公开(公告)号：CN103325863A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201310224531.4

申请日：2013-06-07

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李国强 ,  高芳亮 ,  吴平平 ,  李景灵 ,  管云芳

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了生长在GaAs衬底上的InGaAs薄膜，包括由下至上依次排列的GaAs衬底、InGaAs梯度缓冲层和In0.3Ga0.7As外延薄膜；InGaAs梯度缓冲层包括由下至上依次排列的In0.08～0.10Ga0.90～0.92As缓冲层、In0.17～0.19Ga0.81～0.83As缓冲层、In0.26～0.28Ga0.72～0.74As缓冲层和In0.32～0.34Ga0.66～0.68As缓冲层。本发明还公开了生长在GaAs衬底上的InGaAs薄膜的制备方法。本发明简单易行，梯度缓冲层结构合理优化、经济、高效、In0.3Ga0.7As外延薄膜缺陷密度低、晶体质量高，便于推广应用。

公开(公告)号：CN105006426B

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201510373122.X

申请日：2015-06-29

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 张曙光 ,  李国强 ,  温雷 ,  高芳亮 ,  李景灵

IPC: H01L21/20 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18 ,  H01L33/06 ,  H01L33/30

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种生长在GaAs衬底上的InAs量子点，由下至上依次包括GaAs衬底、InAs量子点层、GaAs盖层和In纳米结构层。本发明的另一目的在于提供上述生长在GaAs衬底上的InAs量子的制备方法：(1)对GaAs衬底进行清洗；(2)对GaAs衬底进行除气和脱氧预处理；(3)在GaAs衬底上生长InAs量子点层：(4)在InAs量子点层上覆盖GaAs盖层；(5)在GaAs盖层表面沉积In纳米结构层。本发明制备的生长在GaAs衬底上的InAs量子点，极大提高了InAs量子点的光致发光强度，且制备方法简单、成本较低，是一种制备强光致发光强度的高密度InAs量子点的有效方法。

公开(公告)号：CN104835718B

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201510129129.7

申请日：2015-03-23

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李国强 ,  温雷 ,  高芳亮 ,  张曙光 ,  李景灵 ,  管云芳

IPC: H01L21/02 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0304 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种生长在Si衬底上的GaAs薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)Si衬底清洗；(2)Si衬底预处理；(4)缓冲层的生长：在350～500℃的生长温度下，在经步骤(3)处理后的Si衬底表面生长2～20nm的InxGa1‑xAs缓冲层，0.08

公开(公告)号：CN103762256B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201410018708.X

申请日：2014-01-15

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李国强 ,  高芳亮 ,  管云芳 ,  温雷 ,  李景灵 ,  张曙光

IPC: H01L31/0304 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L21/02546 ,  C30B25/183 ,  C30B29/42 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/201 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/1848 ,  H01L31/1852 ,  Y02E10/544

Abstract: 本发明公开了生长在Si衬底上的InGaAs薄膜，包括依次排列的Si衬底、低温In0.4Ga0.6As缓冲层、高温In0.4Ga0.6As缓冲层以及In0.53Ga0.47As外延薄膜，低温In0.4Ga0.6As缓冲层为在350～380℃生长的In0.4Ga0.6As缓冲层；高温In0.4Ga0.6As缓冲层为在500～540℃生长的In0.4Ga0.6As缓冲层；低温In0.4Ga0.6As缓冲层和高温In0.4Ga0.6As缓冲层的厚度之和为10～20nm。本发明还公开了InGaAs薄膜的制备方法。本发明的生长在Si衬底上的InGaAs薄膜，晶体质量较好、几乎完全弛豫，且制备工艺简单。

公开(公告)号：CN105023962A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201510466401.0

申请日：2015-07-30

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李国强 ,  高芳亮 ,  温雷 ,  张曙光 ,  李景灵

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L21/02505 ,  C30B25/10 ,  C30B25/183 ,  C30B29/42 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02661 ,  H01L21/02694 ,  H01L21/3245 ,  H01L31/1852 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/184 ,  H01L31/1864

Abstract: 本发明公开了一种生长在Si衬底上的GaAs薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)Si(111)衬底清洗；(2)Si(111)衬底预处理；(3)Si(111)衬底脱氧化膜；(4)第一InxGa1-xAs缓冲层的生长；(5)第一InxGa1-xAs缓冲层的原位退火；(6)GaAs缓冲层的生长；(7)GaAs缓冲层的原位退火；(8)第二InxGa1-xAs缓冲层的生长；(9)第二InxGa1-xAs缓冲层的原位退火；(10)GaAs外延薄膜的生长。本发明还公开了生长在Si衬底上的GaAs薄膜。本发明得到的GaAs薄膜晶体质量好，表面平整，对半导体器件的制备，尤其是太阳电池领域，有着积极的促进意义。

