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公开(公告)号：CN113173650A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202110469375.2
申请日：2021-04-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: C02F3/34 , C12N1/20 , C12N1/36 , C12R1/23 , C12R1/125 , C12R1/01 , C02F101/30 , C02F101/16 , C02F101/10
Abstract: 本发明公开了一种复合微生物菌剂耦合过氧化钙处理化粪池污水的方法，包括加入改性过氧化钙、培养复合微生物菌剂、驯化复合微生物菌剂、处理污水四个步骤。其中复合微生物菌剂包含好氧反硝化菌、嗜酸乳杆菌、枯草芽孢杆菌及放线菌四种菌剂。本发明使用改性的过氧化钙，能够使得释氧更加稳定和长效；同时，相较于直接采用未改性的过氧化钙而言，改性过后的过氧化钙能够维持体系的pH值在8.0～8.5之间，维持相对稳定的外部环境，满足微生物菌落的生长需求，提高菌落的除污效率。本发明复合微生物菌剂和改性过氧化钙耦合对污水中COD的去除率达到60％～70％，对氨氮的去除率达90％～95％，对总磷去除率达90％～95％，对总氮去除率达90％～93％，相比传统处理方式效率大大提高。
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公开(公告)号：CN109359486B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201811242297.7
申请日：2018-10-24
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F21/72
Abstract: 本发明公开了一种加密与解密系统及其操作方法；包括密钥芯片、密文芯片、随机数产生器和外围电路，其中外围电路由控制器、读写电路、信号放大器和地址编码电路组成。加密前，随机数产生器产生随机信号写入密钥芯片中。加密时，先把明文数据写入密文芯片中，然后将明文数据与密钥芯片中作为密钥的部分单元地址关联，将密钥信号施加在明文数据单元上进行加密计算，即完成数据加密。解密时，读取密钥芯片中密钥，与密文芯片中密文进行解密计算，即完成数据解密。整个过程中，密钥芯片始终保持离线状态。本发明以电阻状态作为密钥，在硬件的基础上对明文数据加密，并覆盖原始数据，离线存储密钥，提高了信息保存的安全性并节约了功耗和延时。
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公开(公告)号：CN110572149B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201910734839.0
申请日：2019-08-09
Applicant: 华中科技大学
IPC: H03K19/20
Abstract: 本发明公开了一种Toffoli门电路及其操作方法，其中Toffoli门电路包括控制位忆阻器、操作位忆阻器、控制器，其中控制位忆阻器和操作位忆阻器的正极共同连接在一条阵列字线上，负极分别连接在不同的阵列位线上。利用忆阻器在不同操作电压下具有多阻态的特点，通过分别在控制位忆阻器和操作位忆阻器所在的字线和位线上输入不同的控制信号来控制忆阻器两端输入的电压从而改变忆阻器的状态，进而分别存储控制位信息和操作位信息。本发明仅采用两个忆阻器即可实现Toffoli可逆逻辑功能，电路复杂度较低，电路所占面积也较小。同时由于忆阻器具有非易失的特点，在逻辑功能完成后，逻辑输出直接存储在忆阻器中，无需额外的数据传输与存储，故延时及功耗较低。
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公开(公告)号：CN108111162B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201711358553.4
申请日：2017-12-17
Applicant: 华中科技大学
IPC: H03K19/173 , G11C13/00
Abstract: 本发明公开了一种运算电路及操作方法，计算阵列包括：1T1R阵列以及外围电路；1T1R阵列用于实现运算并存储运算结果，外围电路用于传输数据及控制信号，从而控制1T1R阵列的运算及存储过程；运算电路分别用于实现一位全加器、多位逐位进位加法器及其优化设计、二位数据选择器、多位进位选择加法器以及多位pre‑calculation加法器；运算电路对应的操作方法分别通过控制1T1R器件初始化的电阻状态、字线输入信号、位线输入信号以及源线输入信号完成相应的运算及存储过程。本发明实现了计算与存储的融合，降低了集成电路的复杂性，可实现16种基本的布尔逻辑运算以及多种复杂运算。
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公开(公告)号：CN108092658B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201711318680.1
申请日：2017-12-12
Applicant: 华中科技大学
IPC: H03K19/003 , H03K19/0948
Abstract: 本发明公开了一种逻辑电路操作方法；其中，逻辑电路包括阻变单元和场效应晶体管；阻变单元的正极作为第一输入端，阻变单元的负极与场效应晶体管的漏极连接后作为级联端，阻变单元的栅极作为第二输入端，场效应晶体管的源极作为接地端；第一输入端用于施加逻辑操作电压；级联端用于外接电路；第二输入端用于施加逻辑输入电压信号；接地端用于接地。进行逻辑操作时，在阻变单元的正极施加Set电压，场效应晶体管的源极接地，栅极接输入信号，以阻变单元的初始阻态作为另一输入，即可实现IMP逻辑功能；通过多步重复操作或外接电路可在这一结构中完成NAND等多种逻辑操作。本发明可实现多种逻辑功能，同时操作简单、易于控制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110445489A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910672231.X
