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公开(公告)号：CN109840896A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201910151604.9
申请日：2019-02-28
Applicant: 华南理工大学
IPC: G06T5/00
Abstract: 本发明公开了一种基于梯度和自适应曲率特征的图像去噪方法，包括：S1，将待检测图像上添加噪音，将添加噪音后的待检测图像输入到柔性IC封装基板上；S2，将柔性IC封装基板上的待检测图像灰度化；S3，利用基于梯度和自适应曲率特征的图像去噪模型按照预设的迭代次数对灰度化后的待检测图像进行迭代去噪；S4，在1到预设的曲率系数α的最大值n之间循环曲率系数，确定PSNR最大的去噪后的图像，作为输出图像，n≥2。本方案在基于梯度和自适应曲率特征的图像去噪模型中加入了水平集曲率作为检测因子，在去除噪音的同时有效的增强图像尖锐边缘，保留更多细节特征，增加了FICS缺陷检测的精准度。
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公开(公告)号：CN109242804A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201811222623.8
申请日：2018-10-19
Applicant: 华南理工大学
IPC: G06T5/00
Abstract: 本发明公开了一种基于水平集曲率及小波变换的图像去噪方法，包括：S1对含噪音的高密度柔性基板图像进行小波变换分层处理，S2对分层处理后的图像分别提取高频成分图像及低频成分图像，S3对高频成分图像建立图像水平集曲率变分平滑模型，进行图像平滑，S4对平滑后的高频图像与分层处理后的低频图像进行图像融合、重构得到去噪后的图像。本发明的新方法与其他去噪模型相比，具有更高的峰值信噪比和更高结构相似度。
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公开(公告)号：CN101239336B
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200810026687.0
申请日：2008-03-07
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明涉及高能球磨技术，具体是指一种等离子体辅助高能搅拌球磨装置。该装置是在现有搅拌球磨机的中心通过中间齿轮盖固定安装有与搅拌叶片轴同轴线的电极轴。所述搅拌叶片轴为圆柱筒开口式和分立柱式。本发明实现了将等离子体引入搅拌球磨机的目的，球磨速度加快，粒径分布比较窄，同时也有效地提高了球磨效率。克服了等离子体辅助高能振动式球磨机振动大，噪音大的不足。本发明装置结构简单，便于制造，方法易实现，能有效推动等离子体辅助高能球磨技术在微纳米大规模批量生产中应用和推广。
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公开(公告)号：CN101239334B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200810026688.5
申请日：2008-03-07
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明涉及高能球磨技术，具体是指一种等离子体辅助高能滚筒球磨装置。该装置是在传统滚筒球磨机基础上改造而成，具体是指的滚筒球磨机中心通过轴承座端盖固定安装有与滚筒体同轴线的电极轴。本装置实现了将等离子体引入滚筒球磨机的目的，球磨速度加快，粒径分布比较窄，同时也有效地提高了球磨效率。克服了等离子体辅助高能振动式球磨机振动大，噪音大的不足。本发明装置结构简单、合理，便于制造，方法易实现，能有效推动等离子体辅助高能球磨技术在微纳米大规模批量生产中应用和推广。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101219907B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200710031241.2
申请日：2007-11-02
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种复杂构型陶瓷单元体间粘接剂的涂布方法，适用于两复杂构型陶瓷单元体表面间粘接，且不残留粘接剂。本发明将丝网印刷技术转用于复杂构型陶瓷单元体表面粘接剂的涂布，其步骤及工艺条件包括：将无需粘接部分的载体丝网对进行覆盖，对应叠放在复杂构型陶瓷单元体的粘接面上，涂布粘接剂，涂布完毕后立刻取下丝网，随即叠放需粘接的另一块单元体；经后处理，烘干与烧成。本发明突破了传统思路，创造性的将丝网印刷原理转用于多个表面或内部有任意交错、倾斜的孔或槽的陶瓷单元体间的粘接工艺中。方法简便，不受粘接面形状、大小及面积的限制，具有很大的灵活性和广泛的实用性，可延伸应用于脆性材料间的粘接。
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公开(公告)号：CN110363775B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN201910540515.3
申请日：2019-06-21
Applicant: 华南理工大学
IPC: G06T7/11 , G06T7/00 , G06V10/762
Abstract: 本发明公开了一种基于区域型变分水平集的图像分割方法，包括构建分割模型的总能量泛函表达式，所述总能量泛函表达式由演化曲线内部的保真项、演化曲线外部保真项及正则项之和构成；将总能量泛函表达式代入欧拉公式，引进时间变量，利用梯度下降法获得最小化总体能量泛函，得到水平集函数公式；利用该水平集函数公式对半导体硅片图像进行分割。本方法的分割精度高于其他方法。
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公开(公告)号：CN114560468B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210175071.X
申请日：2022-02-25
Applicant: 金三江(肇庆)硅材料股份有限公司 , 华南理工大学 , 广州市飞雪材料科技有限公司
Abstract: 本发明属于纳米材料技术领域，具体涉及一种化学机械抛光用二氧化硅及其制备方法和应用。本发明提供的化学机械抛光用纳米球形二氧化硅的制备方法，以正硅酸乙酯（TEOS）为硅源，聚环氧乙烷‑聚环氧丙烷‑聚环氧乙烷三嵌段共聚物（P123）和自制的表面活性剂为结构导向剂，乙醇和水为共溶剂，各组分按特定的比例进行反应，可有效调控二氧化硅的梯度粒径至20~100nm，且粒径均一性好，有利于提高二氧化硅的分散性，应用于化学机械抛光液中，可以有效提高化学机械抛光的速率，减少材料抛光后的表面粗糙度，是作为半导体器件的化学抛光机械抛光液良好的磨料。
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公开(公告)号：CN109978843B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201910196050.4
申请日：2019-03-15
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种晶圆掺杂物的图像分割方法、系统、计算机设备及存储介质，所述方法包括：获取晶圆图像；构建区域型变分水平集模型；将晶圆图像输入区域型变分水平集模型，利用区域型变分水平集模型的总体能量泛函对晶圆图像进行分割，输出得到晶圆掺杂物的图像；所述系统包括获取模块、构建模块和分割模块。本发明通过将受噪音影响的晶圆图像输入构建的区域型变分水平集模型，利用区域型变分水平集模型的总体能量泛函对该晶圆图像进行分割，可以从该晶圆图像中准确分割出晶圆掺杂物，并且有利于提高对比度低的图像分割精度。
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公开(公告)号：CN109615617A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201811435047.5
申请日：2018-11-28
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种保凸间接正则水平集的图像分割方法，提出的能量泛函模型有三项组成，数据项、连接项、正则项，数据项是一种基于区域的模型，通过计算在一定范围内局部区域信息的拟合函数，从而引导轮廓向目标边界运动；连接项是水平集函数与辅助函数之间的连接项，使得水平集函数在演化过程中不能偏离辅助函数；正则项是辅助函数的正则项，避免水平集函数在演化过程中出现震荡。
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