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公开(公告)号：CN115046817B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202210465768.0
申请日：2022-04-29
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本申请提供了一种二维功能材料各向异性的微纳力学测试方法，其技术要点在于：首先采用聚二甲基硅氧烷辅助剥离的方法制备大面积均一的各向异性材料；然后，通过角分辨拉曼光谱识别主轴方向；再然后，利用聚焦离子束法或反应离子刻蚀法将样品沿不同晶轴方向加工为矩形条带试样，通过探针转移的方法将试样转移至MEMS原位拉伸芯片上，结合扫描电子显微镜技术分别对各向异性材料的两个主轴方向进行原位拉伸；在上述原位拉伸试验中，记录载荷一应变曲线的同时原位可视化材料的拉伸变形以及断裂过程；同时建立单轴应力模型计算得到试样的应力‑应变曲线，从而实现全面了解各向异性材料的面内力学性质差异。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116223852A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310263643.4
申请日：2023-03-18
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明提供了一种相结构调控二维铁磁材料弹性性能的方法，该方法使用原子力显微镜(AFM)纳米压痕法对二维四方相FeTe(t‑FeTe)材料和二维六方相FeTe(h‑FeTe)材料的弹性性质进行分析，t‑FeTe和h‑FeTe具有较大差异的弹性性能，因此，可以通过相结构调控二维FeTe材料的弹性性能，在柔性电子器件等各个领域，充分开发和利用FeTe材料。本发明实现了相结构可控调节二维FeTe纳米片的弹性性质，开发FeTe材料的新应用。
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公开(公告)号：CN114563389B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202210187472.7
申请日：2022-02-28
Applicant: 北京理工大学
IPC: G01N21/65
Abstract: 本发明公开了一种二维黑砷基各向异性材料的晶向确定方法，其包括：通过角分辨偏振拉曼光谱测试获得负载于柔性基底上二维黑砷基各向异性材料的两个晶格主轴方向与柔性基底之间的夹角，并根据该夹角将柔性基底剪裁成正方形，至其两个长边分别与所述两个晶格主轴方向平行，其后分别沿两个晶格主轴方向对基底进行拉伸，获得其不同应变下沿面内主轴方向振动的原位拉曼光谱数据，通过洛伦兹拟合得到特征振动模B2g的拉曼频移与应变的依赖关系，根据特征振动模的峰位随应变的变化趋势确定晶向。本发明是一种无损检测的方法，可精准地确定二维各向异性材料的晶向。
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公开(公告)号：CN116463513A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310419160.9
申请日：2023-04-19
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种二维黑砷纳米片的制备方法，通过机械剥离法在硬质基底上制备黑砷纳米片；将带有黑砷纳米片的硬质基底放置在反应离子刻蚀机的反应舱室内反应；刻蚀结束后，从反应离子刻蚀机的反应舱室中取出样品。本发明中的反应离子刻蚀机的反应舱室内可同时容纳多个长、宽为5cm的硬质基底，实现批量处理。该方法使用常规的反应离子刻蚀设备对材料进行刻蚀，在刻蚀气体氛围下，使其与刻蚀气体发生反应，达到反应离子刻蚀的目的。当上层样品被反应后，下层样品也开始发生反应，从而实现了对样品的减薄。通过控制反应离子刻蚀的起辉功率和时间，可以简单、快速、均匀、有效的实现大面积二维黑砷纳米片的厚度可控制备，且可以同时处理多个样品。
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公开(公告)号：CN114563389A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210187472.7
申请日：2022-02-28
Applicant: 北京理工大学
IPC: G01N21/65
Abstract: 本发明公开了一种二维黑砷基各向异性材料的晶向确定方法，其包括：通过角分辨偏振拉曼光谱测试获得负载于柔性基底上二维黑砷基各向异性材料的两个晶格主轴方向与柔性基底之间的夹角，并根据该夹角将柔性基底剪裁成正方形，至其两个长边分别与所述两个晶格主轴方向平行，其后分别沿两个晶格主轴方向对基底进行拉伸，获得其不同应变下沿面内主轴方向振动的原位拉曼光谱数据，通过洛伦兹拟合得到特征振动模B2g的拉曼频移与应变的依赖关系，根据特征振动模的峰位随应变的变化趋势确定晶向。本发明是一种无损检测的方法，可精准地确定二维各向异性材料的晶向。
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公开(公告)号：CN115046817A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210465768.0
申请日：2022-04-29
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本申请提供了一种二维功能材料各向异性的微纳力学测试方法，其技术要点在于：首先采用聚二甲基硅氧烷辅助剥离的方法制备大面积均一的各向异性材料；然后，通过角分辨拉曼光谱识别主轴方向；再然后，利用聚焦离子束法或反应离子刻蚀法将样品沿不同晶轴方向加工为矩形条带试样，通过探针转移的方法将试样转移至MEMS原位拉伸芯片上，结合扫描电子显微镜技术分别对各向异性材料的两个主轴方向进行原位拉伸；在上述原位拉伸试验中，记录载荷一应变曲线的同时原位可视化材料的拉伸变形以及断裂过程；同时建立单轴应力模型计算得到试样的应力‑应变曲线，从而实现全面了解各向异性材料的面内力学性质差异。
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