同步记录在示波器上。本发明通过对示波器上的三路电信号进行拟合、寻峰、插值、平滑连接等处理后,即可得出扫频光源发出的非线性扫频光其波长和频率随时间的变化,完成标定,标定简单高效,不受波长步进大小和扫频速度的影响。

    一种半导体激光器和控制方法

    公开(公告)号:CN108471046B

    公开(公告)日:2020-08-04

    申请号:CN201810456170.9

    申请日:2018-05-14

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明提出一种半导体激光器和控制方法,所述半导体激光器包括光栅区域、增益区域;光栅区域的数量至少为2个,以串联的方式制作在同一激光器芯片上;每个光栅区域内光栅周期不变,不同光栅区域的光栅周期沿激光器芯片呈递增或递减变化;相邻的光栅区域间包含一增益区域。本发明还包含半导体激光器控制方法:向任意一个有源区域注入高于阈值的工作电流,其余有源区域注入透明电流,产生单模激光发射;调整所述注入工作电流的有源区域相邻的光栅区域的调谐电流,改变所述单模激光的波长。本发明解决可调谐半导体激光器技术调谐范围低、成本高、可生产性和可靠性低的问题。

    一种基于准二维光栅的混合模式激光器、阵列及制作方法

    公开(公告)号:CN105552717B

    公开(公告)日:2019-05-10

    申请号:CN201610082345.5

    申请日:2016-02-05

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本申请公开了一种基于准二维光栅的混合模式激光器、阵列及制作方法。该方法包括:制作用于构成激光器混合模式谐振腔的光栅;其中所述光栅用于实现激光器谐振腔中相同波长的激光以两种以上的模式共同发射;所述光栅包含相移结构;通过后续工艺,制备激光器;所述后续工艺包括刻蚀工艺和沉积金属工艺。本发明解决了现有技术中的模分复用光子集成芯片的光源光耦合损耗大的问题。

    基于重构-等效啁啾技术的备份型半导体激光器

    公开(公告)号:CN105140779B

    公开(公告)日:2019-04-26

    申请号:CN201510564147.8

    申请日:2015-09-07

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 一种基于重构‑等效啁啾技术的备份型半导体激光器,备份型激光器中包含了两个并列的半导体DFB激光器,呈并列分布且距离间隔为15微米至50微米;其中每个激光器都是基于重构‑等效啁啾技术对取样布拉格光栅结构加入等效相移,并且激光器所使用的激射信道是由该取样布拉格光栅的+1级子光栅或‑1级子光栅提供。本发明使得并列的两个激光器中必有一个激光器是处在单模的工作状态,因此可以在不增加工艺成本的基础上,消除一般高反‑低反镀膜激光器单模成品率低的问题。

    分布反馈半导体激光器、激光器中布拉格光栅及制备方法

    公开(公告)号:CN105445836B

    公开(公告)日:2018-06-29

    申请号:CN201610022368.7

    申请日:2016-01-13

    Abstract: 本申请公开了分布反馈半导体激光器、激光器中布拉格光栅及制备方法,该方法在不降低半导体激光器中布拉格光栅的强度的情况下提高光源波长的精确度。其中,制备激光器中布拉格光栅的方法包括:在光栅材料层上涂抹电子束曝光胶,所述光栅材料层位于金属n电极上;按照预定的采样光栅周期和每个采样光栅周期的占空比,通过电子束对所述光栅材料层上的电子束曝光胶进行曝光,并使用有机溶剂将所述曝光后的电子束曝光胶溶解掉,其中,所述每个采样光栅周期分成等间距的N部分,所述N的值为大于1的正整数;采用刻蚀的方法将所述衬底上溶解掉电子束曝光胶位置上的光栅材料刻蚀掉,从而形成半导体激光器中的布拉格光栅结构。

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