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公开(公告)号：CN105119141B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201510599039.4
申请日：2015-09-17
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01S5/125
Abstract: 本发明公开了一种双波长可调谐半导体激光器，该激光器包括有源区、相位区和光栅区；从下往上依次附着有第一缓冲层、有源层和第一覆盖层，第一缓冲层、有源层和第一覆盖层构成了有源区；从下往上依次附着有第二缓冲层、波导层和第二覆盖层，第二缓冲层、波导层和第二覆盖层构成了相位区；从下往上依次附着有第三缓冲层、光栅层和第三覆盖层，第三缓冲层、光栅层和第三覆盖层构成了相位区；在第一覆盖层的上表面设有第一电极，在第二覆盖层的上表面设有第二电极，在第三覆盖层的上表面设有第三电极；有源区的左端面为解理面，光栅区的右端面镀有增透膜。本发明提供的激光器能够实现双波长的稳定输出，同时波长可调。
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公开(公告)号：CN102751659A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210244941.0
申请日：2012-07-16
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01S5/125
Abstract: 本发明公开了一种可调谐半导体激光器，激光器由前光栅区、有源区、相位区和后光栅区构成。前光栅和后光栅区设计为一种新型布拉格光栅，该光栅用来产生反射峰值均衡的梳状反射响应。利用游标卡尺效应，通过在前、后光栅注入电流改变光栅区的折射率值，从而实现宽谱的准连续调谐。本发明的激光器具有输出光功率高，每个信道的光功率均匀性好，动态波长切换速率高等优点。本发明的激光器的两个布拉格反射段还可以设计成为布拉格光栅的各种切趾和啁啾的形式。本发明的激光器也可以与半导体光放大器和电吸收调制器等器件集成。
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公开(公告)号：CN101488551B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200910060799.2
申请日：2009-02-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种用CNT薄膜作为透明导电电极的GaN基LED的制备方法，该方法包括半导体外延层的生长、在P型GaN层表面上制备CNT薄膜透明导电电极、二维CNT薄膜光子晶体的制备、N型金属电极的形成和P型电极的制备步骤。本发明可以有效提高LED正面的出光效率，并同时解决透明导电电极与P-GaN的欧姆接触问题；在工艺上，电极选材合理，采用了纳米压印技术，具有制作成本低，生产效率高及光栅分辨率高的特点。
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公开(公告)号：CN101655578B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200910063891.4
申请日：2009-09-08
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02B6/34
Abstract: 本发明提供了降低光纤法布里-珀罗滤波器插入损耗的方法，包括：首先根据滤波器精细度指标Finesse确定镀膜层反射率R的大小；再按照介质薄膜膜系材料的高、低折射率nH和nL及光纤折射率nG，计算镀膜层数p；根据滤波器自由谱FSR指标和中心波长λ0，确定空气隙长度d的大小；由此得到FFP滤波器腔内的实际结构。然后利用双向光束传输法计算得到入射端点的反射能量和出射端点的透射能量；改变镀膜直径大小，通过监测峰值输出点透射和反射功率变化，透射功率最大值对应的镀膜直径即为插入损耗最小的最优镀膜直径。
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公开(公告)号：CN101320682B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200810048015.X
申请日：2008-06-13
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明属于半导体器件制造技术，为一种改善金属-P型半导体欧姆接触性能的方法。其过程为：①先合成和提纯纳米碳管；②在P型半导体上制备纳米碳管薄膜；③在纳米碳管碳薄膜上制备一层介质膜；再沉积一层光刻胶；然后利用半导体微纳制作技术在光刻胶上定义所设计的图形，曝光后，将半导体器件置入显影液中显影、清洗和坚膜后，以光刻胶作为掩蔽，刻蚀介质膜；利用带有设计图形的介质膜作为新的掩蔽刻蚀纳米碳管薄膜，刻蚀完成后去掉残余的介质膜材料；④在纳米管碳薄膜上制备金属电极或合金。本发明利用纳米碳管薄膜改善半导体器件的欧姆接触特性，具有制作工艺简单、成本低和适合大规模应用等优点，可以提高半导体器件的可靠性和寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101022206A
