基准电压产生电路、芯片及电子设备

    公开(公告)号:CN115617115B

    公开(公告)日:2023-04-21

    申请号:CN202211344115.3

    申请日:2022-10-31

    Abstract: 本公开涉及集成电路技术领域,具体涉及一种基准电压产生电路、芯片及电子设备,所述基准电压产生电路包括:参考电压产生电路,所述参考电压产生电路用于生成第一参考电压;稳压电路,所述稳压电路包括电压转换电路、拉电流稳压支路和灌电流稳压支路,其中:所述电压转换电路用于将所述第一参考电压转换成所述基准电压,并在所述基准电压产生电路接收到外部拉电流时,将所述基准电压转换为第一控制电压,在所述基准电压产生电路接收到外部灌电流时,将所述基准电压转换为第二控制电压;所述拉电流稳压支路接收所述第一控制电压,所述灌电流稳压支路接收所述第二控制电压,以对所述基准电压进行稳压,从而提高电路可靠性。

    电阻单元、放大器、数据采集系统及数据处理方法

    公开(公告)号:CN120074522A

    公开(公告)日:2025-05-30

    申请号:CN202510071024.4

    申请日:2025-01-16

    Abstract: 本发明实施例提供一种电阻单元、放大器、数据采集系统及数据处理方法,属于芯片技术领域。所述电阻单元包括:至少两个具有相同阻值的P型多晶硅电阻和至少两个具有相同阻值的N型多晶硅电阻,所述P型多晶硅电阻和所述N型多晶硅电阻的数量相等,且所述P型多晶硅电阻和所述N型多晶硅电阻串联以形成关于中间节点相对称的电阻单元,并且所述P型多晶硅电阻和所述N型多晶硅电阻的阻值能被调整以通过两者之间的场效应互补作用来消除因多晶硅电阻引起的非线性误差。本发明实施例利用多晶硅电阻本身的物理性质,消除多晶硅电阻在电路中引起的非线性误差,可靠性好、通用性广泛。

    模数转换器及模数转换方法
    19.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114826266A

    公开(公告)日:2022-07-29

    申请号:CN202210424616.6

    申请日:2022-04-21

    Abstract: 本发明涉及模数转换技术领域,其实施方式提供了一种模数转换器及模数转换方法。所述电容阵列中电容的第一极板通过该电容对应的多路选择开关选择接参考电压或接地,所述电容阵列中电容的第二极板接输入电压,所述电容阵列分为第一电容阵列和第二电容阵列;所述第一电容阵列包括:按照电容权值以2的0次幂至m次幂的方式依次排列的电容,m为非负整数;所述第二电容阵列包括:2n‑1个电容权值均为2m+1的依次排列的电容,n为大于等于2的整数;所述第二电容阵列的一端与所述第一电容阵列中的电容权值为2m的电容所在端相邻。本发明提供的实施方式能够使模数转换器中电容的翻动个数难以探测。

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