申请日：2019-07-24
Applicant: 华中科技大学
IPC: H03K19/20 , H03K19/00 , H03K19/003
Abstract: 本发明公开了一种数位比较电路及其操作方法，数位比较电路由忆阻器和晶体管组成，其中忆阻器的负极与晶体管的漏极相连，忆阻器用于基于状态的变化来进行数位比较，晶体管用于通过调节栅极电压来控制流经忆阻器的电流进而控制忆阻器的阻值，改变忆阻器状态。通过在晶体管的栅极输入大于晶体管开启电压的电压，使晶体管导通，利用晶体管的调控特性和忆阻器在不同操作电压下具有多阻态的特点，以电压信号为输入，电阻态为输出，根据输出结果判断输入之间的大小关系，实现了数位比较功能，其扩展性较强，易扩展成多位二进制数位比较电路，电路所占面积较小，电路复杂度低。
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公开(公告)号：CN109905115A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910145406.1
申请日：2019-02-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种可逆逻辑电路及其操作方法，逻辑电路包括阻变单元、字线和位线，字线和位线相互垂直，阻变单元的正极与字线相连，作为第一输入端用于施加逻辑操作电压或者接地，阻变单元的负极与位线相连，作为第二输入端用于施加逻辑操作电压或者接地。进行可逆逻辑操作时，阻变单元四级电阻态作为逻辑输出，可实现单输入NOT和二输入C-NOT可逆逻辑功能。本发明仅利用一个阻变单元实现了单输入和二输入可逆逻辑功能，所需器件数少，操作简单，为可逆逻辑的实现提供了备选方案；同时逻辑运算结果直接非易失地存储在阻变单元的电阻状态中，实现了存储与计算的融合。
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公开(公告)号：CN115529884B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211371270.4
申请日：2022-11-03
Applicant: 华中科技大学
IPC: A01B79/02 , C09K17/40 , C09K101/00 , C09K105/00
Abstract: 本发明公开了一种改性生物炭与菌藻联用治理荒漠化土壤的方法，本发明利用黄腐酸对生物炭进行改性，可有效缓解生物炭的高pH值问题，同时提高了生物炭的吸附能力，再将改性生物炭、钙磷复合料和维涅兰德固氮菌粉进行共混，改性生物炭和钙磷复合料为维涅兰德固氮菌提供营养来源和避难所，保证了维涅兰德固氮菌的微生物成活率；由于磷是除氮之外的第二营养元素，在土壤中溶解性相当低，土壤中95％的磷为生物无效态磷，导致有限的有效磷含量限制了土壤微生物和植物的生长，本发明提供的固氮菌能将钙磷复合料中的磷元素传递给具鞘微鞘藻，促进了具鞘微鞘藻的生长；此外固氮菌还能分泌胞外聚合物，并转化为有机质，起到粘结土壤颗粒和矿物质的作用。
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公开(公告)号：CN110572149A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910734839.0
申请日：2019-08-09
Applicant: 华中科技大学
IPC: H03K19/20
Abstract: 本发明公开了一种Toffoli门电路及其操作方法，其中Toffoli门电路包括控制位忆阻器、操作位忆阻器、控制器，其中控制位忆阻器和操作位忆阻器的正极共同连接在一条阵列字线上，负极分别连接在不同的阵列位线上。利用忆阻器在不同操作电压下具有多阻态的特点，通过分别在控制位忆阻器和操作位忆阻器所在的字线和位线上输入不同的控制信号来控制忆阻器两端输入的电压从而改变忆阻器的状态，进而分别存储控制位信息和操作位信息。本发明仅采用两个忆阻器即可实现Toffoli可逆逻辑功能，电路复杂度较低，电路所占面积也较小。同时由于忆阻器具有非易失的特点，在逻辑功能完成后，逻辑输出直接存储在忆阻器中，无需额外的数据传输与存储，故延时及功耗较低。
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公开(公告)号：CN108092658A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711318680.1
申请日：2017-12-12
Applicant: 华中科技大学
IPC: H03K19/003 , H03K19/0948
Abstract: 本发明公开了一种逻辑电路及其操作方法；逻辑电路包括阻变单元和场效应晶体管；阻变单元的正极作为第一输入端，阻变单元的负极与场效应晶体管的漏极连接后作为级联端，阻变单元的栅极作为第二输入端，场效应晶体管的源极作为接地端；第一输入端用于施加逻辑操作电压；级联端用于外接电路；第二输入端用于施加逻辑输入电压信号；接地端用于接地。进行逻辑操作时，在阻变单元的正极施加Set电压，场效应晶体管的源极接地，栅极接输入信号，以阻变单元的初始阻态作为另一输入，即可实现IMP逻辑功能；通过多步重复操作或外接电路可在这一结构中完成NAND等多种逻辑操作。本发明可实现多种逻辑功能，同时操作简单、易于控制。
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