一种后硒化处理制备FeSe超导薄膜的方法

    公开(公告)号:CN102534471B

    公开(公告)日:2013-06-19

    申请号:CN201010588275.3

    申请日:2010-12-07

    Abstract: 本发明涉及一种后硒化处理法制备FeSe超导薄膜的方法,该方法采用反应溅射沉积FeS薄膜,包括基片的表面处理;采用反应溅射薄膜沉积技术在基片上溅射、沉积FeS薄膜;将FeS薄膜与无定形单质硒同置于石英管中,真空密封;密封后的石英管放于加热炉中升温使之发生硒化反应,得到FeSe薄膜。利用本发明可以显著减小硒化处理后产生的应力,减少因过大的畸变能产生的杂相、气孔和裂纹,更体现薄膜优异的超导性能。并且这种反应溅射与改进的细化处理相结合的制备方法与常用的脉冲激光沉积法相比,在成本控制上有着很大优势,并且不受尺寸限制。

    一种行波管用螺旋线低电阻率复合涂层的制备方法

    公开(公告)号:CN102560404A

    公开(公告)日:2012-07-11

    申请号:CN201010621308.X

    申请日:2010-12-24

    Abstract: 本发明公开了属于真空电子和薄膜制备领域的一种行波管用螺旋线低电阻率复合涂层的制备方法。该方法首先采用离子注入的方法对W或Mo表面进行改性,然后通过射频磁控溅射在改性后W或Mo表面由内到外依次涂覆Ti过渡层和Au低电阻涂层。本发明采用离子注入的方法处理W或Mo表面,提高Ti与W或Mo的界面浸润性,简化了行波管用螺旋线复合低电阻涂层的制备工艺,缩短了工艺周期,降低了工艺成本,提高了工艺的可控性。

    一种电积铜用铅基惰性阳极的预处理方法

    公开(公告)号:CN102465313A

    公开(公告)日:2012-05-23

    申请号:CN201010547941.9

    申请日:2010-11-17

    CPC classification number: Y02P10/236

    Abstract: 本发明涉及一种电积铜用铅基惰性阳极的预处理方法,包括预处理液由硫酸钴、硫酸和蒸馏水组成,预处理液温度为30~70℃;阳极为待预处理阳极,阴极为不锈钢板,阴阳极间距为3~6cm,预处理液循环量为0.05~0.5V槽/h,V槽是指预处理槽的容积;预处理工艺为阳极电流密度为50~400A/m2,预处理时间为8~24h。本发明采用含有硫酸钴的预处理液,优化预处理工艺参数,本发明的预处理工艺十分简单,操作方便,有利于工业化应用,可将电积铜用铅或铅合金惰性阳极的析氧过电位控制在550mV以内。以该法处理后的铅或铅基阳极作为铜电积用阳极,对减少阴极铜杂质铅含量,降低吨铜耗电方面具有明显的效果。

    一种三氟酸盐-金属有机沉积制备高温超导薄膜的方法

    公开(公告)号:CN101471161B

    公开(公告)日:2010-12-08

    申请号:CN200710304554.0

    申请日:2007-12-28

    CPC classification number: Y02E40/642

    Abstract: 一种三氟酸盐-金属有机沉积制备高温超导薄膜的方法,是一种高效率的、以化学方法制备高温超导薄膜方法。其核心内容是在传统的三氟酸盐-金属有机沉积(TFA-MOD)工艺中,引入甲醇和松油醇作为溶剂,配制前驱溶液。利用本发明的前驱液进行YBCO高温超导薄膜的MOD制备,可以将热处理时间由过去的20个小时减少到4个小时左右,极大简化了工艺过程降低了材料成本,制备薄膜的性能可与传统方法制备的薄膜性能基本相同。因而是一种新的、以MOD方式快速制备高性能高温超导薄膜的方法。

    一种带加长型筒状阳极的筒状靶溅射设备

    公开(公告)号:CN101469405B

    公开(公告)日:2010-12-08

    申请号:CN200710304553.6

    申请日:2007-12-28

    Abstract: 一种带加长型筒状阳极的筒状靶溅射设备,包括有:水箱,在该水箱的环壁内设有水夹层;筒状靶材,该筒状靶材的外环壁与水箱的内环壁紧密接触;加长型筒状阳极,其底壁设有若干个溅射气体进气孔,并配有阳极盖,在阳极盖上接有进气管路;数块磁体,该数块磁体围绕水箱的环壁的一周。加长筒型阳极采用无氧铜材料制成,水箱上的绝缘圈、阳极盖均为聚四氟乙烯材料绝缘制成。在制备复杂氧化物薄膜、特别是高温YBCO等稀土钡铜氧薄膜时,采用带加长型筒状阳极的筒状靶溅射设备可显著改善负氧离子轰击以及溅射物质堆积掉渣等负影响,有显著的改善薄膜生长质量、提高性能的作用。

