-
公开(公告)号：CN111484333A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201910081721.2
申请日：2019-01-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/581 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/64 , C04B41/00
Abstract: 本发明属于陶瓷材料技术领域，更具体的，涉及一种无压烧结高热导率高强度的氮化铝陶瓷的制备。本发明通过将无压烧结得到的氮化铝烧结体进行氧化处理制备氮化铝陶瓷，适当的氧化处理可以在氮化铝烧结体表面形成厚度适当且致密的氧化层，氧化层的形成可以增加氮化铝基体内的残余压应力，残余应力的改变有助于阻止氮化铝陶瓷内裂纹的扩展并降低氮化铝晶界的接触热阻。本发明所提供的氮化铝陶瓷，在氧化处理后可使其热导率提高至185～210W/(m·K)，抗弯强度提高至390～460MPa，介电常数为9～10，介电损耗为0.8×10-3～2.4×10-3，可以满足半导体器件和集成电路等产业的应用要求。
-
公开(公告)号：CN108249902B
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201810125883.7
申请日：2018-02-06
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种硅酸盐基低介微波介质陶瓷及其制备方法，其中微波介质陶瓷包括主晶相，主晶相的化学式是AxBSiyO1+x+2y，其中，A为Ba1‑zSrz、Ba1‑zCaz或者Sr1‑zCaz，B为Cu或者Mg，0.5≤x≤2，1≤y≤4，0≤z≤1。微波介质陶瓷的介电常数为4.2～12，微波介质陶瓷的品质因数为7729GHz～82071GHz。微波介质陶瓷的谐振频率温度系数为‑60ppm/℃～‑1.2ppm/℃。在制备过程中烧结温度为950℃～1125℃。可以看出，本发明制备时烧结温度的范围较大，制备得到的微波介质陶瓷具有低介、高品质因数、谐振频率温度系数可调控至近零的特点。
-
公开(公告)号：CN104326500B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201410555047.4
申请日：2014-10-17
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种蓬松态纳米氧化钇粉体的制备方法，属于超细纳米粉体合成技术领域。先将含钇无机盐、去离子水和络合剂混合，在室温下搅拌均匀得到含钇的浆液，含钇无机盐和络合剂的重量比为8/0.5～8/10；当目标产物为RE:Y2O3时，含钇无机盐中掺杂有稀土离子；再将浆液，或者由浆液得到的溶胶或干凝胶在400～900℃进行煅烧，使其充分分解，得到蓬松态Y2O3或RE:Y2O3纳米粉体。本发明利用新型络合剂通过燃烧法制备团聚小、粒径小且分布窄的纳米氧化钇，可有效避免所制备样品的后期粉碎、研磨等处理。该方法操作简单、合成温度低、周期短、易于工业化；有利于制备多种掺杂元素的复合氧化钇纳米粉体；可通过控制络合剂的加入量，制备不同粒度区间分布的纳米粉体。
-
公开(公告)号：CN104129976B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201410337434.0
申请日：2014-07-16
Applicant: 华中科技大学 , 中国电子科技集团公司第四十六研究所
IPC: C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/462 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种低温共烧陶瓷材料及其制备方法。用化学通式(1-x-y)ZnO-xMnO2-yTiO2-uH3BO3-wZBG表示所述陶瓷材料的组成，其中，(1-x-y)ZnO-xMnO2-yTiO2为基体陶瓷粉体，ZnO、MnO2和TiO2的摩尔比为(1-x-y):x:y，u为H3BO3占所述陶瓷材料的质量百分比，ZBG表示锌硼玻璃，w为锌硼玻璃占所述陶瓷材料的质量百分比，0
-
公开(公告)号：CN104326500A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201410555047.4
申请日：2014-10-17
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: C01F17/0043 , C01P2004/03 , C01P2004/64
Abstract: 本发明公开了一种蓬松态纳米氧化钇粉体的制备方法，属于超细纳米粉体合成技术领域。先将含钇无机盐、去离子水和络合剂混合，在室温下搅拌均匀得到含钇的浆液，含钇无机盐和络合剂的重量比为8/0.5～8/10；当目标产物为RE:Y2O3时，含钇无机盐中掺杂有稀土离子；再将浆液，或者由浆液得到的溶胶或干凝胶在400～900℃进行煅烧，使其充分分解，得到蓬松态Y2O3或RE:Y2O3纳米粉体。本发明利用新型络合剂通过燃烧法制备团聚小、粒径小且分布窄的纳米氧化钇，可有效避免所制备样品的后期粉碎、研磨等处理。该方法操作简单、合成温度低、周期短、易于工业化；有利于制备多种掺杂元素的复合氧化钇纳米粉体；可通过控制络合剂的加入量，制备不同粒度区间分布的纳米粉体。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1317226C
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200510019420.5
申请日：2005-09-09