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200710051688.6
申请日：2007-03-15
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种可调谐半导体激光器，增益段的两端分别由两个布拉格反射段限定边界，前端和后端布拉格反射段都可设计为布拉格光栅，该光栅在形式上适用于生成峰值均衡的梳状反射峰。激光器的两个布拉格反射段还可以设计成布拉格光栅的各种变迹、相移和啁啾的形式。利用游标卡尺的原理，改变激光器两端布拉格反射段的折射率值，从而实现宽谱的准连续调谐。本发明的输出光功率高，每个信道的光功率一致性好，动态波长切换的速率高。
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公开(公告)号：CN112615253A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011473482.4
申请日：2020-12-15
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种波长可调的半导体激光器，包括有源区、相位区、光栅区和制作在光栅区内的相移区：相位区从上往下看由第二电极、第二包层、第一波导层和第二衬底构成；第一光栅区从上往下看由第三电极、第三包层、第一光栅层、第二波导层和第三衬底构成；相移区从上往下看由第四电极、第四包层、第三波导层和第四衬底构成；第二光栅区结构和第一光栅区完全一致。激光器左端面为解理面，激光器的输出光从这里出射。光栅区右端面通过增透膜镀层来减少端面向激光器内部的反射。本发明提供的激光器通过引入了光子‑光子谐振效应实现高调制带宽，同时还可以实现波长调谐功能，满足下一代光通信系统对于高性能高速直调的波长可调器件的需求。
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公开(公告)号：CN108233177A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201810060016.X
申请日：2018-01-22
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: H01S5/187 , H01S5/0057 , H01S5/06258
Abstract: 本发明属于光电子器件领域，公开了一种可调谐半导体激光器，包括：有源区、相位区和光栅区；有源区从下而上依次设置有第一衬底、第一缓冲层、第一波导层、有源层和第一覆盖层，在第一覆盖层上设有第一电极；相位区从下而上依次设置有第二衬底、第二缓冲层、第二波导层和第二覆盖层，在第二覆盖层上设有第二电极；光栅区从下而上依次设置有第三衬底、第三缓冲层、光栅层和第三覆盖层，在第三覆盖层上设有第三电极；光栅层包括：依次级联的倾斜π相移光栅和均匀布拉格光栅。本发明可以有效减小直接调制激光器频率啁啾导致的信号在传输中的损伤对误码率的影响，降低光信号在光纤中的色散代价，提高信道容量。
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公开(公告)号：CN102931582A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210258846.6
申请日：2012-07-25
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01S5/14
Abstract: 本发明公开了一种可调谐光栅外腔半导体激光器，主要包括半导体激光器、准直透镜、衍射光栅和调谐装置。该半导体激光器发出的激光器经过准直透镜准直后，入射到衍射光栅上，衍射得到的一级衍射光沿原路返回半导体激光器有源区，与有源区内光场相互作用，从而实现单纵模窄线宽输出，零级衍射光作为输出光。激光器的波长调谐通过准直透镜的旋转实现。当驱动装置驱动准直透镜旋转一个小角度时，经过准直透镜的准直光束会偏离系统的光轴，使得入射到衍射光栅的光束角度发生变化，相当于衍射光栅发生了旋转，实现了波长的调谐。采用该半导体激光器，能够实现对激光器波长的快速调谐，并利于系统的小型化。
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公开(公告)号：CN101345585A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200810054192.9
申请日：2008-08-20
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司 , 华中科技大学
Abstract: 一种嵌套马赫－曾德波导结构的光差分四相移键控调制器，包括有：预编码器、激光器、分离器和耦合器，还设置有由两个马赫－曾德型干涉仪结构调制器组成的嵌套式马赫－曾德型干涉仪结构调制器；所述的预编码器的输出分别连接构成嵌套式马赫－曾德型干涉仪结构调制器的两个马赫－曾德型干涉仪结构调制器；激光器、分离器、嵌套式马赫－曾德型干涉仪结构调制器以及耦合器依次连接。嵌套式马赫－曾德型干涉仪结构调制器是由第二马赫－曾德型干涉仪结构调制器嵌套在第一马赫－曾德型干涉仪结构调制器的内部构成。本发明使器件的长度明显缩短，降低了超长结构器件一系列工艺制作的难度，能显著提高成品率；降低了光的分叉损耗，提高了产品的性能；能显著降低生产成本。
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