    一种三氟酸盐-金属有机沉积制备高温超导薄膜的方法

    公开(公告)号:CN101471161A

    公开(公告)日:2009-07-01

    申请号:CN200710304554.0

    申请日:2007-12-28

    CPC classification number: Y02E40/642

    Abstract: 一种三氟酸盐-金属有机沉积制备高温超导薄膜的方法,是一种高效率的、以化学方法制备高温超导薄膜方法。其核心内容是在传统的三氟酸盐-金属有机沉积(TFA-MOD)工艺中,引入甲醇和松油醇作为溶剂,配制前驱溶液。利用本发明的前驱液进行YBCO高温超导薄膜的MOD制备,可以将热处理时间由过去的20个小时减少到4个小时左右,极大简化了工艺过程降低了材料成本,制备薄膜的性能可与传统方法制备的薄膜性能基本相同。因而是一种新的、以MOD方式快速制备高性能高温超导薄膜的方法。

    一种双面高温超导薄膜多层结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN101162626A

    公开(公告)日:2008-04-16

    申请号:CN200610113749.2

    申请日:2006-10-13

    CPC classification number: Y02E40/642

    Abstract: 本发明公开了一种双面高温超导薄膜多层结构及其制备方法。该双面高温超导薄膜多层结构,包括低成本非单晶氧化物基片,所述低成本非单晶氧化物基片的两面分别依次设有金属薄膜层、双轴织构的氧化物薄膜层以及超导薄膜层。首先在低成本基片上生长一层表面良好的金属薄膜,再用离子束辅助沉积工艺在金属薄膜上制备具有双轴织构的氧化物薄膜材料,所以可以不使用价格昂贵的氧化物单晶材料作为大面积双面高温超导薄膜的基片材料,而选用成本低廉的Si单晶等基片材料。所制备的双面高温超导薄膜成本低。

    一种提高反发射薄膜与钼栅网基底结合力的方法

    公开(公告)号:CN103898440B

    公开(公告)日:2016-08-24

    申请号:CN201210585107.8

    申请日:2012-12-28

    Abstract: 一种提高反发射薄膜与钼栅网基底结合力的方法,包括以下步骤:A.将加工好的钼栅网进行真空除气,温度为800±20℃;B.采用离子束辅助沉积法在上述Mo栅网上沉积一层反发射薄膜;C.对所制成的栅网进行退火处理,退火温度为1000~1300℃。本发明利用离子束辅助沉积法在钼栅网基底上沉积反发射薄膜,通过离子束轰击基底表面,提高基底表面粗糙度,从而使得反发射薄膜与钼栅网基底结合力增加,再结合后续高温退火处理,使得反发射薄膜和钼基底间形成合金相,进一步提高了反发射薄膜与钼栅网基底结合力。

    一种制备铸态铅或铅合金EBSD样品的方法

    公开(公告)号:CN103913362B

    公开(公告)日:2016-06-22

    申请号:CN201210591749.9

    申请日:2012-12-28

    Abstract: 一种制备铸态铅、铅合金EBSD样品的方法,该方法包括:手工打磨:用水砂纸打磨铸态铅、铅合金样品待测表面;化学抛光1:在样品待测表面上滴加H2O2和CH3COOH体积比为0.8~1.2∶0.8~1.2组成的化学抛光液;化学抛光2:随后,在样品待测表面上滴加H2O2和CH3COOH体积比为0.05~0.2∶0.8~0.95组成的化学抛光液;侵蚀:用柠檬酸、钼酸铵和去离子水的重量份比为10~20∶6~12∶60~150组成的侵蚀液覆盖样品表面,侵蚀后在酒精中浸泡5~10秒钟,取出用冷风吹干,得到可以通过电子背散射技术显示菊池线的样品。该样品制备方法操作简便,制备的样品组织真实、背散射电子衍射花样标定率高。

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