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公开(公告)号：CN104668598B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201510069940.0
申请日：2015-02-09
Applicant: 华北水利水电大学
Abstract: 本发明公开了一种聚晶超硬刀具及其制备方法，所述聚晶超硬刀具包括刀体部和刃口部，所述刃口部位于所述刀体部两个以上表面的交汇处；所述刀体部与刃口部材料均为聚晶材料，刃口部材料的平均结晶度大于所述刀体部材料的平均结晶度。本发明的聚晶超硬刀具，刃口部材料的结晶度大于刀体部材料的结晶度，使刃口的应力减小，刃口的硬度提高，从而延长了刀具的使用寿命。本发明制备方法通过采用金属诱导的工艺，提高刃口的结晶度，从而减小刃口应力，同时提高刃口硬度，延长了刀具的使用寿命；该制备方法工艺简单，操作方便，适合大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN117233216A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311202492.8
申请日：2023-09-18
Applicant: 华北水利水电大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明属于氧化物气敏传感器领域，具体涉及一种双面电极型多孔硅基氧化物气敏传感器及其制备方法。该气敏传感器包括由下向上依次设置的硅基板、多孔硅层、氧化硅层和氧化物气敏层，所述氧化物气敏层上设有上电极，所述硅基板的背侧设有下电极；氧化物气敏层内设置有氧吸除材料区，所述氧化硅层内与氧吸除材料区对应位置设置有多孔硅区，多孔硅区的上部与氧吸除材料区相连通，下部与所述多孔硅层相连通，所述多孔硅区占据所述氧化硅层的一部分；所述氧吸除材料区的至少局部区域的上下方向上的电导率高于多孔硅的电导率。本发明利用氧吸除材料区在氧化硅层中形成空洞区域，降低了传感器的导通电阻，降低了器件工作电压。
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公开(公告)号：CN109632542B
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201811625665.6
申请日：2018-12-28
Applicant: 华北水利水电大学
IPC: G01N3/40
Abstract: 本发明属于物理测量技术领域，具体涉及一种测量硬质涂层硬度的方法。本发明的测量方法包括以下步骤：在待测样品的硬质涂层上设置热塑性有机材料涂层；将热塑性有机材料涂层加热软化，然后在热塑性有机材料涂层上压出压痕，冷却，测量压痕尺寸，计算硬质涂层硬度。本发明通过在硬质涂层上设置具有一定塑性的有机材料涂层来降低压头对压痕周边的涂层的冲击作用，减小其碎裂程度；同时未被压头直接压到的涂层，被塑性的有机材料涂层包裹，即使其下方的粘合层失效，也不会大片脱落。本发明的方法能够减少硬度测量时压头压出的压痕四周的裂纹数量以及裂纹尺寸，同时对压痕尺寸具有一定的放大，从而使得硬质涂层的硬度测量波动性小。
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公开(公告)号：CN108275661B
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201810039032.0
申请日：2018-01-16
Applicant: 华北水利水电大学
IPC: C01B21/064 , C30B1/10 , C30B1/12 , C30B29/38 , C30B29/04
Abstract: 本发明提出了一种提高立方氮化硼单晶/聚晶合成棒内部温度均匀性的方法，通过调整碳杯中电力线的分布来提高加热的均匀性,调整电力线分布，主要通过在中央增加辅助导电体从而在中央诱生额外的电力线，或者进一步的在导电片四周设置电力线阻挡环来减少四周的电力线，从而提高中央区域电力线的相对密度，在合成棒上下两端的径向中央区域附近形成一个电力线密集区（图2、3的M’处），提高该点的发热量，从而提高径向中央区域的温度，尤其是合成棒上下两端的径向中央区域的温度。
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公开(公告)号：CN104668598A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201510069940.0
申请日：2015-02-09
Applicant: 华北水利水电大学
Abstract: 本发明公开了一种聚晶超硬刀具及其制备方法，所述聚晶超硬刀具包括刀体部和刃口部，所述刃口部位于所述刀体部两个以上表面的交汇处；所述刀体部与刃口部材料均为聚晶材料，刃口部材料的平均结晶度大于所述刀体部材料的平均结晶度。本发明的聚晶超硬刀具，刃口部材料的结晶度大于刀体部材料的结晶度，使刃口的应力减小，刃口的硬度提高，从而延长了刀具的使用寿命。本发明制备方法通过采用金属诱导的工艺，提高刃口的结晶度，从而减小刃口应力，同时提高刃口硬度，延长了刀具的使用寿命；该制备方法工艺简单，操作方便，适合大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN215218647U
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202120704503.2
申请日：2021-04-07
Applicant: 华北水利水电大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本实用新型提供一种气敏传感器，用以解决现有的气敏传感器接触电阻高的问题。本实用新型的气敏传感器包括：支撑衬底，呈板状结构；绝缘隔离层，固设于支撑衬底上侧板面上；接触电极，固设于绝缘隔离层的上侧面上，成对设置且成对的两个接触电极相对布置；多孔硅层，设于绝缘隔离层上且将接触电极覆盖；接触电极连接有电极引线结构并用于将电信号导出。将接触电极设置在多孔硅层下方，先在绝缘隔离层上形成接触电极，然后设置多孔硅层，由于绝缘隔离层的性质较为稳定，在其上形成接触电极时不受温度、反应原料的限制，能够沉积更加良好的接触电极，进而使接触电极和多孔硅层形成欧姆接触，降低接触电极和多孔硅层之间的接触电阻。
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公开(公告)号：CN221078531U
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202322345665.3
申请日：2023-08-30
Applicant: 华北水利水电大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本实用新型涉及传感器技术领域，尤其涉及一种多孔硅气体传感器。一种多孔硅气体传感器，包括硅片和设置在硅片上的多孔硅层，多孔硅层上设有金属电极，多孔硅层和金属电极之间在对应于金属电极下方的区域设有隔层，隔层包括透明导电氧化物层，透明导电氧化物层与多孔硅层直接接触。通过在多孔硅层和金属电极之间设置隔层，利用隔层将金属电极和多孔硅层隔开，金属电极不与多孔硅层直接接触，可避免金属电极的金属元素扩散至多孔硅层中，从而保证多孔硅层的探测性能。
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公开(公告)号：CN219799495U
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202320951375.0
申请日：2023-04-24
Applicant: 华北水利水电大学
Inventor： 张巧丽
IPC: G01P21/02
Abstract: 本实用新型涉及一种运动测速实验装置，包括实验基座、标准测速组件、导轨安装槽、电动导轨、电动滑座和运动测速组件，所述实验基座的顶部端面一侧开设有导轨安装槽，且导轨安装槽的内部中央固定安装有电动导轨，所述电动导轨的顶部端面一侧设置有电动滑座，且电动滑座的顶部上方设置有运动测速组件，所述实验基座的顶部端面另一侧位于导轨安装槽的外部设置有标准测速组件；该运动测速实验装置，整体结构简单，便于上手使用，具有较低的操作门槛，大大提高了使用的方便性；能够对运动测速器具有牢固的安装固定效果，有效避免设备在检测实验过程中发生脱落影响检测的结果；同时，通过设置标准对照检测，能够有效提高检测精度。
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