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公开(公告)号：CN114672545A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210453089.1
申请日：2022-04-24
Applicant: 华中科技大学
IPC: C12Q1/6858 , C12Q1/6869
Abstract: 本发明属于生物技术领域，具体公开了一种单碱基分辨率检测RNA中N6‑异戊烯基腺嘌呤修饰的方法，包括：S1、向待检测RNA中加入碘，RNA上的N6‑异戊烯基腺嘌呤和碘发生加成反应，使得N6‑异戊烯基腺嘌呤的N1和N6位形成环化结构；S2、向加成反应后的RNA中加入AMV逆转录酶，RNA中的N1，N6环化腺嘌呤在AMV逆转录酶作用下逆转录成DNA的过程中，碱基互补配对时出现错误，通过核酸测序手段识别突变位点，从而得到RNA上i6A修饰位点。本发明方法能够高效、单碱基分辨率检测RNA中的i6A修饰，为i6A的单碱基分辨率的全转录组图谱提供理论依据，并有可能进一步阐明N6‑异戊烯基腺嘌呤生物学功能。
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公开(公告)号：CN110197829B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201910453807.3
申请日：2019-05-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11578 , H01L27/1158 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种3D NAND闪存器件及其包覆型硅纳米管的制备方法，属于3D NAND闪存领域。该包覆型硅纳米管的制备方法该存储器件以碳纳米管为模板，在所述碳纳米管内腔沉积Ni层，然后煅烧去除碳纳米管同时将Ni层氧化得到NiO纳米线，再利用化学气相沉积在NiO纳米线外部沉积Si层，最后去除NiO纳米线即得到包覆型硅纳米管。该3D NAND闪存器件由包覆型纳米管作为NAND串组成，可以有效简化器件结构，也减少了原有器件制作过程中复杂的制造工艺步骤，简化了制备过程，对降低制造成本有积极作用。同时多步模板复制法的使用使制备的纳米管管径和管壁更加均匀，管壁厚度更加可控。
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公开(公告)号：CN111909993A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010734230.6
申请日：2020-07-27
Applicant: 华中科技大学
IPC: C12Q1/6876 , C12Q1/6872 , G01N33/68
Abstract: 本发明属于蛋白质组学和核酸表观遗传学领域，更具体地，涉及一种异戊烯类修饰的生物分子的分子探针及其应用。本发明异戊烯类修饰的生物分子的分子探针，其分子结构中包括能够与异戊烯类修饰的生物分子中的异戊烯基团特异性反应，并形成包含氟原子、叠氮或碳碳三键取代基结构的功能性分子。利用接近生理条件下的[2,3]-重排反应，使本发明的分子探针特异性的与生物大分子的异戊烯结构片段进行高选择性反应，从而对具有异戊烯片段的蛋白或核酸等生物大分子进行定位、标记或富集，从蛋白组或转录组层面对具有异戊烯修饰的生物大分子进行质谱定量和定性。
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公开(公告)号：CN105633111A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610128791.5
申请日：2016-03-08
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: G11C11/161 , G11C11/1675 , H01L27/222 , G11C11/15 , G11C11/16
Abstract: 本发明公开了一种电场辅助写入型磁隧道结单元及其写入方法；电场辅助磁隧道结单元具有双势垒结构，包括第一电极层，以及依次形成在第一电极层上的第一磁性层、第一绝缘隧穿层、第二磁性层、第一金属层、第二绝缘层和第二电极层。第一磁性层为参照层RL，第一绝缘层为隧穿层I，第二磁性层为自由层FL，第一金属层为非磁金属层NM，第二绝缘层为介电层I*；当在磁隧道结单元的两端施加电压时，电场通过两个绝缘层引入到I/FL和FL/NM界面，从而调控I/FL的界面磁各向异性，并控制FL/NM的界面磁各向异性。写入方法应用了连续施加的双脉冲，能够在写入时利用所施加的电场来降低磁各向异性的大小，从而减小写入难度，极大降低器件功耗。
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公开(公告)号：CN111909993B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202010734230.6
申请日：2020-07-27
Applicant: 华中科技大学
IPC: C12Q1/6876 , C12Q1/6872 , G01N33/68
