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公开(公告)号：CN109065727A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810816583.3
申请日：2018-07-24
Applicant: 北京科技大学
CPC classification number: H01L51/4213 , H01L51/42
Abstract: 本发明提供一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法，涉及太阳能电池技术领域。该制备方法包括：步骤S1、将碘化铅和甲胺碘均匀溶解在二甲基亚砜和二甲基甲酰胺的混合溶液中，加入无水乙酸铵，得到钙钛矿前驱体溶液；步骤S2、提供一具有透明电极的衬底，对衬底进行清洗；步骤S3、在清洗后的衬底上形成电子传输层；步骤S4、在形成电子传输层的衬底上，形成介孔层；步骤S5、使用一步反溶剂法将钙钛矿前驱体溶液旋涂在形成有介孔层的所述衬底上，形成钙钛矿薄膜，对钙钛矿薄膜加热，形成钙钛矿吸光层；步骤S6、在形成有钙钛矿吸光层的衬底上，形成碳电极。本发明的技术方案能够提高钙钛矿吸光层的质量，提高钙钛矿太阳能电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN105670560B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201610013441.4
申请日：2016-01-08
Applicant: 北京科技大学
IPC: C09K3/00
Abstract: 本发明涉及一种纳米氧化钴/石墨烯复合吸波涂层及其制备方法，纳米氧化钴/石墨烯复合吸波涂层包括纳米氧化钴/石墨烯复合粉末、环氧树脂和固化剂；所述环氧树脂的质量百分比为70%~90%，所述固化剂的质量百分比为5%~15%，所述纳米氧化钴/石墨烯复合粉末的质量百分比为5%~20%。本发明的制备方法轻质高效、快速可控，制备得到的纳米氧化钴/石墨烯复合涂层吸波效果好，且比重轻、添加量少、涂层薄。
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公开(公告)号：CN101700868B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200910237677.6
申请日：2009-11-20
Applicant: 北京科技大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种超长锑掺杂氧化锌微米线的制备方法，属于纳米/微米材料制备技术领域。基本工艺为：将硅基片用清洗剂冲洗干净，然后磁控溅射一层20nm Au薄膜，作为沉积基片；将Zn粉、Sb2O3粉和C粉按一定的摩尔比充分混合均匀，混粉工艺可利用球磨的方法，并将混合粉末作为反应源放置于瓷舟中；把承载反应源和基片的瓷舟放入管式炉中的石英管中部，调节流量计向石英管中通入氩气和氧气的混合气体，总流量为300cm3/min，混合气体中氩气比例为98％，氧气比例为2％，在此气氛下将管式炉升温至合成温度930～950℃，然后保温10分钟左右，制备反应结束后，取出硅片冷却至室温，所得产品即为超长的锑掺杂氧化锌微米线。本发明实现了超长掺锑氧化锌微米线的制备，工艺较简单，并保证产品质量高、可控性好。
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公开(公告)号：CN101844798A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010176968.1
申请日：2010-05-14
Applicant: 北京科技大学
IPC: C01G19/00
Abstract: 一种高分散尺寸可控的纳米羟基锡酸锌阵列的制备方法，属于纳米材料定列的制备技术领域。工艺步骤如下：将硝酸锌和氨水溶解于去离子水配制成硝酸锌浓度为0.09～0.1mol/L、溶液pH值为9～10的反应溶液；选取含α-{Cu，Sn}相的铜基片作为反应基底；将基片表面进行抛光处理后放入反应溶液中反应1～12小时；取出基片，反复清洗后干燥，得到羟基锡酸锌纳米单晶阵列。本发明可快速制备一种大面积的纳米羟基锡酸锌定向阵列，合成方法简单、成本低、效率高、产品粒径可调范围广、适合大规模生产。
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公开(公告)号：CN101700868A
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200910237677.6
申请日：2009-11-20
Applicant: 北京科技大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种超长锑掺杂氧化锌微米线的制备方法，属于纳米/微米材料制备技术领域。基本工艺为：将硅基片用清洗剂冲洗干净，然后磁控溅射一层20nm Au薄膜，作为沉积基片；将Zn粉、Sb2O3粉和C粉按一定的摩尔比充分混合均匀，混粉工艺可利用球磨的方法，并将混合粉末作为反应源放置于瓷舟中；把承载反应源和基片的瓷舟放入管式炉中的石英管中部，调节流量计向石英管中通入氩气和氧气的混合气体，总流量为300cm3/min，混合气体中氩气比例为98％，氧气比例为2％，在此气氛下将管式炉升温至合成温度930～950℃，然后保温10分钟左右，制备反应结束后，取出硅片冷却至室温，所得产品即为超长的锑掺杂氧化锌微米线。本发明实现了超长掺锑氧化锌微米线的制备，工艺较简单，并保证产品质量高、可控性好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101045553A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200710065217.0
