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公开(公告)号：CN110284121B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201910543381.0
申请日：2019-06-21
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种成分可调的Co‑Pt/Fe‑Pt纳米颗粒的制备方法，属于纳米材料制备领域，利用原子层沉积技术简单的膜厚控制方法，通过改变ALD沉积氧化钴或氧化铁和Pt的循环数，可精确调控材料的组成；并且结合ALD优异的三维贴合性，可在三维结构基体上实现均匀包覆，该制备方法工艺简单，组成精确可控，获得的Co‑Pt/Fe‑Pt纳米颗粒可用于高密度磁存储、电催化等领域。本发明首先在衬底上沉积氧化钴或氧化铁；再进行铂的ALD沉积；重复沉积氧化锆或氧化铁和铂，获得氧化钴或氧化铁/铂纳米叠层；最后进行退火处理获得组成可调的Fe‑Pt或Co‑Pt纳米颗粒。
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公开(公告)号：CN109904316A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910156030.4
申请日：2019-03-01
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种模拟神经突触的无机-有机/无机杂化双层纳米薄膜忆阻器，属于半导体微电子器件与人工智能的交叉领域，利用分子层沉积和原子层沉积技术低温来制备具有良好模拟神经突触仿生功能的无机-有机/无机杂化双层纳米薄膜忆阻器，所采用的分子层沉积和原子层沉积技术能够与微电子工艺兼容、适合大规模集成。本发明的忆阻器包括从下往上依次为衬底、底电极、忆阻功能层、顶电极；所述忆阻功能层由下层无机-有机杂化薄膜和上层金属氧化物薄膜的双层纳米堆栈结构薄膜材料构成。
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公开(公告)号：CN108342714A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810120748.3
申请日：2018-02-07
Applicant: 南京大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/01 , C23C16/56
Abstract: 本发明公开了一种大尺寸柔性三维多孔碳结构的制备方法，属于微纳结构与功能材料制备领域，该制备方法工艺简单，易于实施，且能大规模生产。本发明应用分子层沉积技术（MLD）在适宜的三维模板表面沉积无机-有机杂化物作为前驱体，通过高温热处理将杂化物转化为碳-金属氧化物的复合物，最后通过化学腐蚀的方法去除模板与金属氧化物，以此来制备大尺寸的柔性三维多孔碳结构材料。由于三维模板的尺寸、结构可根据需要进行选择，而丰富有机官能团、多变的碳链长度，使得设计与调谐多孔碳的分级微结构与对碳掺杂成为可能，为大尺寸柔性多孔碳材料的制备提供了一种可行的途径。
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公开(公告)号：CN103510074A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310508835.3
申请日：2013-10-25
Applicant: 南京大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/08 , C23C16/18
CPC classification number: C23C16/30 , C23C16/45531
Abstract: 本发明公开了一种基于ALD技术的复合无机-有机杂化物薄膜的制备方法，首先进行衬底或沉积载体的准备，之后将准备好的衬底或沉积载体转移入ALD反应室，使用有机分子作为有机前驱体，同时引入两种或两种以上的无机前驱体，交替将无机前驱体和有机前驱体通入ALD反应室，在衬底或沉积载体表面原位生成复合无机-有机杂化物薄膜。本发明通过在生长无机-有机杂化物薄膜的过程中，使用有机分子作为前驱体，同时引入多种无机前驱体，并调节其脉冲序列流程，原子层沉积循环次数比，可以得到成分可调的复合无机-有机杂化物薄膜。
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公开(公告)号：CN109904316B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201910156030.4
申请日：2019-03-01
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种模拟神经突触的无机‑有机/无机杂化双层纳米薄膜忆阻器，属于半导体微电子器件与人工智能的交叉领域，利用分子层沉积和原子层沉积技术低温来制备具有良好模拟神经突触仿生功能的无机‑有机/无机杂化双层纳米薄膜忆阻器，所采用的分子层沉积和原子层沉积技术能够与微电子工艺兼容、适合大规模集成。本发明的忆阻器包括从下往上依次为衬底、底电极、忆阻功能层、顶电极；所述忆阻功能层由下层无机‑有机杂化薄膜和上层金属氧化物薄膜的双层纳米堆栈结构薄膜材料构成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110415974B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201910645580.2