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 低介电常数微波介质陶瓷材料，属于微波介质陶瓷材料，目的是其具有低损耗与良好的温度稳定性，同时介电常数低于10。本发明为表达式为uZnO-vSiO2-wTiO2的固溶体介质陶瓷，其中58.0mol.%≤u≤69.0mol.%，28.0mol.%≤v≤35.0mol.%，3.0mol.%≤w≤7mol.%，其主晶相为Zn2SiO4，副相为TiO2。本发明的微波介质陶瓷材料，介电常数在7～8之间，突破了传统低介电常数微波介质陶瓷介电常数一般高于20的界限，同时具有低的微波介电损耗和较小的谐振频率温度系数，可用于通讯系统中的介质天线、介质基板等微波元器件。
-
公开(公告)号：CN1850718A
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN200610019081.5
申请日：2006-05-16
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/622
Abstract: 一种钛酸铋钠基无铅压电陶瓷，属于压电陶瓷材料，目的在于降低矫顽场，提高压电性能。本发明基料摩尔比和成分表达式为：(1－x－y)(Bi1/2Na1/2)TiO3－x(Bi1/2K1/2)TiO3－yKNbO3，式中0≤x＜1，0＜y＜0.2，0＜(x+y)＜1；并采用下述方法制备：(1)按所述表达式的化学计量比称取Bi2O3、Na2CO3、(COOK)2·H2O、TiO2、Nb2O5为原料，用纯酒精作为介质球磨；(2)球磨后的粉料烘干后在800℃～850℃预烧2h，加粘合剂成型；(3)在1100℃～1180℃之间烧结2～3小时；(4)烧结后的陶瓷片上制备银电极，在30℃～60℃的硅油中，在4～5kV/mm的电压下极化10～15分钟；本发明压电陶瓷组合物的d33可达190pC/N以上，Kp可达0.37以上，且工艺稳定，适合应用于压电振子和超声换能器等领域。
-
公开(公告)号：CN119661233A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411972097.2
申请日：2024-12-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/581 , C04B35/622 , C04B35/624 , C04B35/638 , C04B35/64
Abstract: 本发明涉及一种氮化铝陶瓷坯体及其制备方法和应用，该氮化铝陶瓷坯体是由水基氮化铝陶瓷浆料自凝固成型制得；按质量百分比计，水基氮化铝陶瓷浆料包括AlN粉体70～75%、水18～25%、凝胶剂0.2～1%、分散剂0.3～0.8%、改性剂0.3～1.2%以及助烧剂0.5～4.5%。本发明以AlN粉体为主料，配合少量凝胶剂、分散剂、改性剂以及助烧剂，在水的作用下经球磨得到水基氮化铝陶瓷浆料，再制得氮化铝陶瓷坯体，该坯体的强度高，达到4.1～5.2MPa，且经烧结所得氮化铝陶瓷的瓷体均一性好，其平均热导率在160 W/m·K以上，热导率的离散系数在0.015及以下。
-
公开(公告)号：CN113725600B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202111039981.7
申请日：2021-09-06
Applicant: 华中科技大学温州先进制造技术研究院
Abstract: 本发明专利公开了一种用于毫米波汽车雷达的MIMO阵列天线，由三层介质材料和四层金属构成。金属层包括辐射层、天线反射层、带状线馈电层和底部地板层。辐射层刻蚀有由组合天线构成的MIMO阵列天线，天线布阵包括沿横向均匀排布阵间距为d的第一至第八接收天线与沿横向均匀排布阵间距为4d的第一至第三发射天线，其中，第二发射天线沿纵向有一个偏移量d。组合天线由网格单元与贴片单元两种形式的辐射单元构成，每个天线由两个以上等距离排列的相同的网格辐射单元组成，网格单元的非辐射边由弯曲弧线代替了传统的直线，辐射边由渐变式微带线代替了传统的同宽度微带线。在网格单元中间的空白区域添加了贴片单元并与单元间连接段组成了串联贴片天线，有效利用了天线面积。本发明专利采用MIMO技术对毫米波雷达阵列天线进行了设计，通过合成的虚拟阵列，一方面实现了雷达俯仰面探测功能，提升了雷达探测的自由度。另一方面拓宽了天线孔径，提高了雷达角分辨率，适合用于毫米波汽车雷达。
-
公开(公告)号：CN113087518B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202110232673.X
申请日：2021-03-03
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622 , H01Q15/02 , H01Q19/06
Abstract: 本发明公开了一种微波介质陶瓷、微波介质陶瓷调控剂及其3D打印透镜加载介质谐振器天线。微波介质陶瓷包括主晶相，主晶相的化学式是Ba(1‑x)*(1‑y)Sr(1‑x)*yZn2‑0.2xSi2‑xO7‑3.2x，0≤x≤1，0≤y≤0.8。该陶瓷具有低介电常数(εr＝6.5～8.6)、较高的品质因数(Q×f＝7676～109094GHz)、烧结温度为(1200℃～1350℃)，其热膨胀系数可以自调控，范围为‑10～10.1ppm/℃，是一种具有热膨胀系数自调控的微波介质陶瓷材料，该微波介质陶瓷可以作为一种3D打印透镜加载介质谐振器天线，其介质谐振器结构由上部分的陶瓷透镜、中间部分支撑结构和下部分的陶瓷圆柱经3D打印一体化制成。本发明适用于变温场景的5G高频段通信系统，具有高增益、高效率、高热稳定性、结构简单、易集成的特点，解决现有毫米波介质谐振器天线增益较低的难题。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
59
records
(took 0.018 seconds)
