公开(公告)号：CN115046817A

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202210465768.0

申请日：2022-04-29

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 陈亚彬 ,  张晶晶 ,  余云飞

IPC: G01N1/28 ,  G01N3/02 ,  G01N3/08 ,  G01N21/65 ,  G01Q30/02

Abstract: 本申请提供了一种二维功能材料各向异性的微纳力学测试方法，其技术要点在于：首先采用聚二甲基硅氧烷辅助剥离的方法制备大面积均一的各向异性材料；然后，通过角分辨拉曼光谱识别主轴方向；再然后，利用聚焦离子束法或反应离子刻蚀法将样品沿不同晶轴方向加工为矩形条带试样，通过探针转移的方法将试样转移至MEMS原位拉伸芯片上，结合扫描电子显微镜技术分别对各向异性材料的两个主轴方向进行原位拉伸；在上述原位拉伸试验中，记录载荷一应变曲线的同时原位可视化材料的拉伸变形以及断裂过程；同时建立单轴应力模型计算得到试样的应力‑应变曲线，从而实现全面了解各向异性材料的面内力学性质差异。

公开(公告)号：CN114664665A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202210277703.3

申请日：2022-03-21

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 陈亚彬 ,  韩武孝 ,  杜国帅 ,  杨龙飞

IPC: H01L21/44 ,  H01L21/34 ,  H01L21/027 ,  H01L29/43 ,  H01L29/49

Abstract: 本申请公开了一种在极端高压下低维纳米材料电学器件的制备方法，其要点在于：设计了一种针对金刚石对顶砧的光刻流程，并采用机械剥离的石墨或石墨烯样品和蒸镀金属材料用于在金刚石对顶砧上集成基于低维纳米材料的电学器件。具体工艺过程包括：清洗‑旋涂光刻胶‑光刻‑蒸镀金属电极(或转移机械剥离的石墨、石墨烯电极)‑去胶‑转移介电层材料‑转移低维材料‑旋涂光刻胶‑光刻‑蒸镀金属电极‑去胶‑引线。本申请旨在提出一种在极端高压下低维纳米材料电学器件的制备方法，克服了低维材料难以在金刚石砧面上集成微纳电学器件的问题，解决了低维材料在高压下的电学器件制备难题，为探究高压下低维材料微纳器件制备提供新思路。

公开(公告)号：CN114538509A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202210175270.0

申请日：2022-02-25

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 陈亚彬 ,  杜国帅 ,  张晶晶

IPC: C01G28/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供了一种厚度可控的二维黑砷纳米片及其制备方法。所述制备方法主要通过高温刻蚀实现。其特征在于，所述制备方法包括：通过机械剥离法在柔性的第一基底上制备得到厚度随机的黑砷纳米片并将其转移至硬质的第二基底上；将带有所述第二基底的黑砷纳米片在管式加热装置中进行与空气持续接触的恒温加热刻蚀，所述加热的温度高于100℃、小于320℃；完成所述刻蚀后，自然降温，获得所述厚度可控的二维黑砷纳米片。本发明可简单、快速、有效地实现二维黑砷纳米片的厚度可控制备。