申请日：2019-07-17
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米叠层结构金属氧化物柔性电容器及其制备方法，属于微纳电子技术－高密度电容器领域，利用低温PEALD方法制备基于Al‑Hf‑Sn‑Ti‑Al‑O纳米叠层结构超薄金属氧化物的柔性电容器，制备的电容器既具有较高的电容密度，同时又具有较低的漏电流密度和电压线性度，而且可根据实际需要选择不同的制备条件可得到不同性能的柔性电容器。本发明利用低温PEALD制备方法，在80℃生长工艺下，通过调控金属前驱体脉冲序列循环比和循环数，获得了介质层厚度为20‑30纳米厚的Al‑Hf‑Sn‑Ti‑Al‑O纳米叠层结构电容器，所述电容器既具有较高的电容密度3~10 fF/μm2，同时又具有较低的漏电流密度10‑7~10‑8 A/cm2和电压线性度
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公开(公告)号：CN110983288A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911220311.8
申请日：2019-12-03
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于原子层沉积方法的层间剥离方法及其在纳米复合材料制备上的应用，属于纳米功能复合材料制备领域，可以同时实现层状材料的层间剥离和纳米复合粉末材料的制备，获得的材料比表面积明显改善。本发明选用层状材料粉末作为担体；在所述担体上利用原子层沉积（ALD）技术沉积包覆层，得到复合粉末样品；将ALD沉积获得的复合粉末样品进行热处理退火，所述包覆层结晶把层状材料层间撑开剥离，获得高比表面的复合层状纳米材料；重复步骤上述步骤实现基于ALD技术对层状材料的多次层间剥离，进一步增加复合层状纳米粉末材料的比表面积。
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公开(公告)号：CN108342714B
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201810120748.3
申请日：2018-02-07
Applicant: 南京大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/01 , C23C16/56
Abstract: 本发明公开了一种大尺寸柔性三维多孔碳结构的制备方法，属于微纳结构与功能材料制备领域，该制备方法工艺简单，易于实施，且能大规模生产。本发明应用分子层沉积技术（MLD）在适宜的三维模板表面沉积无机‑有机杂化物作为前驱体，通过高温热处理将杂化物转化为碳‑金属氧化物的复合物，最后通过化学腐蚀的方法去除模板与金属氧化物，以此来制备大尺寸的柔性三维多孔碳结构材料。由于三维模板的尺寸、结构可根据需要进行选择，而丰富有机官能团、多变的碳链长度，使得设计与调谐多孔碳的分级微结构与对碳掺杂成为可能，为大尺寸柔性多孔碳材料的制备提供了一种可行的途径。
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公开(公告)号：CN110415974A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910645580.2
申请日：2019-07-17
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米叠层结构金属氧化物柔性电容器及其制备方法，属于微纳电子技术－高密度电容器领域，利用低温PEALD方法制备基于Al-Hf-Sn-Ti-Al-O纳米叠层结构超薄金属氧化物的柔性电容器，制备的电容器既具有较高的电容密度，同时又具有较低的漏电流密度和电压线性度，而且可根据实际需要选择不同的制备条件可得到不同性能的柔性电容器。本发明利用低温PEALD制备方法，在80℃生长工艺下，通过调控金属前驱体脉冲序列循环比和循环数，获得了介质层厚度为20-30纳米厚的Al-Hf-Sn-Ti-Al-O纳米叠层m度2结，
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公开(公告)号：CN104746049B
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201510089462.X
申请日：2015-04-07
Applicant: 南京大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/56 , G01N21/65
Abstract: 本发明公开一种利用ALD制备金属纳米间隙的表面增强拉曼散射基底的方法，具体如下：（a）清洗衬底；（b）在衬底表面生成生成金属纳米颗粒；（c）在衬底表面沉积一层氧化物薄膜；（d）衬底表面再次沉积金属纳米颗粒；（e）将衬底置于酸性溶液或碱性溶液中腐蚀，即获得金属纳米间隙的表面增强拉曼散射基底；本发明利用ALD在金属颗粒之间引入均一的纳米级厚度的氧化物，再通过化学腐蚀的方法去除部分氧化物，以此来制备纳米级的金属间隙，并用来作为表面增强拉曼散射基底，该方法步骤简单、重复性好、成本低廉，所得基底具有优异的表面增强拉曼散射性能。
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