Abstract: 本发明属于蛋白质组学和核酸表观遗传学领域，更具体地，涉及一种异戊烯类修饰的生物分子的分子探针及其应用。本发明异戊烯类修饰的生物分子的分子探针，其分子结构中包括能够与异戊烯类修饰的生物分子中的异戊烯基团特异性反应，并形成包含氟原子、叠氮或碳碳三键取代基结构的功能性分子。利用接近生理条件下的[2,3]‑重排反应，使本发明的分子探针特异性的与生物大分子的异戊烯结构片段进行高选择性反应，从而对具有异戊烯片段的蛋白或核酸等生物大分子进行定位、标记或富集，从蛋白组或转录组层面对具有异戊烯修饰的生物大分子进行质谱定量和定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110197829A
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201910453807.3
申请日：2019-05-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11578 , H01L27/1158 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种3D NAND闪存器件及其包覆型硅纳米管的制备方法，属于3D NAND闪存领域。该包覆型硅纳米管的制备方法该存储器件以碳纳米管为模板，在所述碳纳米管内腔沉积Ni层，然后煅烧去除碳纳米管同时将Ni层氧化得到NiO纳米线，再利用化学气相沉积在NiO纳米线外部沉积Si层，最后去除NiO纳米线即得到包覆型硅纳米管。该3D NAND闪存器件由包覆型纳米管作为NAND串组成，可以有效简化器件结构，也减少了原有器件制作过程中复杂的制造工艺步骤，简化了制备过程，对降低制造成本有积极作用。同时多步模板复制法的使用使制备的纳米管管径和管壁更加均匀，管壁厚度更加可控。
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公开(公告)号：CN106206935B
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201610553896.5
申请日：2016-07-14
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L43/12
Abstract: 本发明公开了一种控制自旋波传输的方法，该发明属于自旋电子学领域。本方法通过在自旋波波导结构上施加电场，可以有效改变磁性波导材料内部交换作用强度。通过电场控制交换常数大小，可以达到调控自旋波色散关系进而实现控制自旋波传输的目的。本发明通过电场控制交换作用，可以超低功耗实现对自旋波传输的局部精确控制，为超低功耗、CMOS工艺流程兼容的磁振子学器件实际应用提供了可能。
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公开(公告)号：CN105405968A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510737112.X
申请日：2015-11-03
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: H01L43/12 , H01F1/0036 , H01L43/10
Abstract: 本发明公开了一种调整半金属磁体电子能带结构的方法及其产物，其中调整半金属磁体电子能带结构的方法是通过向半金属磁体中同时掺杂Ge元素和Te元素，以调节所述半金属磁体电子能带结构中费米能级的位置，从而起到调整半金属磁体电子能带结构的作用。本发明通过对关键的掺杂元素种类、掺杂位置、掺杂量等进行改进，能够调整费米能级在带隙中的相对位置以及带隙的宽度，并提高半金属磁体的稳定性。通过本发明方法得到的掺杂半金属磁体，其费米能级接近带隙的中间，且自旋向下的带隙被扩大，是一种更加稳定的自旋极化率为100％的铁磁性材料，可显著提高器件的磁电阻效应。
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公开(公告)号：CN100517897C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200610125129.0
申请日：2006-11-24
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种接地变压器中性点直流电流抑制装置，属于电气工程技术领域。该装置的特征在于它含有隔直电容器、直接并联于隔直电容器两端的晶闸管固态开关及其触发单元、限流电抗器、旁路开关。本发明能有效地抑制由高压直流输电或地磁风暴引起的变压器中性点直流电流，避免了变压器由于直流偏磁导致的谐波增加、噪声增大、过热以及可能引起的保护误动等问题。本发明可以略去不控整流部分，使结构简化，成本降低；反向并联的晶闸管的关断结构简单，无需外接反向电压。
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公开(公告)号：CN200976492Y
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200620157555.8
申请日：2006-11-24
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种接地变压器中性点直流电流抑制装置，属于电气工程技术领域。该装置的特征在于它含有隔直电容器、直接并联于隔直电容器两端的晶闸管固态开关及其触发单元、限流电抗器、旁路开关。本实用新型能有效地抑制由高压直流输电或地磁风暴引起的变压器中性点直流电流，避免了变压器由于直流偏磁导致的谐波增加、噪声增大、过热以及可能引起的保护误动等问题。本实用新型可以略去不控整流部分，使结构简化，成本降低；反向并联的晶闸管的关断结构简单，无需外接反向电压。
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