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公开(公告)号：CN116759277A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310750533.0
申请日：2023-06-25
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于真空微电子技术领域，具体涉及一种提高电子源栅网电子透过率的方法，包括在电子源的栅网结构中各阵列单元表面及侧壁的金属导电层上沉积驻极体材料，其中，金属导电层经引线引出；对驻极体材料充电以形成驻极体，驻极体的形成使得栅网的各个阵列单元之间产生聚焦电场，形成的聚焦电场会改变阵列化阴极发射体所发射电子的运动轨迹，使得阵列化阴极发射体发射的电子不会轰击到栅网表面从而越过栅网发射出去。本发明方法中栅网表面沉积驻极体材料，利用驻极体材料表面的空间电荷分布改变阴极所发射电子的运动轨迹，有效提高电子透过率，从而增加器件整体的稳定性。
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公开(公告)号：CN109905086A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910144812.6
申请日：2019-02-26
Applicant: 华中科技大学
IPC: H03B5/30
Abstract: 本发明公开了一种基于多谐振器耦合结构的MEMS振荡器，MEMS振荡器包括：振荡电路，检测电路以及MEMS谐振器件，MEMS谐振器件包括：N个相互耦合的MEMS谐振器，分别记为第一谐振器、第二谐振器、……第N谐振器，第一谐振器用于确定振荡器的工作频率，其余的谐振器通过耦合实现对第一谐振器的幅度进行调控；N为大于等于2的正整数；振荡电路用于通过闭环控制实现将振荡器的输出频率始终锁定并控制在第一谐振器的谐振频率；检测电路用于检测振荡器输出信号的幅度，并进行反馈控制以防止振荡器的输出幅度过高导致振荡器系统工作异常。本发明可以解决现有技术中由于需要引入可变增益放大器，从而导致的噪声和功耗较大的问题。
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公开(公告)号：CN109899261A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910068779.3
申请日：2019-01-24
Applicant: 华中科技大学
IPC: F03H1/00
Abstract: 本发明公开了一种适用于微牛级场发射电推进系统的喷嘴加工工艺，其中适用于微牛级场发射电推进系统的喷嘴结构，主体是由喷嘴微管道组成的发射体阵列，并且在微管道的内壁和外表面分别均匀沉积有一维纳米材料。本发明主要采用半导体微纳加工技术，通过对SOI硅片进行刻蚀得到理想的发射体喷嘴结构，以此为衬底，在该衬底外表面和内管壁均引入适当形貌和性能的一维纳米材料进行均匀包覆，实现表面修饰和功能化的目的，使喷嘴管口表面的发射点阵列增多的同时，增加内管壁的液压阻力，以降低流速，使发射体工作在离子体系，以便在不产生液滴的情况下，最大程度上利用推进剂产生的电流，从而提升推进器的性能。
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公开(公告)号：CN108417990A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810110239.2
申请日：2018-02-02
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹频段可重构数字电磁超材料及其制备方法，属于人工电磁材料领域，其中，通过控制单元结构的微管道内是否泵入液态金属，得到两种数字状态的单元结构，实现单元的可重构。对两种数字状态的单元结构进行编码组合，得到数字电磁超材料。现有技术实现非周期的太赫兹可重构数字电磁超材料十分困难。本发明无需在电磁超材料单元内添加额外的电子器件或半导体材料，即可实现非周期的太赫兹可重构数字电磁超材料，具有易于设计、低成本、操作简单等特点。
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公开(公告)号：CN111965232B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202010705750.4
申请日：2020-07-21
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N27/62
Abstract: 本发明属于胶体电推进系统应用领域，具体涉及一种胶体电推进系统的电喷雾在轨检测方法及其应用，方法包括：在胶体电推进系统在轨发射的电喷雾按照其发射方向飞行时，对电喷雾施加外力，使部分电喷雾飞行方向发生偏转；在偏转后的飞行方向上设置有良导体电极，当部分电喷雾飞行至撞击良导体电极时，采集该撞击产生的电流信号直至信号消失；处理电流信号得到电喷雾物理特性，完成电喷雾在轨检测。本发明基于外力实现对飞行电喷雾偏转采样、基于电流信号实现电喷雾的物理特性检测，以全面分析电推进系统性能。其中电喷雾采样时仅提取非常小部分的电喷雾进行检查，不影响大部分电喷雾在正常发射方向的飞行过程，能够保证推进系统的连续推力输出能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109824009B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201910002217.9
