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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116651512A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310965808.2
申请日：2023-08-02
Abstract: 本发明公开了一种新型强可见光吸收的Ru‑Fe环状光催化剂的制备方法及其应用。将具有强可见光吸收能力的氟硼二吡咯烷（Bodipy）有机分子发色团与三联吡啶配体通过Suzuki反应进行共价键耦合，进而与金属原子Ru、Fe配位成环状配合物超分子，拉近光敏剂与催化剂之间的距离，构筑了具有强可见光吸收能力的新型超分子光催化体系。该新型光催化剂具有强可见光吸收能力、长激发态寿命，其分子内电子可快速转移从而实现太阳能的高效利用，显著提升了光催化转化效率。将其用于可见光驱动的CO2还原反应，可成功将CO2还原为CO。该发明为开发新型、高效的光催化体系提供了重要科学借鉴。
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公开(公告)号：CN116651512B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310965808.2
申请日：2023-08-02
Abstract: 本发明公开了一种新型强可见光吸收的Ru‑Fe环状光催化剂的制备方法及其应用。将具有强可见光吸收能力的氟硼二吡咯烷（Bodipy）有机分子发色团与三联吡啶配体通过Suzuki反应进行共价键耦合，进而与金属原子Ru、Fe配位成环状配合物超分子，拉近光敏剂与催化剂之间的距离，构筑了具有强可见光吸收能力的新型超分子光催化体系。该新型光催化剂具有强可见光吸收能力、长激发态寿命，其分子内电子可快速转移从而实现太阳能的高效利用，显著提升了光催化转化效率。将其用于可见光驱动的CO2还原反应，可成功将CO2还原为CO。该发明为开发新型、高效的光催化体系提供了重要科学借鉴。
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公开(公告)号：CN117947503A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410163300.5
申请日：2024-02-05
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明提供了一种二维非层状插层材料CuCrSe2晶体材料及其制备方法，属于二维非层状材料技术领域。该制备方法为盐辅助的化学气相沉积法，具体地包括以下步骤：(1)将硒源放置于反应炉的上游区域，将上游区域的温度控制在300‑400℃的范围内，以得到硒蒸汽；(2)将金属源放置于反应炉的中心区域，并将中心区域的温度控制在800‑900℃的范围内；(3)将衬底正面朝下放置于金属源上方，在反应炉中通入还原性气体和惰性气体的混合气体作为载气，将步骤(1)得到的硒蒸汽输送到反应炉的中心区域进行反应，并在衬底表面进行沉积，得到二维非层状插层CuCrSe2晶体材料。
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公开(公告)号：CN117071077A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311053956.3
申请日：2023-08-21
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开一种二维非层状自插层V3S5晶体的制备方法，属于二维非层状材料制备领域。该制备方法包括以下步骤：将硫源放置于反应炉的上游区域，并将上游区域的温度控制在200‑300℃；将钒源放置于反应炉的中心区域，并将中心区域的温度设置在500‑600℃，其中钒源是由氯化钒与熔点高于氯化钒的含钒物质构成的混合物；将衬底放置于反应炉的下游区域，在反应炉中通入还原性气体和惰性气体的混合气体作为载气，将硫蒸汽输送到反应炉的中心区域进行反应，并在下游区域的衬底上进行沉积，得到二维非层状自插层V3S5晶体材料。
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公开(公告)号：CN116599639A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202211649317.9
申请日：2022-12-21
Applicant: 北京理工大学 , 北京数缘科技有限公司 , 天津航天中为数据系统科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种基于聚类的密码芯片侧信息泄露量化度量方法与系统，属于网络安全侧信道分析技术领域。所述方法将密码芯片采集到的侧信道波形分割为带操作编号的波形段，并将其降维，在低维空间上进行聚类，得到两个集合，记为集合A和集合B；根据已知的密钥推出每个波形段的正确操作，并标记到各波形段对应的点，从而得到两个集合，记为集合C和集合D；假设A与C对应、B与D对应，则将属于A但不属于C的点和属于B但不属于D的点加入集合E。设定一个阈值α，若E中点的个数小于α，则判定该方法实现不能抵抗简单能量/电磁分析；否则判定则相反。本方法与系统能够跳出肉眼观察和主观判断，用更加客观公正的角度来评估密码产品的安全性。
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