-
公开(公告)号：CN107703624B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201710791448.3
申请日：2017-09-05
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明涉及半导体光电子器件领域，提供了一种基于非周期亚波长光栅和分布布拉格反射镜的谐振腔，具有可以控制谐振腔内驻波光场的分布的特性。所述谐振腔的结构自下而上为：分布布拉格反射镜、谐振腔、非周期亚波长光栅反射镜。平面入射光通过谐振腔到达非周期亚波长光栅反射镜，实现偏向谐振腔中心的斜反射，斜反射在谐振腔内多次振荡耦合，形成光场能量集中于腔中部的稳定驻波场，驻波场宽度由非周期亚波长光栅结构决定，从而通过改变非周期亚波长光栅结构实现了对谐振腔内驻波场宽度的控制。本发明解决了传统谐振腔不能控制驻波场宽度的问题，能够广泛应用于光通信及光学系统领域。
-
公开(公告)号：CN106876418B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201710149708.7
申请日：2017-03-14
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L27/144
Abstract: 本发明提供一种光电探测器阵列，包括半绝缘的衬底层；覆盖在所述衬底层表面的绝缘钝化层；设置在所述衬底层上且位于所述钝化层内的至少2个光电探测器；在每个所述光电探测器的N接触层上蒸镀的N接触电极；在每个所述光电探测器的P接触层上蒸镀的P接触电极；在所述N接触电极上开孔设置并在所述钝化层上蒸镀的接地大电极；以及在所述P接触电极上开孔设置并在所述钝化层上蒸镀的信号大电极。本发明将多个光电探测器按照以信号大电极为中心的对称结构设计，克服了单个光电探测器无法处理过大功率的光信号的弊端，以及传统光电探测器阵列的各光电探测器电信号容易在输出端产生相位失配而引起信号畸变的缺点；工艺简单、饱和功率大且响应度高。
-
公开(公告)号：CN107703624A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201710791448.3
申请日：2017-09-05
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明涉及半导体光电子器件领域，提供了一种基于非周期亚波长光栅和分布布拉格反射镜的谐振腔，具有可以控制谐振腔内驻波光场的分布的特性。所述谐振腔的结构自下而上为：分布布拉格反射镜、谐振腔、非周期亚波长光栅反射镜。平面入射光通过谐振腔到达非周期亚波长光栅反射镜，实现偏向谐振腔中心的斜反射，斜反射在谐振腔内多次振荡耦合，形成光场能量集中于腔中部的稳定驻波场，驻波场宽度由非周期亚波长光栅结构决定，从而通过改变非周期亚波长光栅结构实现了对谐振腔内驻波场宽度的控制。本发明解决了传统谐振腔不能控制驻波场宽度的问题，能够广泛应用于光通信及光学系统领域。
-
公开(公告)号：CN104851947B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201510189107.X
申请日：2015-04-21
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L33/22
Abstract: 本发明公开了一种带有表面糙化透光结构的LED芯片及其制作方法，属于LED芯片制造及LED照明领域。所述的带有表面糙化透光结构的LED芯片，包括芯片的衬底、n型半导体结构、i型有源区和p型半导体结构，以及形成在芯片表面的糙化透光结构；所述糙化透光结构是切面角度连续变化的糙化层。所述糙化透光结构在p型半导体结构上，或者在p型半导体结构的钝化层上，或者在p型半导体结构的透明电极上，或者在p型半导体结构的透明有机层上或者在n型半导体结构上，或者在衬底上。本发明可以改善LED器件出光受全反射角的影响，从而提升LED器件的出光效率。
-
公开(公告)号：CN106449806A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610825756.9
申请日：2016-09-14
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/105
CPC classification number: H01L31/02327 , H01L31/105
