公开(公告)号：CN112615253A

公开(公告)日：2021-04-06

申请号：CN202011473482.4

申请日：2020-12-15

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 刘也 ,  余永林

IPC: H01S5/12 ,  H01S5/062

Abstract: 本发明公开了一种波长可调的半导体激光器，包括有源区、相位区、光栅区和制作在光栅区内的相移区：相位区从上往下看由第二电极、第二包层、第一波导层和第二衬底构成；第一光栅区从上往下看由第三电极、第三包层、第一光栅层、第二波导层和第三衬底构成；相移区从上往下看由第四电极、第四包层、第三波导层和第四衬底构成；第二光栅区结构和第一光栅区完全一致。激光器左端面为解理面，激光器的输出光从这里出射。光栅区右端面通过增透膜镀层来减少端面向激光器内部的反射。本发明提供的激光器通过引入了光子‑光子谐振效应实现高调制带宽，同时还可以实现波长调谐功能，满足下一代光通信系统对于高性能高速直调的波长可调器件的需求。

公开(公告)号：CN112615253B

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN202011473482.4

申请日：2020-12-15

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 刘也 ,  余永林

IPC: H01S5/125 ,  H01S5/062

Abstract: 本发明公开了一种波长可调的半导体激光器，包括有源区、相位区、光栅区和制作在光栅区内的相移区：相位区从上往下看由第二电极、第二包层、第一波导层和第二衬底构成；第一光栅区从上往下看由第三电极、第三包层、第一光栅层、第二波导层和第三衬底构成；相移区从上往下看由第四电极、第四包层、第三波导层和第四衬底构成；第二光栅区结构和第一光栅区完全一致。激光器左端面为解理面，激光器的输出光从这里出射。光栅区右端面通过增透膜镀层来减少端面向激光器内部的反射。本发明提供的激光器通过引入了光子‑光子谐振效应实现高调制带宽，同时还可以实现波长调谐功能，满足下一代光通信系统对于高性能高速直调的波长可调器件的需求。