公开(公告)号：CN114563841B

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202210190316.6

申请日：2022-02-28

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王丽 ,  王进 ,  苏雪琼 ,  肖燃燃 ,  成浩

IPC: G02B6/024 ,  G02B6/02 ,  G02B6/44 ,  G01D5/353

Abstract: 一种封装集成一体的温度梯度增敏保偏光纤传感器，属于基于镀膜保偏光纤的多参量光纤传感器领域。在去掉涂覆层的保偏光纤包层表面通过脉冲激光沉积的方法镀近红外高透过率的ZnSe9:Co1纳米薄膜，使得传输光能量更集中在光纤表面。在ZnSe9:Co1纳米薄膜表面利用热蒸镀的方法镀银纳米薄膜，提高光纤的热膨胀系数。用PDMS填充毛细管封装镀膜保偏光纤，增加传感器整体热膨胀系数，最终实现温度梯度增敏的测量。

公开(公告)号：CN114645251A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202210260057.X

申请日：2022-03-16

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王丽 ,  高东文 ,  苏雪琼 ,  王进

IPC: C23C14/28 ,  C23C14/18 ,  C23C14/54 ,  B22F3/02 ,  B22F3/10 ,  B22F5/00 ,  B22F9/04 ,  H01L21/02

Abstract: 一种改变半导体材料PN型的制备方法，涉及半导体材料领域。将硒化锌掺杂半导体沉积到基底表面形成半导体薄膜，通过控制制备条件，达到控制基片上半导体薄膜PN型的目的。制备过程中选择使用脉冲激光沉积技术完成薄膜的制备，基片选择使用石英玻璃。本发明的半导体材料通过脉冲激光沉积法来制备的，采用如下技术方案实现：先采用固体反应烧结法制备ZnSe0.4:Mo0.3:Ga0.3陶瓷靶材，再采用脉冲激光沉积法制备ZnSe:Mo:Ga薄膜，通过控制不同的制备条件，得到不同PN特性的半导体薄膜。本发明结晶质量好、表面光滑，具有纳米结构，能够实现同一块靶材通过控制制备条件改变其薄膜的PN型的目的。