Abstract: 本发明提出了一种基于非周期亚波长光栅的窄线宽可调谐高性能光探测器，涉及光电子技术领域。所述的高性能光探测器包括自下而上的滤波腔底镜(DBR)、滤波腔、滤波腔顶镜(DBR)、吸收腔和非周期亚波长光栅斜反射镜。本发明的光探测器通过电调谐或热调谐来改变滤波腔的光学腔长，实现波长的选择调谐功能；利用非周期亚波长光栅斜反射镜实现对入射光的多次不同角度的斜反射，使入射光能被吸收层反复吸收，从而实现器件的高速高量子效率性能。本发明具有易集成、窄线宽、可调谐、高量子效率、高频率响应带宽等特点，能够广泛应用于光通信及光信号处理领域。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105140330A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510613957.8
申请日：2015-09-23
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/08 , H01L31/0304
CPC classification number: H01L31/08 , H01L31/03046
Abstract: 本发明公开了一种能够工作于零偏压下的低功耗单行载流子光电探测器。该光电探测器由InP半绝缘衬底以及其上的外延层组成。外延层包括InP半绝缘衬底、第一InGaAs腐蚀阻止层、InP次收集层(其上镀有n型接触电极)、第二InGaAs腐蚀阻止层、InP收集层、InGaAsP过渡层、InGaAs吸收层、InAlAs电子阻挡层和InGaAs接触层(其上镀有p型接触电极)。其中在吸收层和电子阻挡层上优选地使用了InAlAs/InGaAs异质结，利用InAlAs的高费米能级和大禁带宽度获得了在零偏压下更好的响应度与相应带宽，并且降低了功耗。
-
公开(公告)号：CN103942563A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410125981.2
申请日：2014-03-31
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G06K9/62
Abstract: 本申请公开了一种多模态行人再辨识技术，包括以下步骤：步骤1、从第一摄像机和第二摄像机各自拍摄的第一图像和第二图像中分别截取包含目标的前景图像，其中，第二图像对应于已知目标；步骤2、从所截取的前景图像中分别提取颜色特征和纹理特征，并将颜色特征和纹理特征级联，形成图像特征；步骤3、将所述图像特征输入到Hash投影模型，计算第一图像和第二图像中的目标的相似度；步骤4、如果所计算的相似度大于预定阈值，则将第一图像的目标判定为第二图像所对应的已知目标。
-
-
公开(公告)号：CN117639958A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311379959.6
申请日：2023-10-23
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明提供一种基于电反馈的光电混频系统，涉及光电技术领域，系统包括：光探测模块，用于：将接收到的光信号转换成电信号后，输出所述电信号；功率分配模块，用于：将所述电信号功率分配成两路，一路是输出信号，另一路是电反馈信号，将所述输出信号作为所述系统输出的射频信号，将所述电反馈信号通过电反馈回路反馈至所述光探测模块的偏置端；其中，所述光探测模块还用于：基于所述电反馈信号进行偏压调制操作和光电混频操作，输出增强的电信号。本发明形成了电反馈的系统，利用了对光探测模块的偏压调制和光探测模块的光电混频功能，实现了对输出射频信号的增强，有效提高了系统输出射频信号的强度。
-
公开(公告)号：CN115421230B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202211216915.7
申请日：2022-09-30
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G02B3/00 , G02B7/02 , H01L31/0232
Abstract: 本发明涉及一种具有支撑结构的集成微透镜及其制备方法，方法包括准备衬底、大孔径光刻版和微透镜直径的光刻版，在衬底上生长掩膜；在掩膜表面匀胶，用大孔径光刻版进行曝光，对衬底进行显影；对显影后的衬底进行掩膜开孔处理，进行高温ICP刻蚀；对高温ICP刻蚀后的衬底进行第二次匀胶，用微透镜直径的光刻版对第二次匀胶的衬底进行第二次曝光，对衬底进行第二次显影；对第二次显影后的衬底进行光刻胶热熔，形成微透镜形貌的胶型；对热熔后的衬底进行低温ICP刻蚀，将光刻胶的微透镜形貌复制到衬底上。本发明实现了受周围支撑的集成微透镜结构，制备过程周围支撑结构无需采取特殊防护处理，提高光探测器的光敏面积，有利于集成和封装。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
84
records
(took 0.129 seconds)
