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公开(公告)号：CN116190424A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211310252.5
申请日：2022-10-25
Applicant: 北京超弦存储器研究院
IPC: H01L29/10 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本公开提供一种半导体器件及其制作方法，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括衬底、形成于衬底的沟道区以及位于沟道区两侧的源区和漏区，其中，沟道区包括具有第一掺杂浓度的第一沟道层和具有第二掺杂浓度的第二沟道层，第一沟道层覆盖部分源区和部分漏区，第二沟道层位于第一沟道层的背离源区以及漏区的一侧，第一掺杂浓度大于第二掺杂浓度。本公开中的半导体器件通过对器件沟道区进行多步骤原位生长或单层分子掺杂，使沟道区分为具有不同掺杂浓度的内外两层，这增大了最大耗尽区宽度，可以达到降低漏电的效果。
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