公开(公告)号：CN106542828A

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201610906824.4

申请日：2016-10-18

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 吕文中 ,  丁利文 ,  范桂芬 ,  姜海 ,  史玉升 ,  李晨辉

IPC: C04B35/581 ,  C04B35/63 ,  C04B35/64

CPC classification number: C04B35/581 ,  C04B35/6303 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/5436

Abstract: 本发明公开了一种低温烧结高热导率的氮化铝陶瓷，包括氮化铝、氧化钇和氟化镧，氮化铝的质量百分比为95％～97％，氧化钇的质量百分比为2％，氟化镧的质量百分比为1％～3％。还公开了制备氮化铝陶瓷的方法，包括将氮化铝粉体、氧化钇和氟化镧混合，经湿法球磨、干燥、造粒、压制并烧结，制得氮化铝陶瓷。本发明所提供的氮化铝陶瓷烧结温度低至1700℃～1800℃，其热导率可达到160～200W/(m·K)，介电常数为9～10，介电损耗为0.8×10-3～1.3×10-3，可以满足半导体器件和集成电路等产业的应用要求。

公开(公告)号：CN111484333A

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN201910081721.2

申请日：2019-01-28

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 汪小红 ,  姜海 ,  吕文中 ,  范桂芬 ,  雷文 ,  付明 ,  王晓川 ,  梁飞

IPC: C04B35/581 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  C04B35/64 ,  C04B41/00

Abstract: 本发明属于陶瓷材料技术领域，更具体的，涉及一种无压烧结高热导率高强度的氮化铝陶瓷的制备。本发明通过将无压烧结得到的氮化铝烧结体进行氧化处理制备氮化铝陶瓷，适当的氧化处理可以在氮化铝烧结体表面形成厚度适当且致密的氧化层，氧化层的形成可以增加氮化铝基体内的残余压应力，残余应力的改变有助于阻止氮化铝陶瓷内裂纹的扩展并降低氮化铝晶界的接触热阻。本发明所提供的氮化铝陶瓷，在氧化处理后可使其热导率提高至185～210W/(m·K)，抗弯强度提高至390～460MPa，介电常数为9～10，介电损耗为0.8×10-3～2.4×10-3，可以满足半导体器件和集成电路等产业的应用要求。