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公开(公告)号：CN112259633A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202011157075.2
申请日：2020-10-26
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/115 , H01L31/0236 , H01L31/0216 , H01L31/18 , H01Q15/00 , H01Q15/10
Abstract: 本发明公开了一种基于超表面光学天线的红外射频信号探测器及其制备方法，包括自下而上依次设置的衬底、掺杂层和二氧化硅层，制作于掺杂层之上与掺杂层形成肖特基接触的超表面光学天线层，制作于掺杂层之上与掺杂层形成欧姆接触的欧姆电极，以及位于二氧化硅层的上表面的肖特基电极和普通电极；超表面光学天线层是由多个彼此间隔的金属层组成的阵列结构，金属层包括第一金属层和第二金属层，第一金属层为宽度为0.5～5mm具有周期性纳尖结构的金属纳尖阵列，第二金属层为宽度为5～100mm的金属阵列，由周期性排列的微米基元构成；超表面光学天线层对入射的红外、射频S、C或X波段的信号具有局域表面等离激元效应，能够以较小的体积完成响应速度较快的信号探测。
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公开(公告)号：CN105509894B
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201510897604.5
申请日：2015-12-07
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01J5/00
Abstract: 本发明公开了一种液晶基图像与波前双模电调成像探测芯片，包括液晶微光学结构、面阵可见光探测器和驱控预处理模块；液晶微光学结构在时序加电态下为面阵电控液晶微透镜；面阵可见光探测器被面阵电控液晶微透镜依其阵列规模划分成多个子面阵可见光探测器，每单元电控液晶微透镜与一个子面阵可见光探测器对应，构成测量波前模态；液晶微光学结构在时序断电态下为延迟入射波束的液晶相位板，它与面阵可见光探测器构成成像模态。本发明的一种液晶基图像与波前双模电调成像探测芯片基于时序电信号捕获目标的出射波前与高像质平面图像，探测效能高，使用方便，易与常规成像光学系统耦合。
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公开(公告)号：CN105791645B
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201610147937.0
申请日：2016-03-15
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种电调平面与三维光场双模成像探测芯片。包括电控液晶微光学结构和面阵光敏探测器；在电控液晶微光学结构上加载的信号电压的均方幅值高于某一阈值时，电控液晶微光学结构等效为面阵电控液晶微透镜，双模成像探测芯片呈现三维光场成像模式，在电控液晶微光学结构上加载的信号电压的均方幅值低于所述阈值或不加载信号电压时，电控液晶微光学结构等效为对入射光波具有延迟作用的液晶相移板，双模成像探测芯片被调变或切换为具有高空间分辨率的常规平面成像模式。本发明具有成像模式切换灵活，调光响应快，以及目标的高空间分辨率平面图像与其局域三维形态/姿态特征兼容获取的特点。
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公开(公告)号：CN105810704B
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201610145799.2
申请日：2016-03-15
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L27/146 , G01J5/20
Abstract: 本发明公开了一种广谱成像探测芯片。包括热辐射结构和光敏阵列。广谱入射光波进入热辐射结构后，在纳尖表面激励产生等离激元，驱动图形化金属膜中的自由电子向纳尖产生振荡性集聚，纳尖收集的自由电子与等离激元驱控下涌入的自由电子相叠合，产生压缩性脉动，使电子急剧升温并向周围空域发射主要成分为可见光的热电磁辐射，光敏阵列将热电磁辐射转换为电信号，经预处理后得到电子图像数据并输出。本发明能将广谱入射光波基于压缩在纳空间中的高温电子运动实现二次可见光辐射进而执行光电转换与成图操作，具有波谱适用范围宽、光电灵敏度高、光电响应快以及成本相对低廉的特点。
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公开(公告)号：CN104298029B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201410579907.8
申请日：2014-10-24
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02F1/1343 , G02F1/133 , G02F1/29 , G01J3/12
Abstract: 本发明公开了一种基于电控液晶红外发散平面微柱镜的红外波束控制芯片。其包括电控液晶红外发散平面微柱镜阵列；电控液晶红外发散平面微柱镜阵列包括液晶材料层，依次设置在液晶材料层上表面的第一液晶初始取向层、第一电隔离层、图形化电极层、第一基片和第一红外增透膜，以及依次设置在液晶材料层下表面的第二液晶初始取向层、第二电隔离层、公共电极层、第二基片和第二红外增透膜；公共电极层由一层匀质导电膜构成；图形化电极层由其上布有m×n元阵列分布的长方孔对的一层匀质导电膜构成。本发明能实现微长方光孔阵图形化光场的电控成形与调变，易与其它红外光学光电结构、电子和机械装置等匹配耦合，环境适应性好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104345508B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201410618045.5