申请日：2019-01-02
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于SOI工艺的场发射离子中和器芯片的制造方法，包括以下步骤：(1)准备表面抛光的SOI衬底；(2)使用光刻和刻蚀工艺去除目标区域的顶层硅及二氧化硅绝缘层，暴露底层硅；(3)在底层硅上得到阵列式的光刻胶图案，并沉积缓冲层和催化剂层，形成缓冲层‑催化剂层阵列；(4)形成碳纳米管阵列得到阴极部分；(5)采用硅片作为栅极基底制备阵列式的透孔结构；(6)在透孔结构上沉积金属薄膜，得到阳极部分；(7)将阴极部分与阳极部分两者键合，得到场发射离子中和器芯片。本发明通过对制备方法整体流程工艺的设计等进行改进，得到的器件能有效克服场屏蔽效应与热效应，具有发射效率佳、功耗低和寿命长的优点。
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公开(公告)号：CN109795722B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201811601491.X
申请日：2018-12-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开一种胶体推进器的多物理量表征装置，包括：配重和推进器对称地放在扭摆两端，使得扭摆处于平衡状态；推进器工作产生推力，使得扭摆发生旋转；自准直仪通过反射镜测量扭摆旋转对应的偏转角的变化；推进器在加速电压作用下将推进剂离化成带电液滴，带电液滴喷射后成发射离子束流状；静电透镜将发射状的离子束流准直聚焦成平行离子束流；两个质量分析器电极对包括的四个电极围成一个空间供离子束流通过；离子检测器接收平行离子束流，并根据离子束流电流大小确定推进器的推力、流量和比冲，根据自准直仪测量的旋转角的变化确定的推力标定电流大小确定的推力、流量和比冲。本发明实现对推进器的多物理量表征。
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公开(公告)号：CN109899261B
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201910068779.3
申请日：2019-01-24
Applicant: 华中科技大学
IPC: F03H1/00
Abstract: 本发明公开了一种适用于微牛级场发射电推进系统的喷嘴加工工艺，其中适用于微牛级场发射电推进系统的喷嘴结构，主体是由喷嘴微管道组成的发射体阵列，并且在微管道的内壁和外表面分别均匀沉积有一维纳米材料。本发明主要采用半导体微纳加工技术，通过对SOI硅片进行刻蚀得到理想的发射体喷嘴结构，以此为衬底，在该衬底外表面和内管壁均引入适当形貌和性能的一维纳米材料进行均匀包覆，实现表面修饰和功能化的目的，使喷嘴管口表面的发射点阵列增多的同时，增加内管壁的液压阻力，以降低流速，使发射体工作在离子体系，以便在不产生液滴的情况下，最大程度上利用推进剂产生的电流，从而提升推进器的性能。
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公开(公告)号：CN109904052B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201811654080.7
申请日：2018-12-28
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开一种离子中和器装置及其制备方法，包括：阴极衬底、碳纳米管阵列、金属纳米颗粒、绝缘层以及金属栅网电极；所述碳纳米管阵列沉积在阴极衬底，所述金属纳米颗粒分散在碳纳米管阵列上，均匀修饰所述碳纳米管阵列，成为碳纳米管阵列阴极；所述绝缘层位于所述阴极衬底表面，所述绝缘层为中空的，所述碳纳米管阵列阴极位于绝缘层中空部分；所述金属栅网电极为镂空结构，所述碳纳米管的阵列与金属栅网电极的镂空位置对准，形成三明治结构，确保所述碳纳米管的阵列阴极、金属栅网电极以及绝缘层三者互不导通。本发明降低碳纳米管和衬底间的接触电阻，减少器件的热效应和整体功耗改善中和器的工作寿命和可靠性。
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公开(公告)号：CN109904052A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201811654080.7
申请日：2018-12-28
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开一种离子中和器装置及其制备方法，包括：阴极衬底、碳纳米管阵列、金属纳米颗粒、绝缘层以及金属栅网电极；所述碳纳米管阵列沉积在阴极衬底，所述金属纳米颗粒分散在碳纳米管阵列上，均匀修饰所述碳纳米管阵列，成为碳纳米管阵列阴极；所述绝缘层位于所述阴极衬底表面，所述绝缘层为中空的，所述碳纳米管阵列阴极位于绝缘层中空部分；所述金属栅网电极为镂空结构，所述碳纳米管的阵列与金属栅网电极的镂空位置对准，形成三明治结构，确保所述碳纳米管的阵列阴极、金属栅网电极以及绝缘层三者互不导通。本发明降低碳纳米管和衬底间的接触电阻，减少器件的热效应和整体功耗改善中和器的工作寿命和可靠性。
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