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公开(公告)号：CN117337040A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311553482.9
申请日：2023-11-21
Applicant: 北京理工大学
IPC: H10B41/20
Abstract: 本发明公开了一种动态短时浮栅存储器，所述动态短时浮栅存储器由过渡金属硫族化合物和原子级厚度的h‑BN势垒组成，所述动态短时浮栅存储器是一种短时记忆的范德华异质结存储器件，所述动态短时浮栅存储器的记忆保持时间与h‑BN势垒的厚度成指数比例关系。具有丰富的缺陷态的特定h‑BN势垒为浮栅层捕获的电荷提供了释放通道，使得该动态短时浮栅存储器件具有从红外到紫外的宽带光范围的负光响应。这种可调光响应的动态短时浮栅存储器为今后设计时间可调忆阻器以及探索多功能人工智能和光探测应用提供了新的思路。
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