申请日：2014-11-05
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1333 , G02F1/133
Abstract: 本发明公开了一种基于波前调节的电控液晶激光整形芯片。该芯片包括圆柱形的液晶调相架构；其包括液晶材料层，依次设置在液晶材料层上表面的第一液晶初始取向层、图形化电极层、第一基片和第一增透膜，以及依次设置在液晶材料层下表面的第二液晶初始取向层、公共电极层、第二基片和第二增透膜；公共电极层由一层匀质导电膜构成；图形化电极层由圆形导电膜和同心设置在圆形导电膜外围的至少一个圆环形导电膜构成，圆形导电膜的圆心与液晶调相架构的轴心重合；在圆环形导电膜为多个时，所有圆环形导电膜的径向宽度相等，相邻导电膜的径向间距相等。该芯片激光波束整形变动范围大，适应性好，体积和质量小，易与其它光学光电机械结构耦合。
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公开(公告)号：CN104298026B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201410577290.6
申请日：2014-10-24
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02F1/1343 , G02F1/133 , G02F1/29 , G01J3/12
Abstract: 本发明公开了一种基于电控液晶平面微透镜的波前控制芯片。芯片包括面阵电控液晶平面微透镜，其包括液晶材料层，依次设置在液晶材料层上表面的第一液晶初始取向层、图形化电极层、第一基片和第一增透膜，以及依次设置在液晶材料层下表面的第二液晶初始取向层、公共电极层、第二基片和第二增透膜；公共电极层由一层匀质导电膜构成；图形化电极层由m×n元阵列分布的子电极构成，每个子电极均由绕圆周呈十字叉型均匀分布的四个条状导电膜构成，单个子电极内的各条状导电膜互不接触。本发明能实现波前的受控调变、凝固、检录、搜索或跟踪以及复杂波前的构建，易与其它光学光电结构以及电子和机械装置耦合，环境适应性好。
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公开(公告)号：CN104241414B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410456538.3
申请日：2014-09-09
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/108 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种基于超材料的毫米波单谱信号探测器，包括自下而上依次设置的衬底层、N型砷化镓层、二氧化硅层与超材料层、欧姆电极和肖特基电极；其中超材料层为具有周期性微纳米结构的金属开环共振单元阵列，金属开环共振单元阵列包含了一种图形及其特征尺寸参数，该图形对于特定电磁波具有完全吸收特性，通过改变金属开环共振单元的结构和尺寸参数可以调控对应的电磁波吸收频段，通过改变N型砷化镓的耗尽层宽度可以调控超材料层中金属开环共振单元阵列的电磁波吸收强度。本发明超材料层中金属开环共振单元的波长选择性和完美吸收特性，具有高灵敏度和高速特性，通过选择特定金属开环共振单元结构可以将探测器工作于毫米波的一个特定波段。
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公开(公告)号：CN105826341A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610145847.8
申请日：2016-03-15
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14603
Abstract: 本发明公开了一种可寻址层析视场的液晶基成像探测芯片。包括面阵电控液晶成像微透镜和面阵光敏探测器，其中，单元电控液晶成像微透镜用于对目标通过物镜形成的压缩光场执行进一步的汇聚式压缩，通过调变加载在所述面阵电控液晶成像微透镜上的信号电压的均方幅值，调变所述单元电控液晶成像微透镜的光汇聚能力，进而调变由物镜和所述单元电控液晶成像微透镜共同确定的目标对焦平面，从而在深度方向上改变能清晰成像的目标图层，执行成像视场在深度方向上的可寻址层析检录。该芯片易与其它功能性光学、光电及电子学结构耦合，易于插入常规成像光路中替换传统光敏成像芯片执行寻址层析视场式的成像探测。
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公开(公告)号：CN104218116B
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201410454835.4
申请日：2014-09-09
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/108 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种基于超材料的远红外单谱信号探测器，包括自下而上依次设置的衬底层、N型砷化镓层、二氧化硅层与超材料层、欧姆电极和肖特基电极。超材料层为具有周期性微纳米结构的金属开环共振单元阵列，所述金属开环共振单元阵列包含了一种图形及其特征尺寸参数，该图形对于远红外电磁波具有完全吸收特性，通过改变金属开环共振单元的结构和尺寸参数可以调控对应的电磁波吸收频段，通过改变N型砷化镓的耗尽层宽度可以调控超材料层中金属开环共振单元阵列的电磁波吸收强度。本发明具有高灵敏度和高速特性，通过选择特定金属开环共振单元结构可以将探测器工作于远红外的一个特定波段。
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