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公开(公告)号：CN102502659A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110310115.7
申请日：2011-10-13
Applicant: 华中科技大学
IPC: C01B33/12
Abstract: 本发明公开了一种无裂缝的SiO2胶体晶体的制备方法，步骤为：①制备SiO2小球：②在600℃～700℃下烧结SiO2小球4～5小时，然后进行分散、静置和纯化；采用一般的固体作为基底；③将浓度为2.0～6.0wt％的SiO2小球胶体溶液，加热至79.1℃～79.4℃后保持恒温；在胶体溶液中插入基底；当胶体溶液中的溶剂挥发完毕时，取出胶体晶体，加热至90～110℃进行干燥处理4～5小时；④以胶体晶体作为基底，重复③，直到得到所需厚度的胶体晶体。该方法得到的胶体晶体具有结构稳定、厚度可控、超厚、无裂缝等优点。工艺简单，设备要求简单，具有安全、易操作和成本相对低廉等特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105551813B
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201610050806.0
申请日：2016-01-26
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明公开了一种MnO2/多孔碳膜/镍复合材料的制备方法，属于MnO2薄膜技术领域。其包括：S1将洁净干燥的镍片置于加热炉中，通入惰性气体；S2将加热炉升温至600℃～1100℃，通入氢和碳氢化合物混合气体，以形成渗透层和覆盖在渗透层的石墨烯层；S3取出表面具有渗透层和石墨烯层的镍片，并浸渍在腐蚀液中，浸渍时间为0.5h～24h，以使镍片上的渗透层变为多孔碳膜层；S4在常温常压下，镍片置于高锰酸钾和硫酸的混合溶液中，浸渍2h～48h。以上方法使得MnO2薄膜和多孔碳层结合牢固，不易破碎和脱落，本发明工艺简单，成本低，效果好，制备的MnO2/多孔碳膜/镍复合材料可直接应用。
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公开(公告)号：CN103643217B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310624301.7
申请日：2013-11-28
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种自支撑类石墨多孔非晶碳薄膜的制备方法，包括下述步骤：S1：对金属镍片衬底进行超声清洗，并烘干后放置于管式炉中；S2：向所述管式炉中通入惰性气体；S3：对所述管式炉进行升温处理使其达到600℃?720℃，向所述管式炉中通入氢气，并对所述金属镍片衬底进行热处理；S4：向所述管式炉中通入碳氢化合物，使得经过热处理后的金属镍片衬底催化碳氢化合物裂解后生长非晶碳薄膜；S5：对所述管式炉进行降温处理，并将生长有非晶碳薄膜的镍片浸泡在腐蚀液中腐蚀掉衬底镍片后获得自支撑类石墨多孔非晶碳薄膜。采用本发明制备方法对环境温度要求不高，制备得到的非晶碳薄膜具有多孔结构和自支撑结构，可以很方便转移至任何衬底。
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公开(公告)号：CN103738939B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201310495068.7
申请日：2013-10-21
Applicant: 华中科技大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明提供了一种石墨烯快速剥离的方法；该方法包括S1利用化学气相沉积法在镍片上生长石墨烯；其中生长温度为750℃～1000℃，生长时间为10～30分钟，生长时通入气体为甲烷10～80sccm和氢气5～10sccm并保持生长气压为常压；S2将所述附着有石墨烯的镍片浸泡在氯化铁溶液中，经过电化学腐蚀后获得剥离后的石墨烯。本发明可以在几十秒到几十分钟内把石墨烯无破损地从基底镍片上剥离下来。这为石墨烯的基础研究和应用提供一种快速的新途径。本发明操作简单，可以快速的把石墨烯转移到任何基片上；剥离后的石墨烯无破损和杂质；剥离石墨烯后的镍片可以继续用于石墨烯制备。
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公开(公告)号：CN103613094A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201310624078.6
申请日：2013-11-28
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种同时制备石墨烯和多孔非晶碳薄膜的方法，包括S1对金属镍片衬底进行超声清洗，并烘干后放置于管式炉中；S2向管式炉中通入惰性气体；S3对管式炉进行升温处理使其达到750℃～1000℃并保持10分钟～50分钟，向管式炉中通入氢气，并对金属镍片衬底进行热处理；S4向管式炉中通入流量为20sccm～100sccm的碳氢化合物，使得经过热处理后的金属镍片衬底催化碳氢化合物裂解以及镍片溶碳后同时生长石墨烯和非晶碳薄膜；S5对管式炉进行降温处理，并将生长有石墨烯和非晶碳薄膜的镍片浸泡在腐蚀液中腐蚀掉衬底镍片后获得石墨烯和多孔非晶碳薄膜。本发明以碳氢化合物为碳源，通过控制高温条件下碳源在衬底镍片表面的吸附裂解和镍片内溶入碳原子能够同时获得石墨烯和非晶碳薄膜。
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公开(公告)号：CN102502659B
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201110310115.7
申请日：2011-10-13
Applicant: 华中科技大学
IPC: C01B33/12
Abstract: 本发明公开了一种无裂缝的SiO2胶体晶体的制备方法，步骤为：①制备SiO2小球：②在600℃～700℃下烧结SiO2小球4～5小时，然后进行分散、静置和纯化；采用一般的固体作为基底；③将浓度为2.0～6.0wt％的SiO2小球胶体溶液，加热至79.1℃～79.4℃后保持恒温；在胶体溶液中插入基底；当胶体溶液中的溶剂挥发完毕时，取出胶体晶体，加热至90～110℃进行干燥处理4～5小时；④以胶体晶体作为基底，重复③，直到得到所需厚度的胶体晶体。该方法得到的胶体晶体具有结构稳定、厚度可控、超厚、无裂缝等优点。工艺简单，设备要求简单，具有安全、易操作和成本相对低廉等特点。
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