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公开(公告)号：CN118384930A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410312353.9
申请日：2024-03-19
Applicant: 江苏集创原子团簇科技研究院有限公司 , 南京大学
Abstract: 本发明属于原子团簇催化领域，特别涉及一种质量选择磁控溅射团簇源合成原子级催化剂的制备方法。具体包括以下步骤：制备一定浓度的石墨相氮化碳/甲醇悬浊液；将氮化碳均匀旋涂分散在硅片上；通过磁控溅射源合成原子团簇，并且设置质量选择参数与沉积电压将目标原子团簇沉积到衬底上。本发明通过质量选择磁控溅射团簇源，制备出精确原子级催化剂；原子被成功锚定在氮化碳上；设计调整沉积电压和质量选择系统，进一步提升催化剂的纯度与稳定性。
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公开(公告)号：CN116817804A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202311070225.X
申请日：2023-08-24
Applicant: 江苏集创原子团簇科技研究院有限公司 , 南京大学
Abstract: 本发明属于离子注入领域，具体涉及一种多层石墨烯中离子注入深度精确标定方法，具体为将某厚度的石墨烯纳米片均匀分散在电镜载网上；使用特定参数的团簇注入方法，对电镜载网上的石墨烯纳米片进行团簇注入；对电镜载网上注入团簇的石墨烯纳米片进行厚度标定，并统计石墨烯纳米片中注入的团簇密度；选取不同厚度的石墨烯纳米片，重复上述步骤；根据石墨烯纳米片中注入团簇密度的统计结果，得到注入的团簇密度发生锐减的石墨烯纳米片的厚度区间；根据得到的厚度区间，得到该特定参数的团簇注入方法在石墨烯材料上的注入深度。本发明可直观且精确地判断团簇注入深度。
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公开(公告)号：CN110702743B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201910983310.2
申请日：2019-10-16
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米机电氢气传感器及其制备方法，其中传感器包括自下至上依次设置的衬底层和至少一层铁电层，位于最上层的铁电层上设置有至少一根金属纳米线，每根金属纳米线上设置有至少一个裂结，所述金属纳米线的两端分别连接设置于最上层的铁电层上第一电极层，位于最下层的铁电层与衬底层之间设置有第二电极层，或者第二电极层设置并连接于非最上层的铁电层的外围；本发明采用铁电层/金属纳米线及其裂结的复合结构作为纳米机电氢气传感器的敏感模块，既充分利用了金属纳米线及其裂结的氢敏特性，又利用了铁电层在循环电场作用下对裂结的开闭状态的控制，使得这种结构纳米机电氢气传感器能获得寿命长更高灵敏的氢敏特性。
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公开(公告)号：CN111501086A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010558887.1
申请日：2020-06-18
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种利用高温回转炉生长高质量拓扑半金属InBi单晶的方法，块体是In、Bi元素以1:1化学计量比形成的化合物，是具有第二类狄拉克点的拓扑半金属材料，通过低场磁输运测试，块体单晶具有大的载流子浓度1018cm-3和高迁移率，14T未饱和磁阻MR的值到达12000％，低温1.5K、高场60T出项明显振荡；同时角分辨光电子能谱(ARPES)和X射线衍射光谱仪(XRD)的表征，证明了其很高的质量，ARPES分析在ΓXΓ和MXM方向上发现2条nodal-line。制备方法是高温融合后，以1℃/min的速率缓慢降温至室温结晶形成大块单晶，所获得的单晶表征ARPES和XRD信号均与文献记载相吻合，确定为高质量的块体，同时材料制备参数易调整，设备简单，易操作，生长过程可控，工艺重复性好，具有较高的制备效率。
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公开(公告)号：CN111398362A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010206656.4
申请日：2020-03-23
Applicant: 南京大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明公开了一种纳米机电氢气传感器及制备方法，氢气传感器包括衬底层、至少一层铁电层、金属纳米线、“裂结”、电极层，所述至少一层铁电层设置在所述衬底层上，所述金属纳米线形成在所述铁电层上，包括至少一根金属纳米线；所述“裂结”形成在所述金属纳米线上，每根金属纳米线包括至少一个“裂结”，第一电极层与所述金属纳米线接触，第二电极层与所述铁电层接触，并且这两电极层互相不接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110129747A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910131442.2