申请日：2007-04-06
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种锡掺杂氧化锌纳米线的制备方法，属于纳米材料制备技术领域。工艺为：将硅(100)基片用清洗剂冲洗干净，作为沉积基片；将ZnO粉、SnO粉和C粉按一定的摩尔比充分混合均匀，混粉工艺可利用球磨的方法，并将混合粉末作为反应源放置于瓷舟中；把承载反应源和基片的瓷舟放入管式炉中的石英管中部，调节流量计向石英管中通入氩气和氧气的混合气体，总流量为300～350cm3/min，氧气比例为1～2％，在此气氛下将管式炉升温至合成温度850～950℃，然后保温，反应结束后，取出硅片冷却至室温，所得产品即为锡掺杂氧化锌纳米线。优点在于：实现了掺锡氧化锌纳米线的制备，制备工艺较简单，并保证产品质量高、可控性好，具备规模化生产的前景。
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公开(公告)号：CN1810649A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200610011356.0
申请日：2006-02-23
Applicant: 北京科技大学
IPC: C01G9/02
Abstract: 本发明提供了一种低温制备掺锰氧化锌纳米线稀磁半导体的方法，属于纳米材料制备技术领域。工艺步骤为：首先将硅片用金刚石刀裁剪成小片，放到培养皿中；取纯锌粉和氯化锰粉末以1∶1至1∶3的重量比混合；在管式炉中反应，得到硅片上沉积上一层浅黄色的产物；用扫描电子显微镜观察硅片上沉积的为纳米线。本发明的优点在于：用这种制备方法所做出的一维掺锰氧化锌纳米线的直径在50nm，表面平滑，而且产量比较高，表现出良好的磁学性能。
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公开(公告)号：CN109755148B
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201811565080.X
申请日：2018-12-20
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种用于InP、GaN中痕量杂质元素浓度及分布的SIMS优化检测方法，属于材料检测技术领域。该方法包括以下步骤：在试样表面转移石墨烯；将试样放置于二次离子质谱仪的样品腔室内，并抽真空；从试样溅射出二次离子；调节提取电压的脉冲宽度以及每个循环周期的分析帧数；收集所述二次离子；对二次离子进行分析获得质谱图和二次离子深度分布图像；根据质谱图和二次离子深度分布图像获得所述试样中痕量杂质元素的检测结果。本发明的技术方案的可检测的痕量杂质元素种类多，体浓度检测极限可以达到ppb级，杂质元素测试精度可达10％以下，杂质元素分布的分辨率＜10nm。
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公开(公告)号：CN109755148A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201811565080.X
申请日：2018-12-20
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种用于InP、GaN中痕量杂质元素浓度及分布的SIMS优化检测方法，属于材料检测技术领域。该方法包括以下步骤：在试样表面转移石墨烯；将试样放置于二次离子质谱仪的样品腔室内，并抽真空；从试样溅射出二次离子；调节提取电压的脉冲宽度以及每个循环周期的分析帧数；收集所述二次离子；对二次离子进行分析获得质谱图和二次离子深度分布图像；根据质谱图和二次离子深度分布图像获得所述试样中痕量杂质元素的检测结果。本发明的技术方案的可检测的痕量杂质元素种类多，体浓度检测极限可以达到ppb级，杂质元素测试精度可达10％以下，杂质元素分布的分辨率＜10nm。
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公开(公告)号：CN108831950A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810502821.3
申请日：2018-05-23
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/032 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/101 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种超短沟道金属-半导体-金属型光探测器及制作方法，涉及光探测技术领域，采用二维二硫化钼垂直方向构建光探测器沟道，利用超短沟道产生的隧穿电流，实现对不同波长范围的光线进行探测，光暗电流大，光响应速度快，光响应度高。该探测器包括绝缘衬底，建立在所述绝缘衬底上的底电极，完全覆盖所述底电极的沟道，位于所述沟道上方的顶电极。所述绝缘衬底为聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜、蓝宝石基片和带有氧化层的硅片中的一种，所述电极为金属电极，所述沟道为二维二硫化钼，所述沟道宽度为0.7-2nm。本发明用于进行光探测，具有柔性透明的特点。
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