公开(公告)号：CN116815305A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202310852826.X

申请日：2023-07-12

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 周家东 ,  孔德男 ,  刘瑞斌

IPC: C30B25/00 ,  C30B29/46 ,  C30B29/64

Abstract: 本发明公开了一种二维层状插层CuNb2S4晶体材料及其制备方法，属于二维材料制备领域。该制备方法包括以下步骤：将铜源、铌源和助熔剂的混合物放置于两片衬底之间，并将所述混合物和衬底放置于反应炉的中心温区，其中中心温区的温度控制在850‑950摄氏度；将硫源放置于反应炉中并位于中心温区的上游区域，距离中心温区18‑20厘米；在反应炉中通入还原性气体和惰性气体的混合气体，所述混合气体将硫蒸汽输送至中心温区，还原性气体和硫蒸汽与中心温区的铜源和铌源反应，并在衬底上沉积，从而获得二维层状插层CuNb2S4晶体材料。

公开(公告)号：CN117337040A

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN202311553482.9

申请日：2023-11-21

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 郑守君 ,  许博禹 ,  周家东

IPC: H10B41/20

Abstract: 本发明公开了一种动态短时浮栅存储器，所述动态短时浮栅存储器由过渡金属硫族化合物和原子级厚度的h‑BN势垒组成，所述动态短时浮栅存储器是一种短时记忆的范德华异质结存储器件，所述动态短时浮栅存储器的记忆保持时间与h‑BN势垒的厚度成指数比例关系。具有丰富的缺陷态的特定h‑BN势垒为浮栅层捕获的电荷提供了释放通道，使得该动态短时浮栅存储器件具有从红外到紫外的宽带光范围的负光响应。这种可调光响应的动态短时浮栅存储器为今后设计时间可调忆阻器以及探索多功能人工智能和光探测应用提供了新的思路。

公开(公告)号：CN117071077A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202311053956.3

申请日：2023-08-21

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 周家东 ,  王平 ,  孔德男 ,  杨阳

IPC: C30B29/46 ,  C30B29/68 ,  C30B25/02

Abstract: 本发明公开一种二维非层状自插层V3S5晶体的制备方法，属于二维非层状材料制备领域。该制备方法包括以下步骤：将硫源放置于反应炉的上游区域，并将上游区域的温度控制在200‑300℃；将钒源放置于反应炉的中心区域，并将中心区域的温度设置在500‑600℃，其中钒源是由氯化钒与熔点高于氯化钒的含钒物质构成的混合物；将衬底放置于反应炉的下游区域，在反应炉中通入还原性气体和惰性气体的混合气体作为载气，将硫蒸汽输送到反应炉的中心区域进行反应，并在下游区域的衬底上进行沉积，得到二维非层状自插层V3S5晶体材料。