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公开(公告)号:CN109358295B
公开(公告)日:2021-06-08
申请号:CN201811102946.3
申请日:2018-09-20
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G01R31/40
Abstract: 本发明公开了一种应用于DC‑DC的电源故障指示电路,包括基准电路、DC‑DC反馈网络、故障比较器电路,其中:DC‑DC反馈网络,接收DC‑DC的输出电压,并通过电阻分压得到传感电压Vsense,将反馈电压Vsense发送至故障比较电压;基准电路,生成基准电压,并将基准电压分压得到四个比较电压信号发送给故障比较电路;故障比较电路,将反馈电压Vsense值分别与第一比较电压信号、第二比较电压信号、第三比较电压信号、第四比较电压信号进行比较,反馈电压Vsense在上升过程中低于第二比较电压或高于第四比较电压,或者是在下降过程中低于第一比较电压或高于第三比较电压,输出“有效”故障标志信号。本发明能有效地监测DC‑DC压降型开关电源的输出电压变化。
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公开(公告)号:CN112416047A
公开(公告)日:2021-02-26
申请号:CN202011126043.6
申请日:2020-10-20
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G05F1/575
Abstract: 本发明公开了一种高电源抑制比和高抗干扰能力的基准电路,包括:偏置电路、预处理电路、基准核心电路、运算放大器和输出级;其中,偏置电路产生偏置电压,用于预处理电路和运算放大器;预处理电路产生初级的不受输入电压影响的稳定电压,将稳定电压输出给基准核心电路和运算放大器;基准核心电路产生零温电压,将零温电压输出给输出级和运算放大器;运算放大器电路使得三极管集电极电压相等,使得基准核心电路正常工作;输出级通过电阻分压,产生不同的基准电压。本发明通过采用偏置电路,进行合理的结构设计,同时引入预处理电路,产生受电源电压影响较小的初级电压,提高低频和高频下的电源抑制比。在敏感节点加入滤波电路,提高抗干扰能力。
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公开(公告)号:CN112416047B
公开(公告)日:2022-05-24
申请号:CN202011126043.6
申请日:2020-10-20
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G05F1/575
Abstract: 本发明公开了一种高电源抑制比和高抗干扰能力的基准电路,包括:偏置电路、预处理电路、基准核心电路、运算放大器和输出级;其中,偏置电路产生偏置电压,用于预处理电路和运算放大器;预处理电路产生初级的不受输入电压影响的稳定电压,将稳定电压输出给基准核心电路和运算放大器;基准核心电路产生零温电压,将零温电压输出给输出级和运算放大器;运算放大器电路使得三极管集电极电压相等,使得基准核心电路正常工作;输出级通过电阻分压,产生不同的基准电压。本发明通过采用偏置电路,进行合理的结构设计,同时引入预处理电路,产生受电源电压影响较小的初级电压,提高低频和高频下的电源抑制比。在敏感节点加入滤波电路,提高抗干扰能力。
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公开(公告)号:CN209949077U
公开(公告)日:2020-01-14
申请号:CN201822138514.X
申请日:2018-12-19
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 一种频率稳定的方波发生电路,包括延时电路、整形电路、反馈环路、开关电路、控制电路,其中延时电路,采用电流源对电容充放电的模式,和开关电路共同实现所需要的振荡频率;整形电路采用RS触发器结构,将三角波整形为方波;控制电路,根据外部控制信号实现电路主动导通、关断;反馈环路,将输出电压恰当地反馈给具有开关特性的器件。该方波发生电路结构简单,频率不受电源电压变化范围和温度的影响,能够实现频率的稳定。
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公开(公告)号:CN211183396U
公开(公告)日:2020-08-04
申请号:CN201922108922.5
申请日:2019-11-29
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本实用新型涉及一种欠压保护电路,包括分压电阻串和比较电路,分压电阻串将电源电压通过串联电阻的分压输出给下一级电路;比较电路通过带隙基准结构产生零温度系数带隙基准电压为1.2V,与分压电阻串输出的电源电压Vcc分压进行比较,在电路中设置P型MOS管M3、M4,控制比较电路的迟滞量。本实用新型欠压保护电路,将普通带隙基准电路与迟滞比较器电路结合在一个电路中,在保证性能的前提下,结构简单、减小了电路的复杂程度、缩小了芯片的面积,增加了设计便利性。
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公开(公告)号:CN212112261U
公开(公告)日:2020-12-08
申请号:CN201922108925.9
申请日:2019-11-29
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G05F1/56
Abstract: 一种基于双极工艺的LDO过温保护电路,包括温度检测电路、采样比较电路,温度检测电路包括NPN管Q4、电阻R3、电阻R4,采样比较电路包括电阻R1、电阻R2、电阻R5、电阻R6、电阻R7、NPN管Q1、NPN管Q2、NPN管Q3、NPN管Q6,NPN管Q4基极与外部带隙电路输出端相连作为输入端,NPN管Q6集电极作为电路输出端作为输出端,温度检测电路与采样比较电路串联进行过温保护输出。
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