公开(公告)号：CN119807588A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202411879229.7

申请日：2024-12-19

Applicant: 北京大学

Inventor： 蔡一茂 ,  冀映彤 ,  王宗巍 ,  张海粟 ,  鲍霖 ,  黄如

IPC: G06F17/16 ,  G11C16/14 ,  G11C16/34

Abstract: 本发明公开了一种基于分离栅闪存的平方欧氏距离计算方法，属于微电子学与集成电路技术领域。本发明将平方欧氏距离作为特征向量坐标的二次多项式函数映射到分离栅闪存权重阵列中进行计算，使用硬件实现加速平方欧氏距离的计算。本发明基于分离栅闪存实现平方欧氏距离计算，能够有效降低计算时间，提升系统能效，提高相关算法运行效率。

公开(公告)号：CN117995240A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202311862656.X

申请日：2023-12-29

Applicant: 北京邮电大学 ,  北京大学

Inventor： 鲍霖 ,  冀映彤 ,  张海粟 ,  王宗巍 ,  蔡一茂 ,  王翠梅 ,  黄善国

IPC: G11C11/408 ,  G11C11/4097 ,  G11C11/407

Abstract: 本申请提供的一种存储单元、存储阵列、操作方法及相关设备，包括：写晶体管、读晶体管、写字线、写位线及读位线；其中，写晶体管的栅极与写字线及读晶体管的源极连接，写晶体管的漏极与写位线连接，写晶体管的源极与读晶体管的栅极连接，读晶体管的漏极与读位线连接。

公开(公告)号：CN119418735B

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202510018855.5

申请日：2025-01-06

Applicant: 北京大学

Inventor： 蔡一茂 ,  张海粟 ,  王宗巍 ,  鲍霖 ,  王翠梅 ,  黄如

IPC: G11C7/10 ,  G11C7/18 ,  G11C8/14 ,  G11C5/06

Abstract: 本公开涉及一种存储单元、数据读写电路、存储器及其制备方法，涉及集成电路设计及制造技术领域，存储单元包括沿第一方向延伸的水平半导体层，及位于水平半导体层上的沿第一方向依次排布的写位线、写晶体管、读晶体管、读字线；写位线、读字线沿与第一方向相交的第二方向延伸；读晶体管沿垂直于第一方向、第二方向的第三方向延伸并贯穿水平半导体层，源线、读晶体管、读位线沿第三方向排布。至少能够在降低单层存储单元面积开销的同时，支持多层堆叠存储单元同时进行光刻。

公开(公告)号：CN119584550A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202510130707.2

申请日：2025-02-06

Applicant: 北京大学

Inventor： 王宗巍 ,  冀映彤 ,  蔡一茂 ,  张海粟 ,  杨高琦 ,  鲍霖 ,  黄如

IPC: H10B63/00

Abstract: 本公开涉及一种存储器件及其制作方法、电子设备，存储器件包括：存储单元，设于衬底上，存储单元沿垂直于衬底的方向间隔排列，存储单元包括选通晶体管和阻变器件；选通晶体管包括沿平行于衬底的第一方向延伸的水平半导体层，阻变器件包括水平半导体层以及沿第一方向远离水平半导体层依次设置的阻变层和电极层；源线，沿平行于衬底的第二方向延伸，沿垂直于衬底的第三方向间隔排列，沿第一方向，源线设于水平半导体层远离阻变层一侧；字线，沿第三方向设置与沿第三方向排列的选通晶体管的水平半导体层相交；位线，沿第三方向设置与沿第三方向排列的阻变器件的电极层连接。利用垂直于衬底的第三方向集成存储单元，提高了存储器件的集成密度。