公开(公告)号：CN203434183U

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201320445718.2

申请日：2013-07-24

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李国强 ,  周仕忠 ,  何攀贵 ,  乔田 ,  王海燕 ,  林志霆

IPC: H01L33/22

Abstract: 本实用新型公开了一种优化的LED图形化衬底及LED芯片，其中一种优化的LED图形化衬底，衬底的图案由排列在衬底表面的多个形状相同的火山口图案组成；火山口图案为中心具有倒圆台凹坑的凸圆台图案；倒圆台凹坑的倾角α为30°～38°；倒圆台凹坑的深度h为对应倒圆锥图案深度H的85%～94%；倒圆台凹坑的宽度a为凸圆台上表面宽度A的93%～95%。所述LED芯片，包括上述优化的LED图形化衬底。本实用新型与现有技术相比，充分利用了圆台上表面的平面区域，增加有效光散射的斜面面积，具有比同高度、同底部宽度的其他图案图形化衬底更优的光提取效率。

公开(公告)号：CN202996889U

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201220696530.0

申请日：2012-12-15

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李国强 ,  王海燕 ,  何攀贵 ,  乔田 ,  周仕忠 ,  林志霆

IPC: H01L33/22

Abstract: 本实用新型公开了一种优化的LED芯片图形化衬底及LED芯片，衬底的图案由排列在衬底表面的多个形状相同的正六棱锥组成，正六棱锥的倾角α为55°~60°；相邻正六棱锥的边距d为1.0~1.2μm。本实用新型与现有技术相比，具有比普通衬底LED芯片更优的出光效率，大大增加了可利用的有效光线，提高LED芯片的外量子效率；正六棱锥图形符合GaN的晶格结构，有助于外延生长高质量GaN晶体，进一步改善了磊晶质量，从而提高了LED的内量子效率。

公开(公告)号：CN202996888U

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201220695892.8

申请日：2012-12-15

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李国强 ,  乔田 ,  王海燕 ,  周仕忠 ,  何攀贵 ,  林志霆

IPC: H01L33/22

Abstract: 本实用新型公开了一种LED图形优化衬底及LED芯片，衬底的图案由排列在衬底表面的多个形状相同的圆锥组成，每个圆锥的倾角α为55°~65°；相邻圆锥的边距d为0.4~0.6μm。本实用新型还公开了包括上述LED图形优化衬底的LED芯片。本实用新型与现有技术相比，具有比普通衬底LED芯片更优的出光效率，圆锥图形是目前工厂大规模LED芯片生产应用最广泛的图形之一，实际加工容易获得目标图案，便于推广应用。