公开(公告)号：CN114200244A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202210146277.X

申请日：2022-02-17

Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司常州供电分公司

Inventor： 赵东艳 ,  王于波 ,  仝傲宇 ,  陈燕宁 ,  赵扬 ,  成睿琦 ,  王立城

IPC: G01R31/00 ,  G01R31/28

Abstract: 本发明实施例提供一种用于电力二次设备的环境应力试验系统，属于电力技术领域。所述用于电力二次设备的环境应力试验系统包括环境试验室，以及在所述环境试验室内设置的环境模拟系统、电气控制设备、故障模拟系统，所述环境模拟系统用于生成所述电力二次设备所处环境的综合环境参数，所述电气控制设备用于控制所述环境模拟系统生成所述综合环境参数，并对所述电力二次设备进行综合环境应力试验，所述故障模拟系统，配合所述环境模拟系统，用于模拟所述电力二次设备试验的电网各类故障和异常运行工况。通过环境模拟系统形成多种不同环境影响因素的共同作用，模拟户外电网真实运行环境。

公开(公告)号：CN114062740A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202111189327.4

申请日：2021-10-12

Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司

Inventor： 张肖 ,  陈燕宁 ,  董广智 ,  钟明琛 ,  宋彦斌 ,  单书珊 ,  赵扬 ,  鹿祥宾

IPC: G01R1/18

Abstract: 本发明实施例提供一种用于多信号单线进入暗室的滤波装置，属于滤波技术领域。所述装置包括：金属外壳；暗室屏蔽体；所述金属外壳与所述暗室屏蔽体围合构成具有密封腔的箱体结构，所述密封腔内封装有金属沙；所述暗室屏蔽体用于接入包覆有金属屏蔽层的单芯导线并容许剥离金属屏蔽层的所述单芯导线穿过所述密封腔后进入暗室，所述单芯导线的金属屏蔽层断面与所述暗室屏蔽体接触，以通过所述暗室屏蔽体、所述金属外壳及所述金属沙构成的导电平面消耗干扰信号。本发明方案既保证了单芯导线上的各种有用信号顺利进入电波暗室，又防止了其它干扰信号进入电波暗室，满足了同一线路上多种信号进入暗室的相关要求。

公开(公告)号：CN113945773A

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202110283041.6

申请日：2021-03-16

Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司常州供电分公司

Inventor： 鹿祥宾 ,  陈燕宁 ,  董广智 ,  钟明琛 ,  王立城 ,  宋彦斌 ,  付振 ,  赵扬 ,  单书珊 ,  刘波

IPC: G01R29/12

Abstract: 本发明实施例提供一种用于静电测试的监测装置及静电测试系统，属于CDM测试技术领域。所述监测装置包括：采集模块，与用于静电测试的静电泄放弹性针连接，用于在对所述静电泄放弹性针进行测试位置调试的过程中，采集所述静电泄放弹性针与被测试物体的接触压力，并生成对应的压力信号；控制模块，与所述采集模块连接，用于接收所述压力信号，并根据所述压力信号确定所述静电泄放弹性针与所述被测试物体的接触状态，以及生成对应于不同接触状态的不同控制指令；以及告警模块，与所述控制模块连接，用于响应于不同的所述控制指令而进行告警提示。通过该技术方案可以精确定位静电泄放弹性针的测试位置，提高测试的效率性和准确性。

公开(公告)号：CN113782528A

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN202111330860.8

申请日：2021-11-11

Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  西安电子科技大学 ,  国网江苏省电力有限公司常州供电分公司 ,  国家电网有限公司

Inventor： 赵东艳 ,  成睿琦 ,  赵扬 ,  陈燕宁 ,  董广智 ,  王立城 ,  付振 ,  王树龙 ,  罗宗兰

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/092 ,  H01L23/552 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明提供一种半导体器件、集成电路产品以及制造方法，属于半导体器件技术领域。所述半导体器件包括：基体；第一掺杂区，形成于所述基体，所述第一掺杂区是第一MOS的源区和漏区的掺杂区；第二掺杂区，形成于所述基体，所述第二掺杂区与所述源区的距离小于所述第二掺杂区与所述漏区的距离，所述第二掺杂区与所述源区的导电类型相反；互连层，具有导电性，与所述第二掺杂区和所述源区有接触。本发明可为半导体器件提供抗电磁干扰能力。

公开(公告)号：CN110299299A

公开(公告)日：2019-10-01

申请号：CN201910602633.2

申请日：2019-07-05

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司

Inventor： 单书珊 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  赵扬 ,  潘成

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/68

Abstract: 本发明公开了一种基于手动绑线机的高密度封装芯片失效定位方法，包括如下步骤：S1：提供COB转接板，并对转接板进行开窗预处理；S2：提供透明薄载玻片；S3：将芯片背面开封或者正面开封，露出硅基面；S4：将芯片的开封面朝向载波片，并进行粘接固定；S5：芯片粘接固定后将透明薄载玻片粘到转接板的开窗部位，使得硅基面朝向待观测面；S6：设置绑线机参数；S7：使用绑线机将芯片的待测针脚与转接板的指定管脚相连接；以及S8：使用EMMI定位芯片失效位置。本发明的高密度封装芯片失效定位方法克服了直接开封测试法中由许多类型封装无外延针脚无法测试问题，也可以规避芯片取die直测法无法背面定位的问题，同时具备价格低廉、使用范围广的优点。