申请日：2019-02-22
Applicant: 南京大学
Abstract: 用于团簇束流源的电转向器，设有8个1/8金属球体安装于立方体框架的顶点处，正方体框架为陶瓷或者聚四氟乙烯材质的绝缘体；正方体框架边长为60±10cm。8个1/8球体相互独立，能够单独加上不同电压。8个1/8金属球体的球心在六面体的8个顶点上。本发明采用8个1/8球形电极上同时加上正或负电压，可以方便控制经过本发明控制体的离子束流，可以正以直线或发生偏转，可以按任意方式控制，尤其是电极的形状精确，施加的电压均衡，电控制束流的性能好。
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公开(公告)号：CN117912970A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410310355.4
申请日：2024-03-19
Applicant: 江苏集创原子团簇科技研究院有限公司 , 南京大学
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种基于原子团簇焊剂的半导体键合方法，属于集成电路制备技术领域。本发明通过磁控溅射法生成团簇束；再将团簇束沉积到衬底的表面，使团簇均匀的平铺在衬底的表面，形成团簇层；在温度低于传统焊剂材料熔点1/3以下的常压环境中，加热熔化团簇层，并将待键合的晶圆放置在团簇层上，以使衬底和上晶圆相互键合。本发明基于原子团簇焊剂的半导体键合技术基于团簇的流动性可以自适应晶圆表面不平整的形貌，实现对表面不平整晶圆的键合以及拓展到其他同材键合。
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公开(公告)号：CN116761439B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311063346.1
申请日：2023-08-23
Applicant: 江苏集创原子团簇科技研究院有限公司 , 南京大学
Abstract: 本发明属于信息技术领域，特别涉及一种原子级团簇存算器件及其制造方法。所述原子级团簇存算器件自下而上依次设置衬底及氧化层、栅电极和栅介质层；所述栅介质层上设置有至少一根导电电极，每根导电电极上设置有一个纳米级间隙；所述纳米级间隙的两边为源电极和漏电极，纳米级间隙中设置组合分子体系；所述组合分子体系为一个以上功能原子与单个分子的复合体系，其与源电极、漏电极形成良好的接触，所述组合分子体系具备单电偶极子双稳态的特征。
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公开(公告)号：CN116817804B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202311070225.X
申请日：2023-08-24
Applicant: 江苏集创原子团簇科技研究院有限公司 , 南京大学
Abstract: 本发明属于离子注入领域，具体涉及一种多层石墨烯中离子注入深度精确标定方法，具体为将某厚度的石墨烯纳米片均匀分散在电镜载网上；使用特定参数的团簇注入方法，对电镜载网上的石墨烯纳米片进行团簇注入；对电镜载网上注入团簇的石墨烯纳米片进行厚度标定，并统计石墨烯纳米片中注入的团簇密度；选取不同厚度的石墨烯纳米片，重复上述步骤；根据石墨烯纳米片中注入团簇密度的统计结果，得到注入的团簇密度发生锐减的石墨烯纳米片的厚度区间；根据得到的厚度区间，得到该特定参数的团簇注入方法在石墨烯材料上的注入深度。本发明可直观且精确地判断团簇注入深度。
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公开(公告)号：CN111487289A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010220952.X
申请日：2020-03-26
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种低功耗的氢气检测方法，为如下检测材料结构，包括自旋极化层、设置在自旋极化层上的阻隔层、设置在阻隔层上的钯金属层、设置在钯金属层两端的电极层；阻隔层是石墨烯、氧化铝、氧化镁或氮化硼；前述的自旋极化层可以是拓扑绝缘体、狄拉克半金属、外尔半金属或重金属；铁磁金属、铁磁半金属或铁磁绝缘体等等。钯金属层是钯的金属薄膜、金属纳米线或金属纳米线阵列；电极层是金、银、铜、铂、镍、铟层或者其他适合的导电材料的电极层；在吸收氢气之后，钯金属层体积膨胀，使得自发形成的电流发生明显的变化，钯金属层中的电流是自发形成的，不需要引入电源，因此大大减小了氢气检测的功耗，也满足了传感小型化的目标。
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