公开(公告)号：CN105006426A

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201510373122.X

申请日：2015-06-29

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 张曙光 ,  李国强 ,  温雷 ,  高芳亮 ,  李景灵

IPC: H01L21/20 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18 ,  H01L33/06 ,  H01L33/30

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L21/2003 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/184 ,  H01L33/06 ,  H01L33/30

Abstract: 本发明公开了一种生长在GaAs衬底上的InAs量子点，由下至上依次包括GaAs衬底、InAs量子点层、GaAs盖层和In纳米结构层。本发明的另一目的在于提供上述生长在GaAs衬底上的InAs量子的制备方法：(1)对GaAs衬底进行清洗；(2)对GaAs衬底进行除气和脱氧预处理；(3)在GaAs衬底上生长InAs量子点层：(4)在InAs量子点层上覆盖GaAs盖层；(5)在GaAs盖层表面沉积In纳米结构层。本发明制备的生长在GaAs衬底上的InAs量子点，极大提高了InAs量子点的光致发光强度，且制备方法简单、成本较低，是一种制备强光致发光强度的高密度InAs量子点的有效方法。

公开(公告)号：CN104465725A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410681926.1

申请日：2014-11-24

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李国强 ,  高芳亮 ,  温雷 ,  李景灵 ,  管云芳 ,  张曙光

IPC: H01L29/201 ,  H01L31/0304 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02546 ,  H01L29/201 ,  H01L33/02

Abstract: 本发明公开了生长在Si衬底上的In0.3Ga0.7As薄膜，包括生长在Si衬底上的低温In0.28Ga0.72As缓冲层及生长在低温缓冲层上的InGaAs(Eg＝1.0eV)外延层薄膜。本发明还公开上述生长在Si衬底上的InGaAs薄膜的制备方法，低温生长的In0.28Ga0.72As缓冲层，缓冲层的退火工艺和In0.3Ga0.7As外延层薄膜的生长，均采用分子束外延生长的方法。本发明得到的In0.3Ga0.7As薄膜晶体质量好，表面平整，对半导体器件的制备，尤其是太阳电池领域，有着积极的促进意义。

公开(公告)号：CN104241409A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410421893.7

申请日：2014-08-25

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李国强 ,  李景灵 ,  高芳亮 ,  温雷 ,  张曙光

IPC: H01L31/0248 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/0735

Abstract: 本发明公开了一种在GaAs衬底上生长GaInNAs薄膜的方法，包括以下步骤：(1)清洗GaAs衬底；(2)对GaAs衬底进行除气预处理；(3)对GaAs衬底进行脱氧化膜处理；(4)生长GaAs浸润层；(5)生长InGaAs/GaAsN超晶格层；(6)生长GaInNAs外延层薄膜。本发明得到的GaInNAs薄膜晶体质量好，表面平整，对半导体器件的制备，尤其是太阳电池领域，有着积极的促进意义。

公开(公告)号：CN204991654U

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201520458641.1

申请日：2015-06-29

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 张曙光 ,  李国强 ,  温雷 ,  高芳亮 ,  李景灵

IPC: H01L21/20 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18 ,  H01L33/06 ,  H01L33/30

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本实用新型公开了一种生长在GaAs衬底上的InAs量子点，由下至上依次包括GaAs衬底、InAs量子点层、GaAs盖层和In纳米结构层。本实用新型的生长在GaAs衬底上的InAs量子点，极大提高了InAs量子点的光致发光强度，且制备方法简单、成本较低，是一种制备强光致发光强度的高密度InAs量子点的有效方法。

公开(公告)号：CN203826398U

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201420191792.0

申请日：2014-04-18

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李国强 ,  李景灵 ,  高芳亮 ,  管云芳 ,  温雷 ,  张曙光

IPC: H01L31/0304 ,  H01L31/0352

Abstract: 本实用新型公开了一种生长在GaAs衬底上的InGaAsN薄膜，包括生长在GaAs衬底上的GaAs缓冲层、生长在GaAs缓冲层上的InGaAsN外延层薄膜。本实用新型得到的InGaAsN薄膜表面平整、成分均匀，带宽为1eV，对半导体器件领域，尤其是太阳电池领域，有着积极的促进意义。