公开(公告)号：CN107564829A

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：CN201710734193.7

申请日：2017-08-24

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  国家电网公司

Inventor： 蔡斌 ,  李建强 ,  陈燕宁 ,  邵瑾 ,  乔彦彬 ,  赵扬 ,  刘晓昱

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明公开了一种用于TSV封装芯片的内部信号量测的方法，该方法包括如下步骤：S1，将待测TSV封装芯片的背面进行研磨抛光，以露出TSV通孔和硅基板；S2，在距离TSV通孔的边缘的硅基板上沉积一个SiO2薄膜区域，以隔离硅基板；S3，清理TSV通孔的表面；S4，在TSV通孔下方的芯片和SiO2薄膜之间沉积金属Pt；S5，在SiO2薄膜上沉积测试板；S6，使用探针与测试板接触，从而将测试力施加在芯片上，以实现芯片内部信号的量测。本发明的方法简单易操作，便于探针的连接测试，同时避免了在探针测试过程中由于探针接触到硅基板而导致信号无法施加在TSV通孔上的问题，从而显著提高了测试的效率和准确性。

公开(公告)号：CN120009617A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202510218570.6

申请日：2025-02-26

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 ,  华北电力大学(保定)

Inventor： 赵扬 ,  罗广孝 ,  高杰 ,  陈文颖 ,  黄保成 ,  曲伟 ,  成睿琦 ,  张卫东 ,  翟振 ,  仝傲宇

IPC: G01R27/02 ,  G01R35/00

Abstract: 本发明公开了一种宽频电流传感器转移阻抗特性测量校准装置，可用于变电站控保设备线缆耦合骚扰电流测量用的宽频传感器校准，包括矩形金属板构成的凹型金属腔体、焊接在凹型金属腔体两侧金属板中心的SMA端口、标准的盘式圆环薄片低阻值电阻，可拆卸的圆形金属连接杆和高频连接同轴电缆。两个SMA端口焊接在凹型金属腔体两侧金属板中心，其中一个SMA端口的中心导体和外导体间焊接标准的2欧姆盘式圆环薄片低阻值电阻；可拆卸的金属连接杆连接两个SMA端口在凹型槽内部部分的中心导体，构成传输通路；被测的电流传感器放置在附加低阻值盘式圆环薄片低阻值电阻的金属板上，金属连接杆从电流传感器中心位置穿过。

公开(公告)号：CN119650515A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202411791210.7

申请日：2024-12-06

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 ,  浙江大学

Inventor： 赵东艳 ,  吴波 ,  陆佳倩 ,  许凯 ,  高大为 ,  吴永玉 ,  刘芳 ,  赵扬 ,  邓永峰 ,  郁文

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

Abstract: 本发明提供一种接触孔形成方法、半导体器件及芯片，涉及半导体技术领域。接触孔形成方法包括：自半导体器件表面的接触孔划定位置对半导体器件进行刻蚀，去除接触孔划定位置的层间介质层和部分刻蚀停止层；接触孔划定位置自下而上依次形成有金属硅化物层、刻蚀停止层和层间介质层；利用硅‑钴‑镍刻蚀工艺去除接触孔划定位置剩余的刻蚀停止层；在划定接触孔侧壁形成侧壁阻挡层，在划定接触孔底部形成底部阻挡层；利用刻蚀工艺去除部分底部阻挡层；在划定接触孔内填充金属接触材料，形成接触孔。通过本发明，能减少金属硅化物过度消耗，防止硅化物侧向生长异常，降低底部阻挡层厚度和接触孔电阻，提高器件性能。

公开(公告)号：CN119167847A

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202411344717.8

申请日：2024-09-25

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 ,  浙江大学

Inventor： 陈燕宁 ,  吴波 ,  刘芳 ,  金炫智 ,  许凯 ,  高大为 ,  吴永玉 ,  赵扬 ,  邓永峰 ,  郁文

IPC: G06F30/33 ,  G06F18/214 ,  G06N20/20 ,  G06F18/27

Abstract: 本发明提供一种半导体器件电性工艺参数确定方法及装置，属于器件制作技术领域。所述半导体器件电性工艺参数确定方法包括：获取器件制造工艺参数和当前设备状态数据；基于所述器件制造工艺参数，采用预置的工艺电性相关模型，确定得到电性参数，所述预置的工艺电性相关模型用于根据器件制造工艺参数信息确定出相关联的器件电性参数信息；基于所述当前设备状态数据，采用预置的不确定性模型，确定得到工艺电性波动范围，所述预置的不确定性模型用于根据设备状态，确定出设备状态对工艺波动的影响大小；基于所述电性参数和所述工艺电性波动范围，得到器件电性工艺参数。大大提高了工作效率，确定过程简单方便，可重复使用。

公开(公告)号：CN118763118B

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202411239239.4

申请日：2024-09-05

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 ,  浙江大学

Inventor： 陈燕宁 ,  吴波 ,  刘芳 ,  王爽 ,  许凯 ,  高大为 ,  吴永玉 ,  赵扬 ,  邓永峰 ,  郁文

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/40 ,  H01L29/10 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，提供一种分离式深栅LDMOS器件及制造方法、芯片。该器件包括：衬底、体区、漂移区、源区、漏区、分离式深栅结构及场板结构，体区、漂移区、源区及漏区形成于衬底中，体区与源区相接，漂移区与漏区相接；分离式深栅结构包括多个嵌入体区内的纵向深栅，相邻两个纵向深栅之间通过体区相互隔离；场板结构包括多个嵌入漂移区内的场氧化层，相邻两个场氧化层之间通过漂移区相互隔离；相邻两个纵向深栅之间的体区与相邻两个场氧化层之间的漂移区相接，多个纵向深栅分别与多个场氧化层相接。本发明采用分离式的纵向深栅结构和场板结构形成多个导电沟道，增加栅对沟道的控制，增加器件的导通电流，从而降低导通电阻。